半導体レーザ×株式会社オプトロンサイエンス - 企業1社の製品一覧

シングルモードファイバ出力半導体レーザ

QPhotonicsは200～1700nmレンジの光半導体デバイスを多数供給しています

■波長：375～1656nmのファイバ出力のシングルモード半導体レーザ ■DFBレーザ／FBG／ARコーティング付きゲインチップなども供給

企業：株式会社オプトロンサイエンス
価格：応相談

レーザ部品

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マルチモード半導体レーザ

QPhotonics社は200～1700nmレンジの光半導体デバイスを多数供給しています

■波長：808nm／850nm／1064nmの横シングルモードの半導体レーザ ■5.6mmあるいは9mm TO-can、Cマウントパッケージがある ■QLDシリーズ

企業：株式会社オプトロンサイエンス
価格：応相談

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波長安定化ファイバ出力半導体レーザ

QPhotonicsは200～1700nmレンジの光半導体デバイスを多数供給しています

■DFBやFBG構造を持った、波長安定化のファイバ出力半導体レーザ ■波長：630～1656nm

企業：株式会社オプトロンサイエンス
価格：応相談

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ファイバーカップル半導体レーザ　Han's TCS社

◆Han's TCS社はファイバーカップルの半導体レーザモジュールやそのシステムを販売する会社です。

Han's TCS社はHan's Laser社の子会社として2011年に中国北京に設立されたファイバーカップルの半導体レーザモジュールやそのシステムを販売する会社です。・405nm ファイバーカップル半導体レーザ　10～35W、800μm コア径 / 0.22NA ファイバ・450nm ファイバーカップル半導体レーザ　10～35W、800μm コア径 / 0.22NA ファイバ

企業：株式会社オプトロンサイエンス
価格：応相談

その他半導体
その他光学部品
その他理化学機器

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波長安定化ファイバーカップルVBG半導体レーザ

◆ 波長安定度：0.02nm/℃ 0.05nm/A　◆スペクトル幅：<0.5nm　◆ 0.22NA ファイバ

【878.6nm 波長安定化ファイバーカップルVBG半導体レーザ】 ◆ 878.6nm VBGによる波長安定化 ◆ 30～120W ◆ 200um コア径 / 0.22NA ファイバ VBG(Volume Bragg Grating)を搭載した878.6nmのファイバーカップル半導体レーザです。0.02nm/℃ 0.05nm/Aの波長安定度を持ち、スペクトル幅は<0.2nmです。Nd:YVO4などの個体レーザの励起用に最適です。【976nm 波長安定化ファイバーカップルVBG半導体レーザ】 ◆ 976nm VBGによる波長安定化 ◆ 10～140W ◆ 105um コア径 / 0.22NA ファイバ VBG(Volume Bragg Grating)を搭載した976nmのファイバーカップル半導体レーザです。0.02nm/℃ 0.05nm/Aの波長安定度を持ち、スペクトル幅は<0.2nmです。ファイバーレーザの励起用に最適です。

企業：株式会社オプトロンサイエンス
価格：応相談

その他半導体
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その他光学部品

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マルチモード半導体レーザ　Sheaumann Laser社

◆パッケージ：Sub-mount / TO-Can ◆密閉パッケージ、ARコート付ウインドウ ◆PDオプション有

マルチモード半導体レーザをTO-CANおよびSub-mountパッケージで提供します。 TO-Can：標準仕様として5.6mm 9mmパッケージを採用しております。 Sub-mount：InまたはAuSnボンドを使用したCuWやCuサブマウントをAINキャリアにマウントしております。・1064nm マルチモード半導体レーザ：出力　～ 3W ・975/980nm マルチモード半導体レーザ：出力　～ 3W ・940nm マルチモード半導体レーザ：出力　～ 4W ・915nm マルチモード半導体レーザ：出力　～ 2W ・852nm マルチモード半導体レーザ：出力　～ 2W ・830nm マルチモード半導体レーザ：出力　～ 2W ・808nm マルチモード半導体レーザ：出力　～ 15W ・785nm マルチモード半導体レーザ：出力　～ 2W

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その他光学部品
その他理化学機器
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シングルモード半導体レーザ　Sheaumann Laser社

◆パッケージ：Sub-mount / TO-Can ◆密閉パッケージ、ARコート付ウインドウ ◆PDオプション有

シングルモード半導体レーザをTO-CANおよびSub-mountパッケージで提供します。 TO-Can：標準仕様として5.6mm 9mmパッケージを採用しております。 Sub-mount：InまたはAuSnボンドを使用したCuWやCuサブマウントをAINキャリアにマウントしております。・940nm シングルモード半導体レーザ：出力　50mW ～ 300mW ・915nm シングルモード半導体レーザ：出力　50mW ～ 300mW ・852nm シングルモード半導体レーザ：出力　50mW ～ 150mW ・830nm シングルモード半導体レーザ：出力　50mW ～ 150mW ・808nm シングルモード半導体レーザ：出力　50mW ～ 150mW ・785nm シングルモード半導体レーザ：出力　50mW 〜 450mW ・1064nm シングルモード半導体レーザ：出力　50mW ～ 300mW