SiC MOSFET FMG50AQ120N6
高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品
・放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用 ・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 価格：応相談
SICMOSFET(抵抗) - 企業3社の製品一覧
製品一覧
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大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス＆ストレージ】
産業機器にも最適な1200V ！高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献！
東芝デバイス＆ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵し、 電力損失も低減します。 【応用機器】 ■産業機器等の高出力・高効率大容量AC-DCコンバーター ■太陽光インバーター ■UPS等の大容量双方向DC-DCコンバーター ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
- 企業：マウザーエレクトロニクス
- 価格：応相談
SiC MOSFET『FMG50AQ120N6』
パッケージのスペースを最大限に有効活用できるため低いRDS(on)を実現
『FMG50AQ120N6』は、TO-247-4Lパッケージ(絶縁)のSiC MOSFETです。 両面はんだ接合による配線抵抗の低減と強固な接合を実現。 還流ダイオード(FWD)機能を内蔵しており、高いノイズ耐性がございます。 産業用インバーターや無停電電源装置(UPS)、各種スイッチング電源などに 好適です。ご要望の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：モリ電子工業株式会社
- 価格：応相談
