パワー半導体のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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パワー半導体(mosfet) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年11月05日~2025年12月02日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

パワー半導体の製品一覧

31~45 件を表示 / 全 77 件

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パワーMOSFET『CoolMOS P7』

ThinPAK 5x6パッケージに搭載!幅の広い製品ラインアップから適切な製品を選択可能

700Vおよび800Vの『CoolMOS P7』パワーMOSFET製品ファミリーは、 フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション向けに 開発されています。 保護用ツェナーダイオード内蔵。磁性体サイズ及びBOMコストの削減が 可能なほか、HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現しています。 また、小型で高い電力密度の設計が可能で、幅の広い製品ラインアップから 適切な製品をお選びいただけます。 【特長】 ■コスト競争力のある技術 ■スイッチング速度の高速化による効率性の向上 ■磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能 ■HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現 ■駆動しやすく、優れたデザイン性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS 5パワーMOSFET<リードレスパッケージ>

非常にコンパクトなデザインを実現!小型電気自動車、eスクーター等のアプリケーションに好適

インフィニオンは、150VのOptiMOS 5パワーMOSFETの製品ラインアップを TO-Leadlessパッケージを採用した製品に拡大しています。 大電流設計、高電力密度、低EMIが可能。小型電気自動車、eスクーター、 ホットスワップ、バッテリー管理システムなどのアプリケーションに好適。 接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少します。 【特長】 ■最大300Aまでの高電流に対応 ■接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少 ■非常に低いパッケージ寄生容量 ■リードレスパッケージ ■並列接続数や冷却の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワーMOSFET OptiMOS 6 135 V

Vgs(th)のばらつきを抑え、並列接続能力を向上させることにより、スケーリングが容易になり、電力出力が向上!

『OptiMOS 6 135 V』は、小型電気自動車(LEV)、電子フォークリフト、 電動工具、園芸工具などの高出力モーター制御アプリケーションや、 主に72 Vや84 Vのバッテリーを使用するUPSを対象にしています。 本製品ファミリーは、120 Vと150 VのMOSFET間のギャップを効果的に埋め、 低いRDS(on)で高性能を実現し、効率的な電力処理、電力損失の低減を 実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■Vgs(th)のばらつきが少ない ■きわめて低い逆回復電流(Qrr) ■幅広いパッケージラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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MOSFETパワー半導体 CoolSiC Generation2

システムのコストパフォーマンスを最大化!きわめて高い信頼性、長い製品寿命

Thin-TOLL 8x8パッケージ搭載の『CoolSiC Generation2 650V』は、 高性能技術を活用する8x8オプションとして適したMOSFETパワー半導体です。 標準的な8x8パッケージののサーマルサイクルにおける性能限界を克服し、 .XTインターコネクト技術により熱抵抗を低減。 その結果として、SiCの特性を最大限に活かしながら、小さなフット プリントを維持し、電力密度を次の次元へと引き上げることが可能です。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■同クラスで最低水準のRDS(on) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)=0 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載

低周波かつ大電流のスイッチングアプリケーション向けに最適化!

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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Nチャネル パワーMOSFET 150V

業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長!

当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS=4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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電源用パワー半導体・IC『家庭用エアコン室外機』向け

高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、家庭用エアコン『室外機』の電源周辺回路を迅速設計!

家庭用エアコンの室外機は、コントローラ用電源と複数の三相インバータ回路で構成されます。省エネ性能の高いスタンバイモード搭載のフライバック制御ICや、インバータ駆動用のゲート回路、もちろんMOSFETやダイオードなど、トータルでご提案できます。 家電量販店で選ばれるエアコンは、特に省エネ性能が大きなポイントになります。動と静を自在に操れる、シンプルでタフな電源回路には、高品質な半導体デバイスが役立ちます。 新電元パワー半導体は家電製品でも実績豊富です! ■新製品の開発は最新の電源回路で! 電源回路がバシッと決まりますと、気持ちの良い新製品に仕上がります。 新電元工業では、皆さまが高品質な電源回路を迅速に構築できるよう、ブリッジダイオードからパワーMOSFET・パワーICなど、白物家電やデジタル家電まで幅広い用途に応じたパワー半導体を多数ご用意しております。機器の省エネ化・省スペース化は、電源エキスパートの新電元工業にご相談ください。 高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワーデバイスは、高電圧や高電流の回路に適した低損失&合理化設計。電源回路提案に強い!

