1～15 件を表示 ／ 全 33 件
コンパクトでありながら優れた熱性能！車載60VMOSFETファミリーをご紹介
『IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102』は、低いRDS(on)、QG、ゲート容量で 先端の性能を提供する車載60VMOSFETファミリーのOptiMOS 5新製品です。 既存の製品ファミリーに加えて、業界標準の小型パッケージのS3O8(3x3mm2)と SingleSS08(5x6mm2)の2つが加わりました。 異なるボードネットに対して統一されたプラットフォーム コンセプトを 目指す場合、お客様の開発コストを削減することができます。 【特長】 ■スイッチング動作の最適化 ■高負荷対応の銅製クリップ ■最大41Aまでの電流負荷 ■コンパクトでありながら優れた熱性能 ■EMC性能の改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以下！
当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、 好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。 【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上 ■高速スイッチング能力も最大30％以上向上 ■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 お問い合わせもお気軽にどうぞ。
SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アプリケーション要件に応じて特定の価値提案を提供！力の違いを体験してください
『CoolMOS SJ MOSFET』製品は、伝導損失、スイッチング損失、 駆動損失の点で優れた性能指数を誇ります。 非常に効率的でコンパクトなシステム設計が可能になり、より優れた性能の 製品に対する将来の需要に対応できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有
インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です！
新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
多種多様なアプリケーションに対応！高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適
当社が取り扱う、産業機器向けのパワーMOSFET『StrongIRFET 2』を ご紹介します。 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンのMOSFET技術で、 低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 この新しいシリーズは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長！
当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の効率化を実現
当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能と システム全体の効率化が可能です。 【特長】 ■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 ■リンギング及び電圧オーバーシュート ■D2PAK 7ピン パッケージに比べて、ボードサイズを60％低減 ■ガルウィングリード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
20/0 VGSで動作！オン抵抗(Ron)・熱抵抗の低減を実現します
インフィニオンは、TO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリートにより、 「車載用CoolSiC MOSFET」のラインアップを拡充しました。 ケルビンソースピンを追加したことで、最高クラスのスイッチング性能、 寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、 OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高いターンオン電圧 VGS(on)＝ 20 V ■0 Vターンオフ ゲート電圧 ■低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(VGS(th)) ■ゲート電荷(QGtot)を低減 ■高電圧沿面距離要求に好適 ■はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
性能と信頼性を両立させるために最適化された先端のトレンチ半導体プロセスで作られています！
TO247-4パッケージ搭載1200 V/30 mΩの当製品は、先端のトレンチ半導体 プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流 ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルド フリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう 最適化されています。 DC-DCコンバーターまたはDC-ACインバーターなどのハードおよび共振 スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適です。 「TO-247 4ピン パッケージ」は、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス 効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現します。 【特長】 ■最高クラスの低スイッチング損失および導通損失 ■高閾値電圧、Vth ＞ 4V ■0 Vのターンオフゲート電圧による簡単でシンプルなゲート駆動 ■幅広いゲートソース電圧範囲 ■転流用に本格使用可能な定格の堅牢で低損失のボディダイオード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高出力・高利得・低ノイズなハイパワートランジスタ
高出力、高利得、高効率、低ノイズを特徴とするハイパワートランジスター。Point9社のメタルゲートMOSFETはは他同等品と比較して3~ 4dBの高利得性能を誇ります。Point9社は高い品質基準を保つために、MOSFETの専売と自社生産に力を入れております。
高速/低速両方のスイッチングに好適！より高性能な選択肢を提供
『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。 低速および高速の両スイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
