フラッシュメモリのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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フラッシュメモリ(メモリ) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年10月15日~2025年11月11日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

フラッシュメモリの製品一覧

46~60 件を表示 / 全 85 件

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125℃動作のFeRAMファミリー

車載グレード『高品質規格AEC-Q100グレード1』を満たすための高信頼性評価をクリアしたFeRAM

当社は、高温環境で動作を保証するメモリが欲しいという、車載/産業分野のお客様の要望に応え、 2016年から車載対応FeRAM製品を開発し、提供しています。 これらの製品は、従来の製品の動作温度を125℃に拡張しただけではなく、内部回路の設計から 改めて見直すことで信頼性を向上させています。さらに、AEC-Q100の信頼性試験規格に準拠し、 PPAPに対応しています。 また、産業機械などモーター機構を搭載するアプリケーションでは、モーターによる発熱によって 高温になるため、高温環境下においても動作を保証できる電子部品が必要とされています。 当社は、これらの市場のニーズに対して、高信頼性・高性能の125℃動作が可能なFeRAMを提供しています。 【125℃動作のFeRAMの特長】 ■車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1を満たすための高信頼性評価をクリア ■SPIインターフェース ■メモリ容量:64Kビット~4Mビットまで ※製品一覧の詳細は、下記のサイトをご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ

  • メモリ

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NANDフラッシュメモリ『高性能QspiNANDフラッシュ』

高性能・大容量ストレージオプションで車載ディスプレイアプリケーションに好適!高速読出しかつ高信頼性のSLCNAND

『高性能シリアルNANDフラッシュ』は、既存のパラレルNANDよりも 4倍の高速読み出しが可能なフラッシュメモリです。 データ転送速度は、83MB/秒で、インスツルメント・クラスタの 起動時間を短縮。 また、デュアルクワッドI/O インターフェイスをサポートし、 より大容量かつ最大166MB/秒のデータ転送速度に対応します。 【特長】 ■既存のパラレルNANDよりも4倍の高速読み出しが可能 ■データ転送速度:83MB/秒 ■デュアルクワッドI/Oインターフェイスをサポート ■より大容量かつ最大166MB/秒のデータ転送速度に対応 ■シングル、デュアル、クワッドI/Oの選択が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • QspiNAND_Sub1(Merit).png
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Macronix Serial NAND Flash

大容量かつ低価格を実現!車載・産業製品向け高信頼性フラッシュメモリ

『Macronix Serial NAND Flash』は、高集積化により大容量の データストレージに適した製品です。 書き込み速度が速く、高速なデータ処理に対応。 Macronixの長期供給保証制度により、EOLによる設計工数の 負担をなくします。 【特長】 ■容量あたりの単価が安く、一般的なFlashメモリより安価で提案可能 ■高集積化により大容量のデータストレージに好適 ■書き込み速度が速く、高速なデータ処理に対応 ■高い信頼性により、不良解析での工数がかからない ■Macronixの長期供給保証制度によって、EOLによる設計工数の  負担がない(Macronix MPLP参照) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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Macronix社 SLC NAND Flash

高耐久、高信頼、高速読み書きを実現!データの長期保存、高速かつ頻繁な書き換えが必要なセットに好適な高品質メモリ

『Macronix社 SLC NAND Flash』は、高い耐久性と低エラー率により、 データの長期保存や頻繁な書き換えが必要なセットに適したメモリです。 高速な読み書き性能は、リアルタイム処理や高負荷アプリケーションに好適。 エラー発生が少ないため、エラー訂正などの運用コストや手間を軽減します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■耐久性:10万回以上の書き換え可能 ■パフォーマンス:Read/Writeの速度が高速 ■信頼性:各セル1bit格納の為、データの整合性が高い/エラーの発生が少ない ■容量帯:1Gb~8Gbのラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【半導体EOL品/注目製品】インフィニオン/フラッシュメモリ

S29GL064S80DHB020 /製造中止品(EOL品)の再生産

インフィニオンのS29GL064Sは、サイプレスのMirrorBit製品の一部である64Mビット(8Mバイト)フラッシュメモリです。この製品は単一の3.0Vで動作し、1.65VからVccまでのI/O範囲を提供します。9mm×9mmのFBGA-64パッケージで提供され、-40℃~+105℃動作に対応し、AEC-Q100グレード2認定を受けています。ロチェスターの在庫品には、その他の集積度やパッケージタイプもあります。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

  • 基板設計・製造

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32GB、64GB、128GBの産業グレード eMMC

コントローラは1.8Vまたは3Vのデュアル電源電圧で駆動可能!

