半導体のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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半導体(mosfet) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年11月05日~2025年12月02日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

半導体の製品一覧

16~30 件を表示 / 全 90 件

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パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現!

新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42%低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89%低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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産業&車載用温度センサー搭載 Nチャンネル パワーMOSFET

強化された保護機能!正確で迅速な長期モニタリングが可能です

『産業&車載用温度センサー搭載 Nチャンネル パワーMOSFET』は、 接合部温度の検出精度と堅牢性を高めるとともに、容易な実装と 機能安全を実現する製品です。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSのライン 整流などの産業用アプリケーションや、バッテリーディスコネクト、 eFuse、オンボードチャージャーなどの車載アプリケーションに好適。 また、温度センサーにより、CoolMOS S7の機能が強化され、パワー トランジスタを最大限に活用できます。 【主な特長】 ■最適化された価格性能比 ■低周波スイッチングに好適 ■寄生ソースインダクタンスを低減 ■シームレスな診断 ■正確で迅速な長期モニタリング ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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半導体『OptiMOS5 25Vおよび30VパワーMOSFET』

高い電力密度とエネルギー効率を実現!ベンチマークソリューションを提供します

『OptiMOS5 25Vおよび30VパワーMOSFET』は、2つのパーツを1つのOリング アプリケーションで交換できる半導体です。 当製品によりインフィニオンは、待機時およびフル稼働時の両方で高い 電力密度とエネルギー効率を実現し、ベンチマークソリューションを提供。 こうした最高クラスのMOSFETを、SuperSO8パッケージで提供しています。 【特長】 ■非常に低いオン抵抗RDS(on) ■100%雪崩テスト済み ■優れた耐熱性 ■Nチャネル ■鉛フリープレート、RoHS対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V

将来の車載設計向けの高い電力効率と0.39mΩの超低Ronを実現!

『車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』は、インフィニオンの 新しい車載用MOSFETハイパワーMOSFETパッケージファミリー製品です。 また、従来のOptiMOS 6に比べて、Ronが25%向上。OptiMOS 7は、 業界最小クラスのオン抵抗で、パッケージ抵抗がきわめて低い高効率 sTOLL 7×8mm2リードレスパッケージで、最高クラスの電力密度と エネルギー効率を実現。 また、広い安全動作領域(SOA)で、リードレスパッケージ(銅クリップ) の 堅牢な車載用パッケージ設計です。 【主な特長】 ■7×8mm2というパッケージサイズに、0.39mΩのきわめて  低いドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)) ■最大電流耐量280A ■高いアバランシェ耐量 ■広い安全動作領域(SOA) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載!高い放熱性能

当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30%と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • キャプチャI3-2.PNG
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電源用パワー半導体・IC『電動アシスト自転車』向け

高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、電動アシスト自転車のバッテリー充電回路やモータ駆動回路を迅速設計!

コンセントからの充電回路には絶縁フライバックやPFC+ハーフブリッジなど容量に合わせて回路をご提案します。バッテリーによるモータ駆動回路には、インバータモジュールと各種ダイオードをご提案できます。新電元工業はブリッジダイオードで世界上位シェアを誇る半導体メーカーです。 快適な移動をサポートする「電動アシスト自転車」は、電源回路の省資源化と省エネ化でバッテリー容量を有効活用し、軽量化にも貢献できます! 新電元パワー半導体は家電製品でもモビリティでも実績豊富です! ■新製品の開発は最新の電源回路で! 電源回路がバシッと決まりますと、気持ちの良い新製品に仕上がります。 新電元工業では、皆さまが高品質な電源回路を迅速に構築できるよう、ブリッジダイオードからパワーMOSFET・パワーICなど、白物家電やデジタル家電まで幅広い用途に応じたパワー半導体を多数ご用意しております。機器の省エネ化・省スペース化は、電源エキスパートの新電元工業にご相談ください。 高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワーデバイスは、高電圧や高電流の回路に適した低損失&合理化設計。電源回路提案に強い!

  • ダイオード
  • トランジスタ
  • 専用IC

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産業&車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V

使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です

『産業&車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V』は、最高 クラスのシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 最高クラスの効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高い システム設計を実現。 革新的な上面放熱パッケージは、当製品の強みをさらに強化し、 高密度化、最適化された電源ループ設計、システムおよびアセンブリ コストの削減を実現します。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100%アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【資料進呈】インフィニオンのMOSFETおよびIGBT製品

メーカー認定の重要なパワーマネジメント、パワーディスクリート、マイクロコントローラ、メモリ /製造中止品(EOL品)の再生産

ロチェスターエレクトロニクスは、15年以上にわたりインフィニオン・テクノロジーズとのパートナーシップを締結し重要な製品であるMOSFETおよびIGBT製品の現行品および製造中止品、どちらも認定を受け正規品として在庫を保有しております。 現在の在庫は、4、000万個のMOSFET、440万個のIGBT、77、000個のIGBTモジュールで、これらの多くは現在リードタイムの延長や入手困難な状況に置かれています。さらに、ロチェスターは電源管理製品、ゲートドライバ、RF/マイクロ波ディスクリート、メモリ製品、マイクロコントローラなどの豊富な在庫を保有しています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

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OptiMOS 5 60V パワーMOSFET

SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載!並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現

『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 2023-04-18_10h54_01.png
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MOTIX BTN9990LV

ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応!コストの最適化を実現

『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、  ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V~18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 4-2.PNG
  • 専用IC

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パワーMOSFET CoolSiC G1 750 V

使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です!

新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100%アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V

インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品!

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V

インフィニオンの新しい車載用MOSFETテクノロジー!

当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25%向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(=RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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Analog Power Inc

低電圧MOSFET

アナログパワー社は、パワーマネジメントに特化し、お客様に最適な製品を生産することを目的に、2002年に設立されました。米国(カリフォルニア州サンノゼ)、香港、台湾にオフィスを構え、世界の半導体市場のほとんどをカバーする広範な代理店網を有しています。 業界をリードする製造パートナーを利用することで、アナログパワー社の製品は、市場の大規模かつ多様なベンダーと同じ基準で製造されています。アナログパワー社の社員は顧客志向で、パワー半導体の経験を持つエンジニアの割合が高い。

  • トランジスタ

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電源用パワー半導体・IC『冷蔵庫/洗濯機』向け

高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、冷蔵庫や洗濯機の操作パネル電源や小型モータ駆動回路を迅速設計!

冷蔵庫や洗濯機は、操作パネルの他にモーターやコンプレッサーなどの駆動回路、ヒーターなどの複合的な要素が特徴的です。操作パネル周辺の絶縁電源回路や、モーター駆動用のドライバIC、インバータモジュールなど、総合的な提案が可能です。 家電製品は省エネ性能や省資源が大きなアピールポイントとなっており、パワー回路周辺はなるべくコンパクトに抑えたいところ。専用ICやインバータモジュールで、実装体積も部品点数も削減できます。 新電元パワー半導体は家電製品でも実績豊富です! ■新製品の開発は最新の電源回路で! 電源回路がバシッと決まりますと、気持ちの良い新製品に仕上がります。 新電元工業では、皆さまが高品質な電源回路を迅速に構築できるよう、ブリッジダイオードからパワーMOSFET・パワーICなど、白物家電やデジタル家電まで幅広い用途に応じたパワー半導体を多数ご用意しております。機器の省エネ化・省スペース化は、電源エキスパートの新電元工業にご相談ください。 高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワーデバイスは、高電圧や高電流の回路に適した低損失&合理化設計。電源回路提案に強い!

  • ダイオード
  • トランジスタ
  • 専用IC

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