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SICMOSFET(ゲート抵抗) - メーカー・企業と業務用製品 | イプロスものづくり

SICMOSFETの製品一覧

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大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス&ストレージ】

産業機器にも最適な1200V !高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献!

東芝デバイス&ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V~5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵し、 電力損失も低減します。 【応用機器】 ■産業機器等の高出力・高効率大容量AC-DCコンバーター ■太陽光インバーター ■UPS等の大容量双方向DC-DCコンバーター ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

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Sic SiC MOSFET

低オン抵抗とシリコンの約10倍の耐圧強度により、優れた電力性能を発揮!

当社で取り扱う「Sic SiC MOSFET」について、ご紹介いたします。 絶縁ゲート構造を持つMOSFETであり、シリコンMOSFETと同等の設計で ありながら、より高い耐圧と優れた熱伝導率を実現。高速かつ高い堅牢性を 備え、コンパクトかつ低コストで高効率なシステム設計を可能にします。 SiC MOSFETを採用したシステムは、従来のシリコンベースと比較して、 より高い性能と効率を実現します。 【メリット】 ■高周波スイッチングに対応し、性能と効率を最大化 ■高温環境下でも安定した動作が可能 ■周辺部品(インダクタ、フィルタ等)の小型化により、システム全体の  小型化を実現 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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