当社で取り扱う「32GB、64GB、128GB の産業グレード eMMC」を ご紹介いたします。 民生用、産業用、ネットワーキングアプリケーションのソリッドステート ストレージ向けに、このデバイスは、信頼性の高いTLC NANDフラッシュメモリと eMMCコントローラおよびフラッシュトランジションレイヤー(FTL)管理 ソフトウェアを単一の11.5mmx13mm153ボールFBGAパッケージに統合しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■高信頼性TLC NANDフラッシュテクノロジーを搭載 ■eMMC v4.5およびv5.0との下位互換性 ■-40°C~+85°Cの工業用温度範囲で動作 ■x1、x4、x8のプログラム可能なバス幅を提供 ■内部LDOを備えたNANDメモリは3Vの単一電源電圧で駆動可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。  詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NOR フラッシュメモリ

高速な読み取り、プログラム、消去時間によるパフォーマンスを向上!

当社で取り扱う「4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NORフラッシュメモリ」を ご紹介いたします。 「4Mb AS25F304MD-10S1IN」および「16Mb AS25F316MQ-10S1IN」は、 最大104MHz の高速読み取り性能と、それぞれ最小1.1msおよび2.6msの 高速プログラムおよび消去時間を組み合わせています。 最大消去/プログラム電流は1.3mAまで。最大読み取り電流は104MHzで3.7mAまでと、 コンピュータ、消費者、通信、IoT市場の需要を満たすように設計されています。 【利点(一部)】 ■シングル、デュアル、クワッド(AS25F316MQ-10S1IN)SPIモードで動作 ■100,000 回のプログラム/消去サイクルと20年間のデータ保持による  信頼性の高い長期パフォーマンス ■均一な4KBまたは32KBまたは64KB消去 ■プログラム/消去の一時停止と再開 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。  詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ

古いデータを消去しながら、有効なデータを保存!信頼性の高い長期的なパフォーマンス

当社で取り扱う「1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ AS9FxxG08SA」 をご紹介いたします。 自動車、産業、通信、家電市場におけるレガシーSLCパラレルNANDフラッシュ メモリ製品への需要の高まりに応えるため、アライアンスメモリは、1Gb~8Gbの 密度を備えた新しいAS9Fシリーズの1.8Vおよび3.3Vデバイスを発表。 ブロック消去時間は標準で3msまで短縮されます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■1.8Vおよび3.3VV CC ■1Gbから8Gbまでの密度 ■ブロック消去時間は通常3msまで高速 ■ONFI 1.0仕様に準拠 ■x8 I/O インターフェイス ※英語版カタログをダウンロードいただけます。  詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【継続供給】インフィニオン認定:旧サイプレスのフラッシュメモリ

標準SPI、レガシーパラレルフラッシュ、および高性能HYPERFLASHソリューション /製造中止品(EOL品)の再生産

ロチェスターは、インフィニオンの正規販売代理店および製造メーカーであり、 現行品および製造中止品(EOL品)の在庫を約8、000万個保有しております。 ロチェスターのメモリ製品群は、業界標準のパッケージに収められた、 複数メーカーの揮発性および不揮発性の製品を含む12、000品番、 1億5、000万個以上から構成されています。 この中には、現行品および製造中止品(EOL品)の両方が含まれています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサスエレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

  • 基板設計・製造

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SPIフラッシュ専用シリアルプログラマ AF9201

実装済みSPIフラッシュの高速書込みに

●バッファメモリ 1Gbit(専用CFカード) ●シングル、Dual、Quad モードに対応 ●SPI専用のハード設計により     デバイス実力値を妨げない高速書込み ●USB接続により最大8台のGANG書込み可能

