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解析ソフト(開発) - メーカー・企業と製品の一覧

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解析ソフトの製品一覧

16～30 件を表示 ／ 全 74 件

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【事例】「Particle-PLUS」対抗ターゲット式スパッタ

【事例】「Particle-PLUS」対抗ターゲット式スパッタ

Particle-PLUS解析事例紹介 "対面ターゲットを用いたAl薄膜作製"シミュレーション事例

『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動　など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】「Particle-PLUS」イオンビームの質量分析

【事例】「Particle-PLUS」イオンビームの質量分析

Particle-PLUS解析事例紹介 "イオンビームの質量分析と静電加速"シミュレーション事例

『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動　など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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半導体プラズマ解析ソフト『Particle-PLUS』

半導体プラズマ解析ソフト『Particle-PLUS』

『Particle-PLUS』はICPやCCP 解析も得意とする 粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです

『Particle-PLUS』はICPやCCPにも対応した プラズマを用いた装置・デバイス研究開発に適したソフトウェアです ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのシミュレーションを得意とする ・ICP シミュレーションのための誘導加熱の計算機能 ・CCPや外部回路モデル等の高度な物理モデル解析 ・ICP とCCP を同時にシミュレートすることが可能 ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析 ・自社開発ソフトの強みとして 　お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。 sales@wavefront.co.jp

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FaultTree+活用セミナーの動画を公開

FaultTree+活用セミナーの動画を公開

機能安全対応でFaultTree+を用いる際に役立つ機能、及びFaultTree+を用いたモデルの作成を動画でご紹介いたします。

【セミナーの概要】 １．システムFTAと定量評価のためのFTAについて ２．安全機構（SM）の表現方法について ３．共通原因故障の表現方法について ４．カットセット分析とその情報の見方 ５．故障率DB(Prediction)連携、ライブラリー機能を活用したモデルの再利用や統合 ６．FT図初期値作成の自動化

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3D希薄流体解析ソフトウェア『DSMC-Neutrals』

3D希薄流体解析ソフトウェア『DSMC-Neutrals』

低圧条件のガス流れの解析ができる 希薄気体(希薄流体)にも対応した解析ソフト

【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり，品質の悪い計算格子が有っても，必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) ・CVD のような化学反応を含む成膜シミュレーション などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子（原子）交換反応計算 ・GUI 上で，複数の反応式を設定も可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

『Particle-PLUS』 はプラズマ反応炉や化学蒸着(CVD)などのシミュレーションに適したプラズマ解析ソフトウエアです。

Particle-PLUSは、粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです。プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに有効なソフトです。二周波CCPや外部回路モデルなどの高度な物理モデルに対する解析も可能です。充実したサポートによりシミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことができます。プラズマを解析するのに粒子モデルを用い、電子・イオンを代表する粒子の運動を追跡するPIC / MC (Particle In Cell / Mote Carlo)法を採用しております。また、対象プラズマ密度に応じて比較的高密度では陰解法を、低密度では陽解法と使い分けることにより、複雑なモデルでも効率良く解くことができます。特に流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします。標準機能でのCCP、ICP、マグネトロンスパッタ計算はもちろんのこと、お客様の装置にあわせたカスタマイズも行っております。

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シャワーヘッド型CVDの解析ソフト『DSMC-Neutrals』

シャワーヘッド型CVDの解析ソフト『DSMC-Neutrals』

「シャワーヘッド型CVD」解析にも対応した 希薄流体解析ソフトウェア『DSMC-Neutrals』

シャワーヘッド型CVD装置内のガス流れのシミュレーション解析 はじめ様々なシミュレーションに対応 【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり，品質の悪い計算格子が有っても，必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子（原子）交換反応計算 ・GUI 上で，複数の反応式を設定も可能 ※受託解析もしておりますので、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ダスト挙動の解析ソフト『DSMC-Neutrals』

