更新日： 集計期間:2025年08月06日～2025年09月02日
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高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定
発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を特定する例を紹介します。
ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります
市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。
AEC-Q101規格もクリアしている高Vthの650V GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。
車載向けに高Vth、高信頼性、高パワーのGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタをご用意しました。
汎用品向けのJEDEC規格高信頼GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。
ハイパワー向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。 安全にドライブできるように高Vthとなっております。
現行品および製造中止品(EOL品)への継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターエレクトロニクスはSTマイクロエレクトロニクスとパートナーシップを締結しております。 このパートナーシップの下、ロチェスターではSTマイクロエレクトロニクスの設計に対して拡張された製品ライフサイクルの管理を提供しています。 これには供給が制限される時期における現行品である重要な部品のサポートや、下記の製品における製造中止品(EOL品)の継続的な供給が含まれます： ・産業用・車載用パワーマネジメント製品 ・パワートランジスタ(IGBT、シリコンカーバイド・パワーMOSFETなど) ・保護製品 ・アンプ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
20億個以上のトランジスタとゲートドライバICを保有 /製造中止品(EOL品)の再生産
IGBT、MOSFET、バイポーラトランジスタなどのパワー系ディスクリート製品は、産業、エネルギー、防衛など幅広い用途で使用されており、車載用途での使用も増えていることから、リードタイムが長くなっています。 これらの入手困難な部品の継続供給をサポートするため、ロチェスターエレクトロニクスは20、000 品番に対応する 20億個以上のトランジスタとゲートドライバICを保有しております。当社の在庫は、現行品および製造中止品の両方があり、その内の40％が20週間を超えるリードタイムを有する製品です。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
アンプレオンのLDMOS/VDMOS/GaN1 パワートランジスタのエンドtoエンドサポート/製造中止品(EOL品)の再生産
ロチェスターは、325品番から構成される150万個以上のアンプレオンの完成品在庫を保有しています。さらに、製造中止品の再生産を行うためのウェハおよびダイの在庫も保有しています。当社が保有する製品は、オリジナル半導体メーカーに認定された正規品であり、保証されているため、長年にわたって入手が可能です。 製品ポートフォリオ： BLF177 HF/VHF パワーMOSトランジスタ BLF278 VHFプッシュプルパワーVDMOSトランジスタ BLF3G21-30 UHFパワーLDMOSトランジスタ BLF404 UHFパワーMOSトランジスタ BLF521 BLF521 - UHFパワーVDMOSトランジスタ BLL1214 LバンドラダーLDMOSトランジスタ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
広い安全動作領域を実現！互換性のあるフットプリントにより、ドロップイン交換が可能
『IPT008N06NM5LF/IPT013N08NM5LF』は、TOLLパッケージと組み合わせる ことにより、ホットスワップ、e-fuse、テレコムやバッテリー管理システムで 一般的に見られる保護アプリケーションなどの高突入電流アプリケーションを ターゲットにしています。 高い突入電流により、迅速なスタートアップとダウンタイムの短縮を実現。 TOLLパッケージは、効率性、優れたEMI特性、熱性能、省スペース化が 求められる場合に好適なソリューションです。 【特長】 ■広い安全動作領域（SOA） ■低いRDS（on） ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■TO-リードレス（TOLL）パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能
『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載！無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる
『CGD65B240SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！
『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現
『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
パルスレーダー用RFパワートランジスタ
○パルスレーダー用トランジスタはパルス幅の長いものから短いものまで ラインナップしています。 《UHFレーダ用》 ・周波数：400 - 500MHz 米国ASI Semiconductor, Inc.（ASI）社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせいただければ設計変更のための時間や手間をかけることなく、ご希望の回路をデザインできるかも知れません。
CWマイクロウェーブ RFパワートランジスタ
○GHz帯連続波用途パワートランジスタのラインナップです。 米国ASI Semiconductor, Inc.（ASI）社は、RFパワートランジスタ、 高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合、 お問い合わせに応じて、設計変更のための時間や手間をかけることなくご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。
放送局向け RFパワートランジスタ
○TV放送用送信機に必要な高いリニアリティを実現しています。 ・FM放送用 周波数 ：108MHz ・TV用 周波数 ：225MHz ・TV用 周波数 ：860MHz 米国アドバンスドセミコンダクタ（ASI）社は、 RFパワートランジスタ、高周波ダイオードのメーカーです。 半永久的に製造する数多くのオリジナル製品をはじめ、 他社製品からの置き換えを目的とした部品を手掛けています。 具体的にはRFパワートランジスタはモトローラ、フィリップス、 STマイクロエレクトロニクス（旧SGSトムソン）社の製品を中心に 代替品をご用意しています。 新規設計の際に製造中止品や見つけにくい部品に出遭った場合は、 お問い合わせいただければ、設計変更のための時間や手間をかけることなく、 ご希望の回路をデザインできるかも知れません。 ※詳細はカタログダウンロードからご覧ください。
