1～4 件を表示 ／ 全 4 件
当たる光の量に応じて抵抗が変化！光相互作用プロジェクトで使用可能！
当社では、フォトレジスタ『ミニフォトセル』を取扱っています。 当製品は、従来のCDSフォトレジスタと比較して 環境に優しい材料(カドミウムと鉛なし)で作られています。 また、当たる光の量に応じて抵抗が変わります。 光相互作用プロジェクトで使用できます。 【仕様】 ■ヘッド直径：5mm（0.2"） ■電圧：5V ■消費電力：70mW ■動作温度：-25～+ 85℃ ■保存温度：-40～+ 100℃ ■ハンダ付け温度：260(<3秒)℃ ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
安全機能としてサーモスタットを搭載！冷却フィンへの取り付けが容易で様々な負荷パターンの電力消費に好適です。
『RG』は、安全機能としてサーモスタットを搭載した 様々な負荷パターンの電力消費に適したパワーレジスタです。 瞬時大容量負荷に適したセメントモールディングタイプで 仕上げられた巻き線抵抗素子を、薄型コンパクトのメタルケースで 覆うことにより、冷却フィンへの取り付けを容易にしました。 負荷dutyの高いインバータモータ回生負荷などをはじめとし、 緊急ブレーキ回路用抵抗器（DBR）、電源におけるコンデンサ 突入電流抑制用抵抗器など、様々な負荷パターンの電力消費に 適しています。 【特長】 ■安全機能としてサーモスタットを搭載 ■冷却フィンへの取り付けが容易 ■様々な負荷パターンの電力消費に好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
従来レベルの短い時間動作で消費電力と面積を低減
不安定なエネルギー供給下でも継続的な演算処理を可能にする間欠的コンピューティングのエッジデバイス実装において，不揮発記憶回路（不揮発レジスタ）を活用し、ローカルなデータ転送のみで内部状態を不揮発記憶処理できる不揮発ロジック回路構造が有望な選択肢となる。 従来の不揮発レジスタは、1ビット記憶回路（不揮発フリップフロップ、NV-FF）をビット数分接続する構成であり、1ビットあたり2個のMTJ素子を必要とするため、面積やエネルギーのオーバーヘッドが大きいという課題があった。これに対して発明者らは共有リファレンス方式（RLSS）という処理により消費エネルギーおよび面積を低減する効果をシミュレーションで確認したが、動作に必要な時間はレジスタのビット数に比例して増加するという新たな課題が生じた。 本発明は差分情報記憶方式（DISS）という方式を提案する。具体的には1ビットのデータを隣り合う2つのMTJ素子の抵抗状態の差分によって保持することで、バックアップ・リストアがそれぞれ2サイクルの動作で可能となり、消費エネルギーおよび面積の低減に加えて、動作時間も従来方式並みに抑える効果をシミュレーションで確認した。
シングル固定ヒートシンク搭載可能！フェールセーフ過負荷溶断後も高い絶縁性
『WDBR』は、ダイナミック ブレーキ、突入制限、およびスナバ回路に 好適な製品です。 最大7kWのピーク電力、低インダクタンス設計、およびフェイルセーフ 過負荷ヒューズの後でも高い絶縁を提供。 また、厚膜の導体と抵抗器のパターンを印刷、焼成し、高温の オーバーグレーズで保護します。 【特長】 ■スチール上の超薄型厚膜 ■最大7kWのピーク電力 ■シングル固定ヒートシンク搭載可能 ■ダイナミック ブレーキ、突入制限、スナバ回路に好適 ■フライングリードまたは、はんだ終端 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