  • 校正・修理

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【半導体/事例資料】アビオニクス用フラッシュ・メモリの再生産

再生産品を提供!今後7年から10数年と大幅な再設計と調達コストを節約することができます/製造中止品(EOL品)の再生産

ある大手航空宇宙メーカー様の事例をご紹介します。 使用しているNANDフラッシュ・メモリが、オリジナル・メーカー(OCM)により 製造中止となった際、同社は、製品に必要なマルチ・ダイ・パッケージ品の 再生産が必要と認識すると同時に、市場で入手可能な同じ形状、適合性 そして機能で完全互換のダイが必要だと認識しました。 そこで製品の再生産について、ロチェスターに お問い合わせをいただきました。 【当社のソリューション】 ■再生産された製品は、形状、適合度、機能の100%互換 ■オリジナルの仕様書を保証 ■ソフトウェアの変更の必要がない互換性を保つ ■製品の再設計や再認証の必要性を回避することで、顧客は時間と費用を節約できる ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。   ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。

  • 製造受託

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COMPUTEX TAIPEI 2018 出展中!!!

2018年6月5日~5月9日まで台北で開催中ののComputexに出展しております。

インダストリアルDRAM、3D NAND フラッシュメモリ、NVMe フルシリーズ、PoE イーサネット拡張カードシリーズ、Innodisk の特許取得済みSSD ファームウェア技術を統合した、スマートシティ建設をサポートする⾰新的なストレージソリューションを発表します。 ブースでは、ハードウェア/ファームウェア/ソフトウェアの究極の統合によって⽣み出された独⾃のiCAP クラウドマネージメントプラットフォームによる、接続された世界の様々なインダストリアルアプリケーションの完全な制御のデモを展⽰します。

  • 展示会企画/施工
  • メモリ
  • 組込みボード・コンピュータ

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不慮の停電時のデータ損失を防ぐiCellテクノロジー

緊急電源をシステムに供給可能

iCellテクノロジーは不慮の停電時においてもデータ損失を防ぎます。 DRAMベースのソリッドステートドライブ(SSD)におけるミッションクリティカルなデータを確実に保護。内蔵のiCellが瞬時にSSDへ電源を供給し、データの安全な保管を確保することで実現。 iCellテクノロジーは、IC基板上に電源バッファ用のコンデンサを追加搭載することで独自の堅牢設計を実現。 必要に応じて緊急電源をシステムに供給することが可能です。

  • 文書・データ管理

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13.3" 反射型モノクロ電子ペーパー EPD1332-EGP

LITEMAX, 解像度1200 x 1400, Android8.1搭載, 白黒16階調,低消費電力, 太陽光の下でも見える

【LITEMAX EPD1332-EGP-A11 特長】 ■13.3" 反射型モノクロ電子ペーパーディスプレイ ■高解像度1200 x 1400に対応 ■白黒16階調に対応 ■超低消費電力での表示保持を実現 ■Arm A35 quad core processを搭載 ■外光の反射を利用しての表示により太陽光下での高い視認性に対応 ■ワイド動作温度 -10~55℃

  • 液晶ディスプレイ

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不揮発性メモリ「FeRAM」の計測器(温調器)への採用事例

ミリ秒単位の温度管理を可能に:FeRAMによる高速データ書き込みと長寿命化の実現

FeRAMが採用されている事例では、元々利用していたEEPROMの性能不足による トラブルが原因でFeRAM搭載の検討を開始いただいたものがあります。 書き換え耐性においては、FeRAMとSRAMが要求を満たしていましたが、 障害によりシステム電圧が失われた際でもFeRAMの場合はバッテリの バックアップが不要というメリットがあり、FeRAMの採用が決まっています。 FeRAMの採用により製品の精度、寿命などの信頼性が向上し、またバッテリや キャパシタを使用するための周辺回路の削減につながり、シンプルの回路構成で お客様の開発コスト低減にも寄与しています。 【事例概要】 ■不測の障害でも迅速に復旧 ■ミリ秒単位のログデータも記録可能な高書き換え耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • メモリ

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