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海外安全規格対応！低電源電圧の1Mbdデジタル・フォトカプラ
『ACPL-M51L-000E』は、4端子デバイスとして接続・使用可能な低消費電力、 低電源電圧の1Mbdデジタル・フォトカプラです。 発光ダイオードと光ディテクタ間の絶縁層を使用して 入出力間の電気絶縁を提供。 TTL/CMOS、TTL/LSTTLインターフェースの他、アナログ用途で使用できます。 【特長】 ■広い電源電圧範囲VCC：2.25～24V ■低LED駆動電流：3mA（最小） ■オープンコレクタ出力 ■TTL互換出力 ■小型SO-5パッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最大定格1200V/100AのMOSFETおよびIGBTを直接駆動することが可能
『ACPL-W349-000E』は、AlGaAs LEDを内蔵し、パワー出力段を有する 集積回路に光結合する2.5A出力高速ゲート駆動フォトカプラ・デバイスです。 このデバイスは、電力変換アプリケーションで使用されます。 パワー段の広い動作電圧範囲は、ゲート制御素子に必要な駆動電圧を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：2.5A ■広い動作電圧Vcc範囲：15～30V ■最大伝達遅延110ns ■最大伝達遅延差50ns ■レール・ツー・レール出力電圧 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高圧でノイズの多い産業用途において、安全な信号分離と高い絶縁信頼性を提供
『ACPL-337J-000E』は、IGBTやパワーMOSFETを直接駆動することができる フル機能4.0A出力ゲート駆動フォトカプラです。 高DESATブレーキ電流源、およびフィードバック機能付き アンダボルテージ・ロックアウト（UVLO）をすべて整備。 モータ制御および電力インバーター/コンバーター・アプリケーションに向けて 簡単にプレーを楽しむことができます。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：4.0A ■レール・ツー・レール出力電圧 ■ミラークランプ・シンク電流：2.0A ■フェルシーフIGBT保護機能内蔵 ■最大伝達遅延（全温度範囲）：250ns ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
海外安全規格対応！ヒステリシス付きLED電流入力
『ACPL-W346-000E』は、AlGaAs LEDを内蔵し、パワー出力段を有する 集積回路と光学的に結合された2.5Aピーク電流出力の 高速ゲート駆動用フォトカプラです。 パワー段の広い動作電圧範囲は、ゲート制御素子に必要な駆動電圧を提供。 電圧および高ピーク出力電流は、MOSFETを高速のスイッチング周波数で 直接駆動して変換効率を高めるのに理想的です。 【特長】 ■最大ピーク出力電流2.5A ■最小ピーク出力電流2.0A ■レールtoレール出力 ■最大伝達遅延120ns ■最大伝達遅延差50ns ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
正/負電源用のヒステリシス付きアンダーボルテージロックアウト保護
『ACPL-339J-000E』は、高性能な1Aピークデュアル出力のIGBTおよび パワーMOSFETゲート駆動用フォトカプラです。 様々な定格電流のMOSFETバッファに対応。素子の変更に伴う重要な回路絶縁と 短絡防止の設計変更は、低電力定位から高電力定位までのモータ制御および 電力変換アプリケーションのゲート駆動設計の拡張性を最大化することができます。 【特長】 ■外部NMOSおよびPMOSバッファを駆動するデュアル出力 ■最小ピーク出力電流1.0A ■MOSFETバッファでの上下短絡を防ぐアクティビティ・タイミング制御 ■IGBT非飽和（DESAT）検出 ■光学的に分離されたDESATおよびUVLOフォルト・フィードバック ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
AEC-Q100で確定されたGrade 1の試験ガイドラインに準拠！
