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種々の微弱光の高速測定に最適なゲイン可変フォトレシーバ
■変換効率は103～1011V/W範囲から設定でき、AC/DCカップリングも変更可能 ■手動／PCによる光アイソレートリモートの両方でコントロール可能 ■低ノイズなマルチステージアンプデザインと切替え可能な10Hzローパスフィルタにより、最小100fWレンジまでの光パワーを高い精度で測定でき、信号の平均化も不要 ■高い安定性、ドリフトの低減、及びNIST標準に基づく校正により、最大ゲイン設定でも安定性の高い正確な測定を保証 ■産業プロセス管理や品質検査システムにおける高速フォトディテクタやロックインアンプシステム用光フロントエンドなどに最適 ■最大バンド幅は500kHzで、サブマイクロ秒までの時間分解測定にも利用できる
SLEDは応用範囲が広く、通信，医療，センシング，防衛などの分野で使用されておりますASEブロードバンドライトソースです。
【広帯域光源モジュール(ASE) 光通信波長帯】 ■高出力・高出力安定性・均一性の高いパワー密度 ■アナログ／デジタルモジュレーションに対応 ■カスタム相談可
◆ 波長 : 915, 976nm◆ 出力 : 150W◆ ファイバ：200/220･NA0.22◆ ファイバ長：5m
Focuslight社のFlux-Sシリーズレーザは、ファイバレーザポンプソース，レーザ半田つけ，プラスチック溶接，物質表面トリートメントを用途として開発されたレーザ光源です。パッケージもスタンドアローン式，OEM式から選べるため、研究機関の研究用途及び装置組込用として便利に使用可能です。また空冷式で150Wのオペレーションができますので、設備の面倒なチラーの設置も必要ございません。 Focuslight Technologies 社は2007年に中国 西安に創立された高出力半導体レーザ専門の会社です。Xi’an (China), Dongguan (China), Haining (China) 及び Dortmund (Germany)に38,500m²(8,700m² clean room)の生産拠点を有し、光学レンズの生産、表面処理、メタリゼーション、パッケージング、光学アッセンブリ、システムインテグレーション等を行っています。
■偏向依存タイプ（レーザー光が直線偏向）・偏向無依存タイプ（レーザー光がランダム偏向）どちらに関しても準備をしております。
フリースペースアイソレータはレーザー戻り光の防止に使用されております。偏向依存タイプ（レーザー光が直線偏向）・偏向無依存タイプ（レーザー光がランダム偏向）どちらに関しても準備をしております。 CASTECH社はこのフリースペースアイソレータ内で使用される磁気光学結晶を自ら製造して高品質のフリースペースアイソレータを製造販売しております。これにより波長帯域（355-4500nm）のレーザーに対応した製品供給が可能です。 ◆フリースペースアイソレータ ◆磁気光学結晶製造 ◆355-4500nm対応 CASTECH社は高品質な光学結晶・レーザー結晶を30年以上渡り供給し続けていますが、その技術を応用しましてレーザーコンポネント製品の供給を開始いたしました。（内部で使用している結晶・オプティクスはCASTECH社製造です）特徴のあるレーザーコンポネント（アイソレータ，光弾性変調器，AOM，EOM 等）を実験・製品にお役立てください。
◆波長可変レーザ用に最適化(1270-1670nm) ◆低挿入損失 ◆コンパクトサイズ ◆高アイソレーション性能
波長可変光源用に最適化された光アイソレータをご提案します。 ［パラメーター：デュアルステージ］ 中心波長：1270-1610nm アイソレーション(λc 23℃)： ＞52dB 挿入損失(λc 23℃)： ＜0.90dB アパーチャー：0.4-3.0mm 入力パワー：500mW オペレーション温度：-40~85℃ 保管温度：-40~85℃
◆DFBレーザ FPレーザー◆1610/1625/1650nm標準ラインナップ◆測定機組込用などで高いOEMの実績
波長1600nm〜(Uバンド)のDFB光源です。 TO-CANパッケージ品。ファイバピッグテイル付も有ります。 Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた技術と標準ラインナップを持ち、通信、医療、加工、保守などの幅広いアプリケーションで応用されています。
