FDTDによるサファイア基板LEDのデバイスシミュレータ
2つの異なる表面構造を持つLEDのFDTD法解析ツール
異なる表面形状を持った2種類のLEDデバイス構造をAPSYSでFDTD法を用いてシミュレーションし、角度に依存する発光強度分布が得られた。表面形状の違いが発光強度に反映。2Dと同じ方法で3D構造のFDTDシミュレーションが可能。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
シミュレータ(熱解析) - メーカー・企業と製品の一覧
更新日： 集計期間:2026年01月14日～2026年02月10日
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シミュレータの製品一覧
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表示件数
CMOSイメージセンサーの3次元シミュレータ
CMOSイメージセンサー3D解析ツール
クロスライトのTCADや3Dシミュレーションの特徴を紹介。また、3D構造を構築するためのツールであるMaskEditorやSemiCrafterの特徴を説明。実際シミュレーションを行うためにCMOSイメージセンサー(CMOS Image Sensor)のプロセスの概要を示し、各ステップ毎の作業を解説。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
薄膜トランジスタの3次元シミュレータ
薄膜トランジスタの3次元解析ツール
プロセスシミュレータCSupremとデバイスシミュレーターAPSYSを利用した3次元計算の概要を紹介。MaskEditorによるパターン作成、このパターンをもとにプロセスシミュレーション、プロセスシミュレーション結果をもとに薄膜トランジスタ(TFT)の電気的、光的特性をデバイスシミュレーションし結果プロットを表示。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
多接合太陽電池のシミュレータ
多接合太陽電池のデバイス解析ツール
化合物半導体の単接合(single-junction)と多接合(multi-junction)太陽電池の2D/3Dシミュレーションの実施例を紹介。非局在(Non Non-local)トンネル接合モデル(tunnel tunnel-junction model)を実験によって較正。太陽光スペクトラム(solar spectrum)をバイアスに用いて外部量子効率(external quantum efficiency)を解析。I-V特性、Isc、Vocと量子効率はモデリングと実験結果が一致。複数太陽光(multi-sun)のモデリング結果から、最適な太陽数はコンタクトパッドの間隔によって変わり、異なる直列抵抗の効果が示された。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ
ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算による解析ツール
ナノワイヤーMOSFETを解析するための物理モデルの特徴を紹介。シミュレーション効率を最大限に引き出すために円柱座標系を使用。チャネル領域にはNEGF(Non-Equilibrium Green's Function)を使いその他の領域には通常の移動拡散(DD: drift-diffusion)を利用したハイブリッドなアプローチ。NEGFに量子とじこめと量子バリスティック電子輸送を含むサブバンドの柔軟な選択。他の全ての移動拡散方程式を合わせたNEGF方程式の自己無撞着解。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
MOSFETにおける3Dシミュレーションの効果解析シミュレータ
MOSFETにおける3Dシミュレーション効果の解析ツール
STI(shallow trench isolation)閉じ込めMOSにおいて、SiO2/Siインタフェース分離により、幅方向にドーパント拡散が起こる。HV(high voltage) MOSFETにとって、3D拡散(diffusion)と狭ゲート(narrow gate)サイドフィールドは閾値電圧Vthを幅を減らすかのように低い方へシフト。ナノMOSFETの典型的なプロセスフローでは、W>0.1 umの幅を減少しVthが増加。方形トレンチ(square-trenched) UMOSでは、四角サイズが減らすかのように、幾何学的および3D拡散の効果は低い方へVthをシフト。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
VCSELシミュレータ
垂直共振器面発光レーザの解析ツール
PICS3D内臓のVCSELモジュールにおける自己無撞着モデルの概要。基本的なVCSELモデリングを解説。また、次のような特徴を紹介。自動VCSEL共振器デザインモジュール(VCSEL cavity design module)、光ポンプVCSEL(optically pumped VCSEL)、多横モードの計算(multi-lateral models calculation)、EIM(effective index method)を用いた多モード共振波長(resonating wavelength of multimode)、非対称(non-symmetric)VCSEL、矩形(rectangular shape)VCSEL、多モード過渡解析(Multimode transient simulation)、垂直外部共振器面発光レーザ(VECSEL: vertical external cavity surface emitting laser)。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
半極性InGaN半導体レーザのシミュレータ
半極性のInGaN半導体レーザの解析ツール
結晶座標系、ひずみや応力などを考慮したモデリングのアプローチを紹介。LASTIPでの2次元計算を例に、内部電場を伴わない光利得(optical gain)など半極性と非極性とc面(c-plane)で比較。結晶成長方向を考慮したウルツ鉱型MQWデバイスに対するk.p.理論に基づいたモデルはAPSYS、LASTIPとPICS3Dに搭載。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