ダスト挙動の解析ソフト『DSMC-Neutrals』

「コンタミネーションに影響するダスト挙動」解析にも対応した 希薄流体解析ソフトウェア『DSMC-Neutrals』

「コンタミネーションに影響するダスト挙動」のシミュレーション解析 はじめ様々なシミュレーションに対応 【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり，品質の悪い計算格子が有っても，必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子（原子）交換反応計算 ・GUI 上で，複数の反応式を設定も可能 ※受託解析も行っておりますので、お気軽にお問い合わせ下さい。

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真空装置向け 希薄流体解析ソフト『DSMC-Neutrals』

真空装置向け 希薄流体解析ソフト『DSMC-Neutrals』

低圧条件のガス流れの解析ができる 希薄気体(希薄流体)にも対応した解析ソフト

【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり，品質の悪い計算格子が有っても，必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子（原子）交換反応計算 ・GUI 上で，複数の反応式を設定も可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】「Particle-PLUS」2周波CCPのプラズマ解析

【事例】「Particle-PLUS」2周波CCPのプラズマ解析

Particle-PLUS解析事例紹介「2周波CCPのプラズマ解析」シミュレーション事例

CCP（容量結合プラズマ）装置のプラズマ解析に関する事例です。 Particle-PLUSは真空チャンバ内のプラズマ解析を得意としており、 電極が複数ある場合や重畳周波数を印加する場合に対しても 高速にシミュレーションを行うことができます ◇『Particle-PLUS』の特徴 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】Particle-PLUS:CCPによるクリーニング処理

【事例】Particle-PLUS:CCPによるクリーニング処理

Particle-PLUS解析事例紹介「CCPによるクリーニング処理」シミュレーション事例

代表的なドライエッチング手法のひとつである、CCP（容量結合プラズマ）エッチングに関する解析事例です。 Particle-PLUSは真空チャンバ内のプラズマ解析を得意としており、 高速にエッチング率などのシミュレーションを行うことができます。 ◇『Particle-PLUS』の特徴 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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事例:Particle-PLUS:GEC-CCP装置プラズマ解析

事例:Particle-PLUS:GEC-CCP装置プラズマ解析

Particle-PLUS解析事例紹介「GEC-CCP装置のプラズマ解析」3Dシミュレーション事例

代表的なドライエッチング手法のひとつである、CCP（容量結合プラズマ）エッチングに関する3Dでの解析事例です。 Particle-PLUSは真空チャンバ内のプラズマ解析を得意としており、 高速にエッチング率などのシミュレーションを行うことができます。 ◇『Particle-PLUS』の特徴 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】Particle-PLUS:3D対向ターゲット式パッタ

【事例】Particle-PLUS:3D対向ターゲット式パッタ

Particle-PLUS解析事例紹介「対向ターゲット式パッタ(3D解析)」シミュレーション事例

基盤に低ダメージな成膜手法のひとつである、対向ターゲット式スパッタの解析事例です。 3D計算は、2D計算と比較して計算コストは大きくなりますが、 より複雑な形状とそこからの影響を考慮してシミュレーションを行えます。 ◇『Particle-PLUS』の特徴 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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粒子法3D希薄流体解析ソフトウェア『DSMC-Neutrals』

粒子法3D希薄流体解析ソフトウェア『DSMC-Neutrals』

低圧条件のガス流れの解析ができる 希薄気体(希薄流体)にも対応した解析ソフト

【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり，品質の悪い計算格子が有っても，必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) ・CVD のような化学反応を含む成膜シミュレーション などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子（原子）交換反応計算 ・GUI 上で，複数の反応式を設定も可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】「Particle-PLUS」RFマグネトロンスパッタ

【事例】「Particle-PLUS」RFマグネトロンスパッタ

Particle-PLUS解析事例紹介「RFマグネトロンスパッタ解析」シミュレーション事例

プロセスプラズマを用いた成膜手法のひとつである、RFマグネトロンスパッタの解析事例です。 Particle-PLUSは真空チャンバ内のプラズマ解析を得意としており、 高速に成膜速度などのシミュレーションを行うことができます。 ◇『Particle-PLUS』の特徴 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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