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IGBT(5v) - 企業3社の製品一覧

製品一覧

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650V XPT Gen5ディスクリートIGBT

低、中、高速スイッチングのアプリケーションに最適化された新しいGen5IGBT

『650V XPT Gen5ディスクリートIGBT』は、独自のXPT薄ウェハ技術と新しい 第5世代トレンチIGBTプロセスを使用して開発された製品です。 熱抵抗が低く、エネルギーの損失が少なく、高速スイッチングが可能で、 テール電流が低く、高い電流密度を持っています。 また、ゲートチャージも低く、ゲート駆動要件を低減するのに役立ちます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、  A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC=110℃において最大220Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内蔵

Infineon 1350V 保護IGBT Fシリーズ 詳細: 保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V 20A IGBTと 独自の保護ゲートドライバICを組み合わせた製品です。 利点: ■ しきい値を超えてオンする事でボードの複雑さとコストを低減 ■ ボードの複雑さを軽減し、ソリューション全体のコストを削減 ■ ボード上の複雑さとデザインインの手間を軽減 ■ シンプルなBOMとトータルショリューション用コストの削減

  • トランジスタ

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IGBTモジュール 1700 V/1200 A

すべてのアプリケーションタイプと出力範囲に同じプラットフォームを使用することで、製品の迅速な市場投入が可能!

IGBT5と.XTを搭載した当製品は、要求されるシステムの可用性と長期耐久性に 加えて、高い信頼性と堅牢性に応えます。 より高い電力密度を可能にし、.XT相互接合技術はサーマルサイクルおよび パワーサイクル能力の向上により寿命を延ばします。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■低インダクタンスの設計向けに最適化 ■動作時の最大ジャンクション温度を拡張 ■Tvjop = 175℃ ■IGBT4に比べて出力電流を25%以上増加 ■銅ボンディング接合による高い通電能力 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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