Last Updated： Aggregation Period:2026年08月19日～2026年09月15日
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DTA114EKAの代替・セカンドソースに｜内蔵抵抗で回路設計を簡素化
DTA114EKAは、入力抵抗（R1）およびベース-エミッタ間抵抗（R2）を内蔵したPNPデジタルトランジスタです。 外付け抵抗が不要なため、回路設計の簡素化や部品点数削減に貢献します。 SOT-23-3L（SC-59）パッケージを採用し、産業機器、家電、制御基板など幅広い用途に対応しています。 株式会社アクアスでは、JSCJ製DTA114EKAの供給をはじめ、ローム・東芝・onsemi製品からの代替提案、セカンドソース対応、量産向け調達をサポートしています。生産終了（EOL）対策やコストダウンをご検討の際もお気軽にご相談ください。
UMH1N・EMH1・RN1902の代替に対応したデュアルデジタルトランジスタ。22kΩ内蔵で既存設計をそのまま置き換え可能です
本製品は、UMH1N（ROHM）、EMH1およびRN1902（東芝）に対応するデュアルデジタルトランジスタです。22kΩ / 22kΩの内蔵抵抗を備えたNPN×2構成で、SOT-363パッケージを採用し、小型・高密度実装に対応します。外付け抵抗が不要なため、部品点数削減や回路設計の簡素化に貢献します。 既存設計を大きく変更することなく代替可能であり、セカンドソース確保、長納期対策、BCP対応にも有効です。ロジック回路やスイッチング回路、マイコン周辺回路など幅広い用途に適しています。 図面・使用中の型番をご共有いただければ、最適な代替品の選定や技術的なご提案が可能です。サンプル提供、仕様確認、見積対応まで一貫してサポートいたします。
高信頼・高ゲインのアナログ／スイッチング素子｜互換品・代替品として最適な高コスパ半導体
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJ のバイポーラトランジスタ（Bipolar Junction Transistor / BJT） は、アナログ増幅からスイッチング用途まで幅広く使用できる高性能半導体デバイスです。 多くの型番が 他メーカーの BJT と互換性があり、代替品としてそのまま使用できるため、既存回路の置き換えや量産コストの削減に最適です。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品お探しいたします、お気軽にお問合せください。
Tr1とTr2のhFEとVBEのペアリングを保証！
hFE1、VBEのペアリングを保証しており、差動増幅回路への適用が可能です。 また、AEC-Q101にも対応しております。 高耐圧・低出力容量となっており、オーディオ機器に最適です。
オン・セミコンダクターNTD20N06LT4Gトランジスター
電源、コンバーター、パワーモーター制御およびブリッジ回路の低電圧、高速スイッチングアプリケーション向けに設計されています。
航空宇宙用RFハイパワートランジスタ
○航空電子機器用パルストランジスタのラインナップをご紹介。 周波数：1,025 - 1150MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ（ASI）社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。
ハイサイドMOSFETのゲート駆動、オーディオアンプに最適！
高耐圧・低出力容量となっており、ハイサイドMOSFETのゲート駆動、高い電源電圧のディスクリートアンプ など、オーディオ機器に最適です。 複合タイプは、隣接チップを搭載することで、hFE、VBEのペアリングを 保証、差動増幅回路やカレントミラー回路への適用が可能です。
高耐圧のDC-DCコンバータのスイッチングに最適！
高電圧の環境に適応した300V以上の高耐圧バイポーラトランジスタ
高入力インピーダンス、低ノイズ！ゲート端子への逆バイアス電圧を使用して制御
『JFET』は、電流制御であったバイポーラトランジスタに代わって、 電圧制御素子として用いられています。 ゲート端子への逆バイアス電圧を使用して制御。 高入力インピーダンス、低ノイズが特長で低ノイズ増幅器回路、 インピーダンス変換などに使用されています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル JFET 2SK209-Y(TE85L,F) ■onsemi Nチャンネル JFET J113 ■onsemi Nチャンネル JFET J112 ■onsemi Nチャンネル JFET MMBFJ201 ■onsemi Nチャンネル JFET CPH6904-TL-E ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
重要な宇宙ミッション向けに小型・軽量な 回路を実現！
EPCSpace社は、GaN-on-Siパワーデバイスの大手EPC社と航空宇宙用途のDCDCコンバータを提供するVPT社との合弁会社です。 衛星および高信頼性アプリケーション向けにRad Hard GaN-on-Si トランジスタのソリューションを提供。 電源/光検出と測距(ライダー)/モーター駆動/イオンスラスターなど様々な用途で、宇宙での特殊な環境に対応します。 【製品】 ■Rad Hard GaN Packaged Discretes ・https://epc.space/products/gan-discretes/ ■Rad Hard GaN on Ceramic Adaptor ・https://epc.space/products/rad-hard-gan-die-on-ceramic-adaptor/ ■Rad Hard GaN Drivers and Power Stages ・https://epc.space/products/drivers-and-power-stages/ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現
『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
インフィニオン認定：製造中止品BTS555のソリューション・プロバイダー/製造中止品(EOL品)の再生産
高度に集積化されたPROFETファミリー（PROtected FET）は、幅広いスマート機能を備えています。 インテリジェントなPROFETパワーハイサイドスイッチは、DMOSパワートランジスタとCMOS論理回路で構成され必要なすべての保護機能を内部に備えています。 インフィニオンのスマート・ハイサイドパワースイッチBTS555は、PROFET ファミリー製品の一種です。 チャージポンプ、電力制御入力および負荷電流検出などの診断フィードバックを備えたNチャネル垂直パワーFETを内蔵し、Smart SIPMOSチップオンチップ技術に統合されています。 ロチェスターでは製造中止となった製品を多数在庫保有しております。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 ※詳細はぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
