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フォトカプラ×ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社） - メーカー・企業と製品の一覧

フォトカプラの製品一覧

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【産業ソリューション】風力発電

【産業ソリューション】風力発電

発電システム用途に求められる厳しい要件を満たす！専用のフォトカプラを開発・設計・製造

風力発電は、風の力を利用した環境に配慮した再生可能エネルギー源です。 風力タービンで作られる空気流が発電機の動力となり、電流を作り出し、 基本的に、風力タービンは風の運動エネルギーを電気に変換します。 通常の風力タービンシステムは、インバータ、充電器、コンバータで構成。 さらにファイバリンクが電力変換プロセスと電力貯蔵システム (ESS) において極めて重要な役割を果たしています。 当社は、風力タービン用途に適したフォトカプラおよび産業用ファイバ光学 ソリューションを幅広く提供し、AC-DC、DC-DCおよびDC-AC電力変換装置、 蓄電池 (BB) 用充電器、制御盤および通信ユニット、タービン制御ユニット (TCU) に関する様々な技術的課題に対応します。 【製品ラインアップ】 ■光ファイバ・モジュールおよびコンポーネント ■オプトカプラと光アイソレータ ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アイソレーター

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IGBT/SiC/GaNゲート駆動フォトカプラACFL-3161

IGBT/SiC/GaNゲート駆動フォトカプラACFL-3161

出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参照設計図付き解説資料を進呈

『ACFL-3161』は、出力ピーク電流が10Aのゲート駆動フォトカプラです。 モーターやインバーターなど、高い絶縁性能が求められ、 搭載スペースに制約のある産業用アプリケーションで活躍します。 100kV/μsを超えるコモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、 ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。 さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、 IGBTおよびSiC/GaN MOSFETの駆動効率の向上に貢献します。 【特長】 ■単一チャンネルSO-12パッケージ、沿面・空間絶縁距離は約8mm ■材料クラスIで、CTI≧600V対応 ■立ち上がり・立ち下がり時間7ns(typ)を実現可能 ■バス・鉄道車両等での採用実績が多数 ※評価ボードの提供が可能です。詳しくはお気軽にお問い合せください。 ※AEC-Q100 グレード1準拠の車載製品(ACFL-3161T)のリリースも予定しています。 ★下記ダウンロードボタンより、参照設計図も付いた 　「SiC/GaNゲート駆動フォトカプラ」の解説資料(英語)をご覧いただけます。

  • その他半導体

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15MBdデジタルフォトカプラ SO5　ACPL-M75N

15MBdデジタルフォトカプラ SO5　ACPL-M75N

30kV/μsのコモンモード過渡耐性(CMTI) / 動作温度範囲で最大伝達遅延時間55ns　

ACPL-M75Nは、LEDおよびCMOS ICテクノロジーを使用して、最大15MBdのデータレートで優れたガルバニック絶縁を実現します。 内部ファラデーシールドは、最小30kV /μsの保証されたコモンモード過渡電圧耐性を提供します。 フォトカプラの基本的な構成要素は、高速LEDとCMOS検出器ICです。 検波器ICには、内蔵フォトダイオード、高速トランスインピーダンスアンプ、出力ドライバ付きの電圧コンパレータが組み込まれています。 ※EOLでお困りの方、ご相談ください。

  • その他半導体

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ゲート駆動フォトカプラ『ACPL-355JC』

ゲート駆動フォトカプラ『ACPL-355JC』

出力ピーク電流10A。IGBT/SiC/GaNモジュール駆動に。保護機能付きCTI600V（材料クラスI）のSO16パッケージ

『ACPL-355JC』は、10Aのピーク出力電流と広い動作電圧に対応したゲート駆動フォトカプラです。 高い同相ノイズ除去特性（100kV/μs）によりモーター制御およびインバーターアプリケーションにおけるIGBT、SiC/GaN MOSFETなどのモジュール駆動に適しています。 優れたタイミングスキュー性能を持ち、伝搬遅延時間は140ns。 過電流からモジュールを保護し、コントローラーへ状態をレポートする、機能安全を搭載しています。 【特長】 ■保護機能付きCTI600V（材料クラスI）のSO16パッケージで 　コンパクトに実装可能 ■海外安全規格IEC/EN/DIN、ULおよびCSAの認定を受けた強化絶縁 ※AEC-Q100 グレード1準拠の車載製品「ACFL-3161T」のリリースも予定しています。 ※SiC-MOSFET用評価ボード（Infineon社製用、Wolfseed社製用）の提供が可能です。詳しくはお気軽にお問合せください。 ★下記ダウンロードボタンより、参照設計図も付いた 　「SiC/GaNゲート駆動フォトカプラ」の解説資料(英語)をご覧いただけます。

  • その他半導体

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駆動用フォトカプラ『ACPL-339J-000E』

駆動用フォトカプラ『ACPL-339J-000E』

正/負電源用のヒステリシス付きアンダーボルテージロックアウト保護

『ACPL-339J-000E』は、高性能な1Aピークデュアル出力のIGBTおよび パワーMOSFETゲート駆動用フォトカプラです。 様々な定格電流のMOSFETバッファに対応。素子の変更に伴う重要な回路絶縁と 短絡防止の設計変更は、低電力定位から高電力定位までのモータ制御および 電力変換アプリケーションのゲート駆動設計の拡張性を最大化することができます。 【特長】 ■外部NMOSおよびPMOSバッファを駆動するデュアル出力 ■最小ピーク出力電流1.0A ■MOSFETバッファでの上下短絡を防ぐアクティビティ・タイミング制御 ■IGBT非飽和（DESAT）検出 ■光学的に分離されたDESATおよびUVLOフォルト・フィードバック ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • カプラ

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ゲート駆動用フォトカプラ『ACPL-352J』

ゲート駆動用フォトカプラ『ACPL-352J』

高速伝達遅延と優れたタイミング・スキュー性能！

『ACPL-352J』は、5A出力インテリジェント・ゲート駆動用フォトカプラです。 ピーク出力電流が大きく動作電圧範囲が広いため、モータ制御および インバータ用途においてSiC/GaN MOSFETやIGBTを直接駆動するのに理想的です。 安全規格IEC/EN/DIN、ULおよびCSAの認証を受けた強化絶縁を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：5.0A ■最小ピーク出力電流：4.5A ■最大伝達遅延時間：150ns ■ターンオンおよびターンオフ時間を制御するデュアル出力 ■短絡（非飽和）検出と調整可能なソフト遮断機能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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