『ACPL-K71T-000E』は、電気自動車での利用に適した高速CMOS デジタル・フォトカプラです。 各チャンネルは、フォトダイオードを集約したCMOSディテクタIC、 高速トランスピーダンス・アンプ、出力ドライバを備えた電圧コンパレータから構成。 高温への対応が必要となる車載用途や産業用途において、安全な信号絶縁を 実現するのに必要な強化絶縁耐性と信頼性を備えています。 【特長】 ■AEC-Q100で確定されたGrade 1の試験ガイドラインに準拠 ■動作温度範囲：-40～125℃ ■5V CMOS互換 ■優れたCMR（同相信号除去）性能：40kV/μs＠同相電圧V CM = 1000V ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
-40℃～100℃の温度範囲での動作を保証！インターフェースに理想的な製品
『ACSL-6310-00TE』は、多チャネル双方向、高速ロジックゲート フォトカプラです。 複数のフォトカプラの一体型化を特許技術により実現。 これらのデバイスは、双方向の絶縁データ転送および通信をコンパクトな 表面実装パッケージで提供します。 またオプションにより、15 MBd速度、広域供給電圧がご利用いただけます。 【特長】 ■2、3、および4チャネル構成から選択可能 ■双方向 ■電圧範囲： 3.0 V ～ 5.5 V ■高速： 15MBd（Typ.）、10MBd（Min.） ■同相雑音除去能力： V = 1000Vで10 kV/s（Min.） ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CMOS対応絶縁破壊電圧の両方を提供するオープン・コレクタ出力があります
『ACPL-K370 ACPL-K376』は、電圧/電流検知フォトカプラです。 「ACPL-K376」は、「ACPL-K370」の低電流版です。 より低い駆動電流より高い発光出力を提供する高効率AlGaAsのデバイスは、 広い入力電圧範囲でのスレッショルドレベルの制御を可能にする スレッショルド検出入力バッファICと1つの外部抵抗を活用しています。 【特長】 ■±5％の電圧検出精度 ■1140 Vpeakの広いACまたDC検出範囲 ■ユーザー設定可能なシングル/デュアル検出レベル ■ヒステリシス付きでノイズ耐性を強化 ■1.32mAの超低スレッショルド電流（ACPL-K376） ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速伝達遅延と優れたタイミング・スキュー性能！
『ACPL-352J』は、5A出力インテリジェント・ゲート駆動用フォトカプラです。 ピーク出力電流が大きく動作電圧範囲が広いため、モータ制御および インバータ用途においてSiC/GaN MOSFETやIGBTを直接駆動するのに理想的です。 安全規格IEC/EN/DIN、ULおよびCSAの認証を受けた強化絶縁を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：5.0A ■最小ピーク出力電流：4.5A ■最大伝達遅延時間：150ns ■ターンオンおよびターンオフ時間を制御するデュアル出力 ■短絡（非飽和）検出と調整可能なソフト遮断機能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
モータ制御インバータで使用されるIGBTやパワーMOSFETの駆動に理想的！
『ACNW3430』は、パワー出力段を備え集積回路に光結合された LEDを内蔵しているゲート駆動用フォトカプラです。 100kV/μsの雑音耐性を備え、雑音が多い産業環境での誤駆動を防止。 出力電圧および高ピーク出力電流により、IGBTの直接駆動に理想的です。 また、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5における最大動作絶縁電圧 VIORM=1414 Vpeakを備えています。 【特長】 ■ピーク出力電流5.0A(最大) ■レール・ツー・レール出力電圧 ■負電源使用時VE を基準とするUVLO ■最大伝達遅延時間150ns ■最大伝達遅延時間差90ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
立ち上がり、立ち下り時間を広い負荷容量範囲で制御することが可能です
