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堅牢な設計！スイッチング損失低減と冷却設計の効率化に貢献する高速動作
『AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2』は、xEV トラクション インバーター用に 設計されたインフィニオン車載用750V EDT2 ディスクリートIGBT、 To247PLUSパッケージです。 並列化により、異なる電力クラスのインバーターを同一製品で対応でき、 電力の拡張性とコストの最適化が可能。 470Vdcシステム対応のベンチマーク品質とスイッチング性能があります。 【特長】 ■コレクターエミッター間耐圧750V ■スムーズなスイッチング特性 ■きわめて低いVCE(sat)、IC(nom)=200Aで1.30V ■高い短絡耐量 ■きわめて緻密なパラメータ分布 ■低ゲート電荷QG ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高性能で高い堅牢性と信頼性！小型インバーター設計が可能です
当社が取り扱っている『シングルスイッチIGBTモジュール 6500V/1000A』 についてご紹介いたします。 GBT4トレンチフィールドストップ技術を使用した製品となっており、 HVDC-VSC、トラクション、産業用アプリケーションに好適なソリューション。 また、標準パッケージ、低電力損失で小型インバーター設計が可能という 利点があります。 【主な特長】 ■低 V(CEsat) ■AlSiCベースプレート ■最小ストレージ温度：−55℃ ■CTI ＞ 600のパッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
外付けの電流センサーからの置き換えが可能！システム設計の簡素化、システムコストの削減を実現
当製品は、EconoDUAL3パッケージの新しいTRENCHSTOP IGBT7 モジュールです。 シャント、Emitter Controlled 7ダイオード、NTC、PressFIT コンタクト技術を搭載。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■電流計測用シャント抵抗を内蔵したEconoDUAL 3 ■IGBT4または先進のIGBT7テクノロジーを搭載 ■最大電流750Aまで対応可能(IGBT 7) ■過負荷時のTvjopは最大175℃(TRENCHSTOP IGBT7) ■PressFITコントロールピンとねじ止めパワー端子 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
TRENCHSTOP IGBT7および1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載！
当社で取り扱っている「F3L600R10W4S7F_C22」についてご紹介いたします。 内部のANPCトポロジーは、DC1500Vのソーラーストリングインバーターに 好適で、1枚のモジュール構成で最大350kWを実現します。 他のEasyシリーズと同じ高さ12mmのパッケージのため、お客様の設計に 合わせたアップグレードが容易に行えます。また、ケーブルなどの部品が 少なくて済むため、システムコストを削減することができます。 【特長】 ■新しいEasy4Bパッケージ ■ANPCトポロジー ■950V TRENCHSTOP IGBT7と1200V CoolSiC ショットキーダイオード ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高電圧モジュール
DYNEX社のIGBTモジュールは、大型電流では3600A対応のものまであり、IGBTインバーターのフリーホイル・ダイオードとして使用されるファースト・リカバリ・ダイオード・モジュールも20機種取り揃えている。生産ラインの特長としては単体スイッチのほか、チョッパ、2個入り、半ブリッジ、双方向性（マトリックス型）など多種にわたる上に、機能性でも標準型、トレンチゲート型（低ロス）、ソフトパンチスルー型（高信頼性）の各種を調えている。
【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IGBT】
BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。
SCデバイス中で高い熱性能を提供！ハードスイッチングアプリケーションに特化して設計！
『1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7』は、フル定格で非常にソフトな ダイオードを内蔵した製品です。 VCE（sat）の低減、制御性の向上、SCデバイス中で高い熱性能を提供し、 HV-H3TRBと宇宙線耐性により堅牢性が向上。 産業用モータードライブ、産業用電源、ソーラーインバーターなどの 短絡耐量が求められるハードスイッチングアプリケーションに特化して 設計されています。 【特長】 ■フル定格のソフトで低Qrrのダイオードを搭載したIGBT ■低飽和電圧VCE（sat）＝2.0V（Tvj＝175℃） ■ハードスイッチングトポロジーに最適化（2レベルインバータ、3L NPC Tタイプ） ■短絡耐量：8μsec ■8A、15A、25A、40A、50Aのデバイスをラインアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高効率なシステム設計！過負荷およびフォールトの状態に対する比類のない堅牢性