電界吸収変調器のシミュレータ
電界吸収変調器の解析ツール
フランツ・ケルディッシュ効果(Franz-Keldysh effect)を使って導波路型変調器(Waveguide modulator)をAPSYSによってシミュレート。多体(manybody)計算から得られた双極子行列要素で向上、実験結果に極めて一致。実験結果を再現するには自由電子理論(Free-carrier theory)だけでは不十分。電場(electric field)、吸収(absorption)および伝達(transmission)におけるシミュレーション結果は実験結果によく一致。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
薄膜太陽電池のシミュレータ
薄膜太陽電池のデバイス解析ツール
デバイスモデリング(modeling)の特徴を、APSYSを用いて各物理モデル(physical models)や量子トンネリング(quantum tunneling)について紹介。a-Si, muC-Si, a-SiGeとITO/ZnOを使ってa-Siに対するモデルと材料の吸収特性(material absorption property)を説明。a-Si PIN太陽電池のモデリング結果として、二重接合(dual junction) muC-Si/a-Siと三重接合(triple junction) a-Si/a-SiGe/a-SiGeタンデム型(tandem cells)太陽電池を計算例を紹介。クロスライトの2D/3D光線追跡(ray tracing)とFDTDモジュールを併用することで、APSYSでSi基板の薄膜太陽電池を効率的に設計・解析が可能。
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バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ
ヘテロ接合に対するトンネル効果のモデルによる解析ツール
量子トンネリング(quantum tunneling model)モデルは高ドーピングレベル(high doping level)においてキャリア輸送(carrier transport)への影響を無視できない。アルミ(Al)組成割合変化(composition grading)は、ポテンシャル障壁(potential barrier)の平坦化によって擬似的な量子トンネル効果(mimic quantum tunneling effect)が可能。ただし、アルミ(Al)組成割合変化の距離選択が重要。十分に多く内部にメッシュポイント(internal extra mesh point)を追加することで、組成割合変化と同様の効果をもたらす。量子トンネリングモデルはキャリア輸送の量子力学強化に最も信頼できる方法である。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
GaN基板LEDの3D TCADシミュレータ
プロセス/デバイスシミュレーション統合環境(TCAD)でのLED 3D解析ツール
プロセスシミュレーター(CSuprem)とデバイスシミュレーター(APSYS)を統合したTCADで多重量子井戸(MQW)構造LEDの解析を紹介。ポテンシャル、電流密度、温度とキャリア分布をシミュレートし結果を3Dで表示。デバイス断面構造の設定にはGUIインターフェイスを持ったLayerBuilder(標準付属)を使用。電極などレイアウトパターンは、GDSフォーマット対応の、MaskEdior(標準付属)で作成。これらの情報をもとに、CSupremで3Dメッシュとドーピングプロファイルを生成。デバイスシミュレーター(APSYS)で、電気的な特性(IQEなど)と熱的特性をシミュレーション。また、オプション機能のオプトウィザード(Optowizard)を用いて、光線追跡(raytracing)またはFDTDによる光抽出が可能。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
量子ドットデバイスの3Dシミュレータ
量子ドットデバイスの3次元解析ツール
量子ドット(quantum dots)デバイスのモデリングは、微視的なモデルを構築・解析しその結果を巨視的なモデルに取りこむ手順を経る。微視モデルは様々な矩形や円柱状の3次元量子ドットが可能。ひずみ効果(strain effect)も考慮。GaN基板のウルツ鉱構造(wurtzite structure)も亜鉛鉱型結晶構造(zincblende structure)と同様に適用可能。巨視的なモデルにおけるバンド図(band diagram)、PLの計算果と実験の結果比較、光利得スペクトル(optical gain spectrum)、広がりなしのスペクトル(spectrum without broadening)、温度依存、利得スペクトル(gain spectra)、レーザ発光の振舞い(lasing behaviour)を例示。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
3次元電磁界シミュレータ「XFdtd」
多様な電磁波問題の解析が可能な3次元電磁界シミュレータ
FDTD法(時間領域差分法)を用いた、米国Remcom社製の3次元フルウェーブ電磁界解析ソフトウェアです。FDTD法としては世界初の商用ソフトウェアであり、20年近くの実績をもつ最古参のFDTDソルバです。
- 企業：株式会社構造計画研究所
- 価格：応相談
レーザ照射コンタクト太陽電池シミュレータ
レーザ照射コンタクト太陽電池のデバイス解析ツール
クロスライトのプロセスシミュレーターCSupremとデバイスシミュレータAPSYSを併用したレーザ照射コンタクト(Laser fired contact)のプロセスを例示。最終的にLFC(Laser fired contact)を構造に持つRCC(rear-contacted cells)デバイスをAPSYSに取込み、太陽電池性能のモデリングが成功。LFCを持つRCCデバイスの妥当な性能を示した。結果から、実際のレーザパルス照射を議論、Al原子が溶融したSi中へ拡散する可能性を示唆。クロスライトのCSupremとAPSYSでLFCを持つ太陽電池の2D/3Dモデリングが可能。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
