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MOSFET(3v) - メーカー・企業と業務用製品 | イプロスものづくり

更新日： 集計期間:2026年09月02日～2026年09月29日
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MOSFETの製品一覧

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最新パワーソリューション製品のラインアップ【Cystek】

最新パワーソリューション製品のラインアップ【Cystek】

電源用途に向けたパワーMOSFET製品の製品紹介

【BOOST MOS】 用途：昇圧型DC-DCコンバータ等 パッケージ：TO-252、TO-220FP 耐圧：100V～250V 特徴：低R<sub>DS(ON)</sub>、高電流対応、低Qg 【BUCK MOS】 用途：降圧型DC-DCコンバータ パッケージ：TO-220FP 特徴：超低オン抵抗（5.3mΩ～） 【SR MOS（シンクロナス整流用MOS）】 用途：整流段における効率向上 特徴：高速スイッチング、低Qg 【Power Saving MOS】 超低電流用（例：0.033Aクラス） 小型SOT-23パッケージ 【Power Switch MOS】 用途：電源ラインのON/OFF制御 パッケージ：DFN3x3、SOP-8など多様 特徴：低オン抵抗・高電流制御対応 【Signal Switch MOS】 小電流・低電圧向けスイッチ用途 超小型パッケージに対応（SOT-23など） 【GaN/SiC WBGデバイス】 GaN HEMTおよびSiC SBD（ショットキーバリアダイオード） 650Vクラスなどの高耐圧製品を予定

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Microsemi社　シリコンカーバイド製品ラインアップの紹介

Microsemi社　シリコンカーバイド製品ラインアップの紹介

使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さ！

Microsemi社は、Silicon Carbide（シリコンカーバイド）チップを独自開発 しています。 ラインナップはMOSFET（700V、1200V、1700Vクラス）およびSCHOTTKY DIODE（650V、1200V、1700V）です。 使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さがあ り、また高周波動作においても優れた動作性能を発揮します。 【特長】 ○カタログ標準品だけでな くお客様のアプリケーションに最適化した 　カスタムモジュールの提案を行う ○カスタムモジュール開発においては、チップ、回路形態、パッケージ形態、 　放熱素材、で多様な選択肢を用意 ○お客様の要望に最適なモジュールの設計提案～量産供給を行う 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有

インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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SOT-89パッケージ大電流MOSFET

SOT-89パッケージ大電流MOSFET

小型PKG（SOT-89）MOS-FET大電流製品群をラインナップ！

当社の小型PKG(SOT-89)　MOS-FETラインナップに今までになかった大電流で使用できる製品を新たに追加いたしました。 開発品種においては、特性、早見表および互換表をご確認ください。 また互換表においてはRE社製品のEOLに伴い相当品としてピックアップしておりますのでご参照ください。

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『CSD15380F3』

『CSD15380F3』

20V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD15380F3』

『CSD15380F3』 は、20V、990mΩ、N-チャネルの FemtoFETMOSFETで、多くのハンドヘルドおよび モバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。 容量が非常に小さいため、高速にスイッチングを実行できます。データライン・アプリケーションで 使用するとき、容量が低いことからノイズ・カップリングを最小に抑えられます。 標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えて、フットプリントを大幅に減らすことができます。 【特長】 ■非常に低いCiSSおよびCOSS ■非常に低いQgおよびQgd ■超小型フットプリント：0.73mm×0.64mm ■超薄型プロファイル：最大高0.35mm ■鉛およびハロゲン不使用 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。

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Nチャネル パワーMOSFET 60 V～200 V

Nチャネル パワーMOSFET 60 V～200 V

同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー！

インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

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200VウルトラジャンクションX4クラスMOSFET

200VウルトラジャンクションX4クラスMOSFET

熱設計が簡略化され、より高い効率を実現できます

『200VウルトラジャンクションX4クラスMOSFET』は、高効率アプリケーションに 好適な低RDS(on)MOSFETです。 当製品は、TO-220、TO-247-3L、TO-263とよびTO-268HVパッケージで、 60～220Aの公称定格電流でご利用いただけます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【メリット】 ■低イオン抵抗RDS(on)により導通損失を低減 ■低い熱抵抗RthJCにより熱設計が簡略化 ■高アバランシェエネルギー容量EASがもたらす高いサージ耐量 ■ゲート電荷量Qgの減少によるゲートドライバ要件を低減 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現！

新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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OptiMOS 5 60V パワーMOSFET

OptiMOS 5 60V パワーMOSFET

SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現

『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 2023-04-18_10h54_01.png
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OptiMOS6 パワーMOSFET 40Vノーマルレベル

OptiMOS6 パワーMOSFET 40Vノーマルレベル

不要なターンオンに対する堅牢性をさらに高めることができる半導体です！

『OptiMOS6 パワーMOSFET 40Vノーマルレベル』は、ノイズの多い環境でも 誤作動を起こさないノーマルゲート駆動の半導体です。 QGD/QGS比を小さくすることで、ゲート電圧スパイクのピークを抑え、 不要なターンオンに対する堅牢性をさらに高めることが可能。 「ISC007N04NM6」は、0.7mΩという非常に低いRDS(on)を実現しています。 【特長】 ■Nチャネル-エンハンスメントモード ■ノーマルレベルのゲートスレッショルド2.3V(Typ.) ■175℃ジャンクション温度(Tj) ■dv/dtイミュニティに最適化された電荷比QGD/QGS＜0.8 ■低いゲートチャージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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高耐圧Nチャネル型MOSFET『INK013EAP1』

高耐圧Nチャネル型MOSFET『INK013EAP1』

スイッチング電源の軌道回路に最適！

INK013EAP1は最大定格 VDSS=500V、ID=0.5A、SOT-89 パッケージのNチャンネル型MOSFETです。この最大定格VDSSは当社 においてトップクラスであり、スイッチング電源の制御ICに駆動電力を供給 する起動回路に最適な素子となっております。

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ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET

ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。

アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

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【Nexperia：PSMN041-80YLX】

【Nexperia：PSMN041-80YLX】

【電子部品の調達支援】生産中止品（EOL品）や入手困難な電子部品・半導体の緊急調達をサポート！徹底的な検査体制を整備。

【こちらの型番製品をお探しですか？】 ■メーカー名：Nexperia ■型番名：PSMN041-80YLX オーエン株式会社は、生産中止や納期トラブルにより入手困難になった電子部品を 世界中のネットワークからスピーディーに緊急調達いたします。 必ずお見積書を発行いたしますので、発注前に詳細を確認できて安心です。 市場流通在庫を20年にも渡り見続けてきたベテラン検査員が検査を行い、 合格品のみを出荷します。全ての納品物には検査報告書を同封します。 【当社の検査体制】 ■X線検査 非破壊検査で内部構造を確認し、模造品や粗悪品を検出します。 ■マイクロスコープ リード曲がりや、印字フォントの違和感も細かく確認します。 ■デジタルノギス 100分の1mm単位の寸法測定で、巧妙に作られた模造品を検出します。 ■カーブトレーサー 端子間の電圧・電流の特性波形を画面上に表示し、不良品を検出します。 ★下記のリンクから当社ウェブサイトをご覧ください。 ★下記のダウンロードボタンからは、当社の会社案内をご覧いただけます。 ▼その他お問い合わせ可能な型番は、下記ラインナップをご参照ください。

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