『シングルスイッチIGBTモジュール 4500V/1200A』は、TRENCHSTOP IGBT4 およびエミッターコントロールダイオード4を標準パッケージ(140×190mm2)に 搭載し、前モデル同様にS7独自の機能の有無が選択できる製品です。 MVD、T＆D、輸送など、産業アプリケーションの現状および将来的な要件に 対応するよう、当社の新しいチップ世代にアップグレードされました。 また、前モデルの“FZ1200R45HL3”とは機械的特性が同じで、電気特性も きわめて近いため、移行が簡単です。 【主な特長】 ■四角形の逆バイアス安全動作領域(RB-SOA) ■高い宇宙放射線耐性(100 FIT @ 2900 V) ■高いTC耐量(30,000 サイクル@ DTc ＝ 80 K)および PC耐量(2百万サイクル@ DTj ＝40 K) ■火災防護規格EN45545-2 R22, R23：HL3取得 ■高い出力実効電流で低い導通損失 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子
1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー
高耐圧製品ラインアップを拡充！対象アプリケーションに併せて好適設計
当製品は、IGBTパワー半導体を使用した大電力システムの現在 から将来までのさまざまな要件を満たすよう設計されています。 外気に対する堅牢性、幅広いクランプ力を実現。 この新しいプレスパックIGBTは、フリーホイーリングダイオード 内蔵品は定格2000A品、非内蔵品で定格3000A品をご用意しており、 対象アプリケーションに併せて好適設計されています。 【特長】 ■4.5kV Trench IGBTチップ ■長期にわたる故障時短絡特性 ■圧接設計 ■密封パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高電力密度製品のラインアップ拡張！クラス最高レベルの低い導通損失
当社で取り扱う「デュアルIGBTモジュール 1200V/1600A」について、 ご紹介いたします。 TRENCHSTOP IGBT7技術を搭載したドライブおよびCAVアプリケーションが ターゲット。 PrimePACK2 1600Aは、同一パッケージで電流出力が77％向上し、 PrimePACK3よりもフレームサイズを縮小できます。 【特長】 ■先進TRENCHSTOP IGBT7チップ技術 ■スイッチング周波数1kHz～2.5kHzでクラス最高レベル ■パッケージ絶縁VISOL 4kV ■高い耐湿性と耐硫化水素(H2S) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
SOT-223パッケージ搭載！ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向け
当社の「TRENCHSTOP RC-D2 600V パワーIGBT」をご紹介いたします。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術。 低電力ドライブアプリケーション用に手ごろな費用でプラグアンド プレイソリューションを提供します。 【特長】 ■向上した耐湿性 ■高コレクタエミッタ電圧600V、3μS SCWT定格 ■20kHzまでの動作範囲 ■優れた制御性 ■新コスト・性能基準 ■SOT-223パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低スイッチング損失！手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供します
SOT-223パッケージ搭載600V TRENCHSTOP『600 V RC-D2』をご紹介します。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術は、幅広い低電力ドライブアプリケーション用に 手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供。 向上した耐湿性をはじめ、20kHzまでの動作範囲、優れた制御性、新価格・ 性能基準といった特長を持つ製品です。 【特長】 ■競争力のある価格で低スイッチング損失 ■コントロール性の向上 ■耐湿性の向上 ■製品の設計が容易：SMDのDPAKおよびSOT-223パッケージへドロップイン交換 ■SOT-223でSMAのインバータ化が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
鉄抵抗RthJCの低減は、熱設計の簡素化ができます
『1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT』は、低、中、高速スイッチングの アプリケーションに最適化された新しいGen4IGBTです。 XPT薄型ウェハ技術と第4世代トレンチIGBTプロセスを搭載したこれらの 1200Vデバイスは、ゲート駆動要件と導通損失の低減に貢献します。 また、低い熱抵抗、低損失と高電流密度が特長です。 さらに、コレクターエミッタ電圧の正の温度係数により、複数のデバイスを 並列に使用することができます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大140Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ■鉄抵抗RthJCの低減により、熱設計の簡略化が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低、中、高速スイッチングのアプリケーションに最適化された新しいGen5IGBT
『650V XPT Gen5ディスクリートIGBT』は、独自のXPT薄ウェハ技術と新しい 第5世代トレンチIGBTプロセスを使用して開発された製品です。 熱抵抗が低く、エネルギーの損失が少なく、高速スイッチングが可能で、 テール電流が低く、高い電流密度を持っています。 また、ゲートチャージも低く、ゲート駆動要件を低減するのに役立ちます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大220Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