Siny Optic-com社は、光アイソレータ及び光アイソレータを含むファイバコンポネントの製造販売を行う中国深センのメーカー
■高いアイソレーション ■低挿入損失 ■コンパクトサイズ ■波長：1650nm ■センサー ■ガスディテクター
高速フォトダイオードとFemto社製高速カレントアンプの技術を組合わせた200MHzフォトレシーバ
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製の二種類で、波長域はそれぞれ320～1000nm／900～1700nm ■トランスインピーダンスは2×104V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデルで1550nmで2×104V/W ■洗練されたDCカップルマルチステージアンプ設計により、最小立上り時間1.8nsに相当するバンド幅DC～200MHzの測定が可能 ■最小NEP値は約6pW/vHzで、μWレンジの光パワーシグナルも余計な平均化を行うことなく検出できる
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード、赤外フォトディテクタを製造している世界的な会社
■小口径：40μm ■波長感度域：800nm～1800nm ■リニア及びガイガーモード動作 ■高感度 ■高信頼性ファイバピグテール(シングル／マルチモード) ■電子冷却可能 ■各種パッケージ：TO-46、サブマウント
InGaAs Avalanche PD
■有口径：80μm～350μm ■感度波長範囲：900nm～1650nm ■リニア動作 ■高感度向け低暗電流 ■高速向け低キャパシタンス ■高信頼性ファイバピグテール(シングルモード／マルチモード) ■パッケージ：ボールレンズ付サブマウント、TO-46
光アイソレータを小ロットからお客さまの要求仕様に合わせてご提案します
■100Gフリースペースアイソレータ ■ノンマグネティックパッケージ ■コンパクトサイズ(超小型サイズ) ■高温対応(150℃) ■100G CLR4 ■ロングホールハイスピードモジュール
最先端のフォトダイオードと低ノイズ・カレントアンプの技術を組合わせた、大口径の400kHzフォトレシーバ
■使用しているフォトダイオードはSi製またはInGaAs製で、波長域はそれぞれ400～1050nm、900～1700nm ■トランスインピーダンスは107V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデルで9.5×106V/W @1550nm ■最小NEPは約75fW/Hzで、ナノワットレンジの光シグナルが余計な平均化をすることなく測定できる
◆PER：≤1.2dB (0.5dB typ) ◆低電流：≤100mAオプション有 ◆COS & 8pin BTFパッケージ有
◆Low Degree of Polarization(低偏光度型) 低偏光度型 (Low Degree of Polarization) SLED光源です。 本シリーズは偏光度が低く抑えられております。 偏光度の低い光源を使用することで測定に不要な揺らぎや誤差を低減し、より堅牢なセンシングエレメントにつなげます。 Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた技術と標準ラインナップを持ち、通信、医療、加工、保守などの幅広いアプリケーションで応用されています。
OE-300フォトレシーバは、プレミアム品質のフォトダイオードとそれに続くハイエンドの可変利得トランスインピーダンスアンプで構成
■低ノイズ性能(NEP)は優れており、特に高域及び中域のゲイン設定で広帯域フォトレシーバのベンチマークを設定 ■比較的大きなサイズの検出器は光学アライメントを容易にし、オプションで利用可能な光ファイバアダプタPRA-FC／SMAとともにSiモデルを使用する場合、非常に高い結合効率も保証 ■102～108V/A(10進単位)の切り替えが可能なゲインは、ナノワットから最大10mWの光パワーまで、非常に広いダイナミックレンジで正確な信頼性の高い測定を可能にする ■切り替え可能なローパスフィルタ、オフセット調整、切り替え可能なAC/DCカップリング、PCによる手動及び光絶縁リモコン機能など、多くの追加機能により、OE-300は同クラスの最も汎用性の高い広帯域フォトレシーバ