2SC1815代替トランジスタ｜東芝製ディスコン対策・セカンドソース対応JSCJ製互換品
2SC1815（C1815）は東芝製を代表する汎用NPNバイポーラトランジスタで、小信号増幅やスイッチング用途に広く使用されてきた標準型番です。TO-92パッケージを採用し、オーディオ回路やセンサー回路、リレー駆動など幅広い用途に対応します。しかし近年は生産終了や流通減少により入手性が悪化し、代替品やセカンドソースの需要が高まっています。本製品はJSCJ製の2SC1815互換トランジスタとして、近似特性とTO-92互換パッケージを備え、既存回路からの置き換えに対応可能です。コレクタ電圧・電流・hFE特性も近似設計されており、修理用途から量産切替まで幅広く使用できます。海外ネットワークを活用した安定供給により調達リスクを低減し、コストダウンにも貢献します。小ロット対応も可能で、設計変更を最小限に抑えた部品置換が実現できます。東芝製2SC1815の代替・ディスコン対策として最適なソリューションです。修理・保守・OEM切替などに対応し、電子機器の長期安定供給を支援します。代替品選定や技術相談も可能です。
【JSCJ デュアルデジタルトランジスタ】省スペース・高信頼の2回路内蔵タイプ｜互換品・代替品として最適
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJ のデュアルデジタルトランジスタ（Dual Digital Transistor） は、1パッケージに2つのデジタルトランジスタ回路を内蔵した高効率なスイッチングデバイスです。 多くの型番が 他メーカー製デュアルデジタルトランジスタと互換性があり、代替品としてそのまま使用できるため、既存回路の置き換えや量産コストの削減に最適です。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品お探しいたします、お気軽にお問合せください。
高周波トランジスタ(fT=1.1～8GHz)ラインナップ紹介！
弊社量産中の高周波トランジスタのご紹介です。 本製品はシリコン高周波プロセスにより製造されており、利得帯域幅積(fT)が高く、チューナーやキーレスエントリーの発振回路やイメージセンサーの増幅回路などの高周波増幅用途に最適です。 fTが1.1GHz、4.5GHz、8GHzのラインナップを取り揃えており、SC-59、SC-70、SC-75Aの小型パッケージであるため、セットの小型化、高密度実装が可能です。 また、高周波トランジスタは他社国内メーカーではEOLとなっている製品が多数ありますが、弊社では継続生産しておりますので、他社製品のEOLでお困りの方は、この機会に是非ご検討ください。
【JSCJ パワートランジスタ】高耐圧・高電流のスイッチング素子｜互換品・代替品として優れた高コスパ半導体
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJ のパワートランジスタ（Power Transistor） は、高耐圧・高電流に対応したスイッチング素子で、電源回路やモータ制御など負荷の大きい用途に最適な半導体デバイスです。 多くの製品が 他メーカーのパワートランジスタと互換性があり、代替品としてそのまま使用できるため、既存回路の置き換えや量産コストの削減に大きく貢献します。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品お探しいたします、お気軽にお問合せください。
【JSCJ デジタルトランジスタ】高信頼・高コスパの代替品として最適なスイッチング用半導体
当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 JSCJ のデジタルトランジスタ（Digital Transistor） は、抵抗内蔵型で扱いやすい高性能トランジスタです。 多くの型番が 他メーカーのデジタルトランジスタと互換性を持ち、代替品としてそのまま使用できるため、 既存回路の置き換えや量産コストの削減に最適な選択肢として注目されています。 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※代替品お探しいたします、お気軽にお問合せください。
誘導性負荷の駆動に最適。フリーホイールダイオードを削減可能！
抵抗入りトランジスタのコレクタ・ベース間にツェナーダイオードが接続（内蔵）されてお り、アクティブクランプ動作によりモーターやソレノイドドライブ時の逆起電力からトランジスタ を保護します。 また、抵抗を内蔵しているためマイコンからの直接入力が可能であること、 小型面実装外形となっていることから、セットの小型化・部品点数の大幅な削減に寄与 できます。さらに、定格電流が1.0Aと大きく、ドライバとしての使用にも最適です。
CWマイクロウェーブ RFパワートランジスタ
○GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップです。 米国ASI Semiconductor, Inc.（ASI）社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせに応じて、設計変更のための時間や手間をかけることなくご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。
H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載！無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる
『CGD65B240SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
パルスレーダー用RFパワートランジスタ
○パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 《UHFレーダ用》 ・周波数：400 - 500MHz 米国ASI Semiconductor, Inc.（ASI）社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。
放送局向け RFパワートランジスタ
○TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。 ・FM放送用 周波数 ：108MHz ・TV用 周波数 ：225MHz ・TV用 周波数 ：860MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ（ASI）社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ、設計変更のための時間や手間をかけることなく、 ご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。
事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！
『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
