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半導体デバイスの3次元TCADシミュレーション解析ツール
クロスライトの3次元TCADを構成する製品の特徴を紹介。実際の計算例にPower NPN BJT、Interconnect Metal Debiasing、Power LDMOS、CMOS Image Sensor、FINFETなどのデバイスをピックアップ。プロセスシミュレーターCSpuremによるデバイス作成、デバイスシミュレーターAPSYSによる電気的および光的特性の解析や熱解析を例示。
SiC MESFETの3次元デバイス解析ツール
MaskEditorによるマスクパターン設計、CSupremによるプロセスシミュレーション、APSYSによるデバイスシミュレーンまでのフローで設定のポイントを紹介。また計算結果をグラフィカルにプロットし解析のポイントや特性を例示。
ハイボルテージMOSFETの2/3次元デバイス解析ツール
ハイボルテージ(High Voltage) MOSFETを題材に2次元/3次元シミュレーションを紹介。内容：プロセスシミュレーターCSupremとデバイスシミュレーターAPSYSのモデルを概観、プロセスシミュレーションについて解説、300V LDMOSのブレークダウン(Breakdown)の解析、フローティングゲート(floating gates)の3次元シミュレーション、ハイブリッドIGBT(hybrid IGBT)の3次元シミュレーション。
CMOSイメージセンサー3D解析ツール
クロスライトのTCADや3Dシミュレーションの特徴を紹介。また、3D構造を構築するためのツールであるMaskEditorやSemiCrafterの特徴を説明。実際シミュレーションを行うためにCMOSイメージセンサー(CMOS Image Sensor)のプロセスの概要を示し、各ステップ毎の作業を解説。
薄膜トランジスタの3次元解析ツール
プロセスシミュレータCSupremとデバイスシミュレーターAPSYSを利用した3次元計算の概要を紹介。MaskEditorによるパターン作成、このパターンをもとにプロセスシミュレーション、プロセスシミュレーション結果をもとに薄膜トランジスタ(TFT)の電気的、光的特性をデバイスシミュレーションし結果プロットを表示。