  • ダイオード
  • トランジスタ
  • 専用IC

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電源用パワー半導体・IC『業務用エアコン室外機』向け

高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、室外機のコントローラ電源やモーター&コンプレッサー駆動回路を迅速設計!

省エネで低騒音の空調設備は、モーターやコンプレッサーを電子制御するためのインバータやコントローラが欠かせません。回転機の駆動用には、専用のインバータ制御ICと高圧用Nch-MOSFET、コントローラ用の電源回路には、フライバック制御ICや各種ダイオードなどをスムーズにご提案できます。 低速から高速まで省エネ性が求められる「室外機」には、高信頼で制御性の良いインバータ回路が必要です。電源回路の総合提案でしっかりサポートいたします。 新電元パワー半導体は家電製品でも実績豊富です! ■新製品の開発は最新の電源回路で! 電源回路がバシッと決まりますと、気持ちの良い新製品に仕上がります。 新電元工業では、皆さまが高品質な電源回路を迅速に構築できるよう、ブリッジダイオードからパワーMOSFET・パワーICなど、白物家電やデジタル家電まで幅広い用途に応じたパワー半導体を多数ご用意しております。機器の省エネ化・省スペース化は、電源エキスパートの新電元工業にご相談ください。 高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワーデバイスは、高電圧や高電流の回路に適した低損失&合理化設計。電源回路提案に強い!

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OptiMOS パワーMOSFET 25V~100V

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止!高い電力密度と性能を保有

インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS 6 パワーMOSFET

SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)!高い電力密度を実現

「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20%低減 ■FOM Qgが30%向上、FOM Qgdが40%向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET

マイクロコントローラーユニット(MCU)とのインターフェースが容易!

『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消。 高速スイッチングと高いアバランシェ耐量のため、高品質で 要求の厳しいアプリケーションに適しています。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS(on) ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【資料】WTIブログ 2020年10月

DC-DCコンバータ設計での電源設計時の着眼点や、パワーMOSFETのアバランシェ試験などを掲載!

当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの、2020.10.2~2020.10.30までのWTIブログを まとめています。 2020.10.2の「パーシャルパワーダウン時に重要なIoff機能」をはじめ、 2020.10.7の「DC-DC コンバータ設計 電源設計時の着眼点」や、 2020.10.30の「パワーMOSFET のアバランシェ試験とは」などをご紹介。 この他にも、製品や業界に関するお役立ち情報を多数掲載しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■2020.10.2 パーシャルパワーダウン時に重要なIoff 機能 ■2020.10.6 基板設計の手順と入社2年目エンジニアの醍醐味! ■2020.10.7 DC-DC コンバータ設計 電源設計時の着眼点 その2 ■2020.10.8 スイッチング電源回路方式の特長 ■2020.10.9 IoT 機器のOTA 導入が意外と進まない理由とは ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他受託サービス
  • 組込みシステム設計受託サービス
  • 基板設計・製造

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Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V

産業用認証とTj_max=175°Cにより優れたパワーハンドリングと堅牢性を実現!

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V」について、 ご紹介いたします。 ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、 高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、 ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能。 産業用電源、ソーラーなどさまざまなアプリケーションで使用できます。 【特長】 ■スイッチング損失、導通損失において好適なバランスを実現 ■150V耐圧不要時にRDS(on)やFOMを低減 ■パッケージの幅広い選択肢 ・FR4基板およびIMS基板向け面実装 ・上面冷却 ・スルーホール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6

電力密度の向上に役立ちます!対象アプリケーションに完璧に適合

当社の「CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6」をご紹介いたします。 アダプターと充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメーター、AUX、 産業用電源などのフライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション 向けに開発。 5×6mm2という非常に小さなフットプリントと、高さ1mmという非常に低い プロファイルが特長です。 【特長】 ■高性能技術 ・低いスイッチング損失(Eoss) ・高効率 ・優れた温度特性 ■高速スイッチングが可能 ■保護用ツェナーダイオード内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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Nチャネル パワーMOSFET 60 V~200 V

同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー!

インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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