『ACPL-x6xLシリーズ』は、AlGaAs LEDと高ゲイン受光ICで構成された 超低電力10MBdデジタルCMOSフォトカプラです。 3.3V/5Vの電源電圧に対応し、わずか1.6mAの入力電流で動作可能。 マイコンの出力によるフォトカプラの直接駆動が可能です。 CMOS/TTLの互換性を確保し、ACおよびDC回路の最大絶縁を提供。 高速ロジック・インターフェイス用途に適しています。 【特長】 ■低消費電流：1.3mA/チャンネルIdd2電流 ■低入力電流：1.6mA ■内蔵スルーレート制御出力 ■VCM = 20kV/μs@ 1 000V同相除去（CMR） ■高速：10MBd ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高いノイズ耐性！車載および高温産業用途に適合した高い絶縁性と信頼性を提供します
『ACPL-32JT』は、R2Coupler車載用途向け2.5Apeak IGBT ゲート駆動フォトカプラです。 絶縁型フライバックDC-DC用コントローラ、非飽和検出機能、 アクティブ・ミラークランプ機能およびUVLOフィードバック機能を内蔵。 短い伝達遅延時間と高精度なタイミングスキュー性能により、 優れたタイミング制御と効率を実現します。 【特長】 ■AEC-Q100 Grade1試験ガイドライン準拠 ■車載用途に適した動作温度範囲：-40℃～125℃ ■絶縁型フライバックDC-DC用コントローラ ■安定化出力電圧：20V ■ピーク出力電流：2.5A(最大) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参照設計図付き解説資料を進呈
『ACFL-3161』は、出力ピーク電流が10Aのゲート駆動フォトカプラです。 モーターやインバーターなど、高い絶縁性能が求められ、 搭載スペースに制約のある産業用アプリケーションで活躍します。 100kV/μsを超えるコモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、 ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。 さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、 IGBTおよびSiC/GaN MOSFETの駆動効率の向上に貢献します。 【特長】 ■単一チャンネルSO-12パッケージ、沿面・空間絶縁距離は約8mm ■材料クラスIで、CTI≧600V対応 ■立ち上がり・立ち下がり時間7ns(typ)を実現可能 ■バス・鉄道車両等での採用実績が多数 ※評価ボードの提供が可能です。詳しくはお気軽にお問い合せください。 ※AEC-Q100 グレード1準拠の車載製品(ACFL-3161T)のリリースも予定しています。 ★下記ダウンロードボタンより、参照設計図も付いた 「SiC/GaNゲート駆動フォトカプラ」の解説資料(英語)をご覧いただけます。
30kV/μsのコモンモード過渡耐性(CMTI) / 動作温度範囲で最大伝達遅延時間55ns
ACPL-M75Nは、LEDおよびCMOS ICテクノロジーを使用して、最大15MBdのデータレートで優れたガルバニック絶縁を実現します。 内部ファラデーシールドは、最小30kV /μsの保証されたコモンモード過渡電圧耐性を提供します。 フォトカプラの基本的な構成要素は、高速LEDとCMOS検出器ICです。 検波器ICには、内蔵フォトダイオード、高速トランスインピーダンスアンプ、出力ドライバ付きの電圧コンパレータが組み込まれています。 ※EOLでお困りの方、ご相談ください。
出力ピーク電流10A。IGBT/SiC/GaNモジュール駆動に。保護機能付きCTI600V（材料クラスI）のSO16パッケージ
『ACPL-355JC』は、10Aのピーク出力電流と広い動作電圧に対応したゲート駆動フォトカプラです。 高い同相ノイズ除去特性（100kV/μs）によりモーター制御およびインバーターアプリケーションにおけるIGBT、SiC/GaN MOSFETなどのモジュール駆動に適しています。 優れたタイミングスキュー性能を持ち、伝搬遅延時間は140ns。 過電流からモジュールを保護し、コントローラーへ状態をレポートする、機能安全を搭載しています。 【特長】 ■保護機能付きCTI600V（材料クラスI）のSO16パッケージで コンパクトに実装可能 ■海外安全規格IEC/EN/DIN、ULおよびCSAの認定を受けた強化絶縁 ※AEC-Q100 グレード1準拠の車載製品「ACFL-3161T」のリリースも予定しています。 ※SiC-MOSFET用評価ボード（Infineon社製用、Wolfseed社製用）の提供が可能です。詳しくはお気軽にお問合せください。 ★下記ダウンロードボタンより、参照設計図も付いた 「SiC/GaNゲート駆動フォトカプラ」の解説資料(英語)をご覧いただけます。