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量子カスケードレーザのシミュレータ
量子カスケードレーザの解析ツール
サブバンド構造計算(subband structure calculation)により、発光波長(emission wavelength)やミニバンドアライメント(miniband alignment)などのQCL(quantum cascade laser)の基本的なデザインが可能。微視的なレート方程式モデル(microscopic rate equation model)は、ローカル電流(local current)と光子密度(photon density)のような光利得(optical gain)を容易に生成。巨視的なQCLシミュレーションにおいて、電子を電極から多重量子井戸(MQW)に注入し、多重量子井戸(MQW)から電極に収集。100-1000Aの平均自由行程(mean-free-path)を持つ非局所的(non-local)な電流注入モデル(currentinjectionmodel)を提案。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ
ひずみ持ったMOSFETの量子井戸の解析ツール
クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quantum corrections)をした移動拡散方程式(drift-diffusion equations)の自己無撞着解(self-consistent solution)が可能。様々な応力や結晶方向のひずみを持つシリコンMOSFETの特性が予測可能。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
表面構造を持つ多重量子井戸LEDの3Dデバイスシミュレータ
表面構造を持ったInGaN/GaN MQW LEDの3D解析ツール
プロセスシミュレータCSupremで3D構造デバイスを構築。APSYSとFDTDの組合せによる表面構造(textured surface)のモデリング手順を紹介。電気特性と光学特性をAPSYSと3D光線追跡を用いて計算。（FDTDデータで3D光線追跡を行い光パワーを抽出）クロスライトソフトウェアのいくつかのモジュールを組合わせることで表面構造を持つLEDを正確に計算可能。
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マッハツェンダー型光変調器のデバイスシミュレータ
InP基板上に多重量子井戸をもつマッハツェンダー型光変調器の物理モデルによる解析ツール
マッハツェンダー型光変調器のシミュレーションには微視的な量子井戸モデルから導波路とシステムに関連する回路モデルまで必要。クロスライトはマッハツェンダー型光変調器の設計に対して統合された最先端のソリューションを提供する。資料では、さまざまな物理的数理的モデルを紹介し、実際のモデリングの例を解説。
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タイプII型量子井戸受光素子のデバイスシミュレータ
タイプII型量子井戸構造を持つ光受光素子の解析ツール
適用可能なモデルと機能を紹介。（タイプ-II型量子井戸(Type-II MQW)の組を150対インプットコマンドでくくるテクニック。複合多重量子井戸(Complex MQW)光利得(optical gain)モデルからタイプ-II型量子井戸の光利得/光吸収スペクトルを求める。タイプ-II型量子井戸のバンドアライメント(band alignments)によって吸収スペクトルをデザイン。量子力学に基づいたミニバンド(mini-band)モデルの効果）
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
クロスライトのFDTDシミュレータ
クロスライトのAPSYSによるFDTD計算
クロスライト独自の2D/3D FDTDシミュレーターを開発。クロスライトのデバイスシミュレーターと直結可能。Phythonを利用したスクリプト作成・処理が可能。GUIから全ての操作をコントロール可能。物質の分散は様々な分散モデルにより提供。PBCおよびUPML/CPML吸収境界条件を装備。並列計算による処理の加速は、MPI並列処理またはGPUデータ並列が利用可能。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
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pドーピング窒化系シミュレータ
GaNおよびIII族窒化物にpドーピングを行うプロセス解析ツール
有機金属気相成長法(MOCVD)のプロセスシミュレーターPROCOMシミュレーションでp-タイプ伝導率の問題に取組む。膜成長中のMg取込みをコントロールするのが重要。シミュレーションは複雑なドーピングプロセスおよびMOCVDプロセスの最適化を補助。異なるタイプのアクセプターも本ソフトウェアによってシミュレーション可能。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
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CSupremを使った3次元MEMSシミュレータ
CSupremを使ったMEMSの3次元プロセス解析ツール
CSupremはMEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)作成をただちに行えるシミュレータ。RFスイッチ(RF Switches)、電位計(Electrometer)、ポリシリコンMEMS(Polysilicon MEMS)、SOI MEMS、MT-VCSOAのプロセスシミュレーションを題材に実際の計算を例示。MEMS製造工程を正確に最適化、MEMS形成のシミュレーションに対し最適な3次元メッシュを生成。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
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【動画】半導体プロセス＆デバイスシミュレータ「NovaTCAD」
2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロスライト社のTCAD。無料試用版あり！
■下記YoutubeにてNovaTCADによるシミュレーションの自動処理の動画を公開中！ ■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から （製品の詳細については、製品紹介の資料をご覧ください）
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パワー半導体のシミュレータ
半導体デバイス設計とクロスライトソフトウェアのTCADを利用例
クロスライトの各製品の詳細を事例をもとに紹介。クロスライトのAuto TCADを解説。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
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高輝度発光ダイオードデバイスシミュレータ
高輝度発光ダイオード(SLED)の3次元モデリングツール
グリーン関数(Green's function)理論に基づく理論モデルを解説。テストデバイスを用いて解析。（横モード(lateral mode)のプロファイル 利得(gain) バンド図(band diagram) 異なる注入におけるキャリア分布 空間的ホールバーニング(spatial hole burning) I-V特性(I-V curve) L-I(L-I curve) 自然発光の強度(amplifier spontaneous emission)に対する3D効果。）
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シリコンICプロセスシミュレータ
CSupremにおける物理モデル
イオン注入(ion implantation), 蒸着(deposition)、エッチング(etching)、拡散(diffusion)、酸化(oxidation)に対する物理モデルをベースに様々な半導体構造の1次元、2次元および3次元のプロセスシミュレーションが可能。IC製造工程の研究開発コストをコントロールするのに欠くことのできない信頼のある正確なシミュレーションツール。デバイスシミュレーターのためのドーピングプロファイル(doping profile)を出力可能。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
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クロスライトのLEDシミュレータ
青色発光ダイオードにおける分極電荷の効果とデバイス構造最適化のための解析ツール
様々な物理モデル。（ウルツ鉱材料に応じた多重量子井戸(Multiple Quantum Wells)モデルに基づくk.p.理論。表面分極電荷(polarization surface charge)/自己無撞着モデル(self-consistent model)。量子井戸(quantum wells)または量子ドット(quantum dots)のための多体(Manybody)利得(gain)/自然放出(spontaneous emission)理論。非平衡量子輸送モデル(Non-equilibrium quantum transport model)。）InGaN/GaN MQWの青色LEDの特性における分極電荷の効果の有無を比較。（バンド図(band diagram)、ELスペクトル(EL spectrum)、I-V特性(I-V curve)、内部量子効率(IQE: internal quantum efficiency)）また、構造の最適化を検討。（インジウム(In: indium)組成の依存性、量子井戸(quantum well)数の依存性、量子井戸(well)/障壁層(barrier)の厚さ依存）
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
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半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D
新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高共振構造も正確に解くことが可能、解析の応用例が広がりました
＜主な特徴＞ ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数（１次、２次のグレーティング） ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■２次グレーティングDFBレーザーについての表面放出モード分布の計算 ■異なる縦モードに対する出力と周波数変化 ■サイドモード比、線幅、線幅と出力の積、有効α、２次調和歪み、 表面放出出力（２次グレーティングDFB） ■異なるレーザー面と任意のバイアス条件でのモード出力スペクトル ■異なるバイアス条件と時間におけるモード出力スペクトル ■任意のバイアス条件におけるAM/FM微小信号変調応答、FM/RINノイズスペクトル ■２次調和歪みスペクトル ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください
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プラントデジタルエックス株式会社
貴社のニーズにマッチしたAVEVAソリューションをご提案・ご提供いたします
AVEVA社のソリューションプロバイダーとして、”プラントエンジニアを中心としたメンバー”によるAVEVA Process simulation(APS)を活用したエンジニアリングサービスを提供。 APS活用により研究開発から保全まで生産活動の色々な場面でお客様のサポートを行っています。 従来のプロセスシミュレーターでは実現できなかった様々な課題を解決致します。
- 企業：第一実業株式会社 経営企画本部
- 価格：応相談
