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フル機能フォトカプラ！コンパクトな表面実装SO-16パッケージで提供します。
『ACPL-302J-000E』は、絶縁型フライバックDC-DCコンバータ・ コントローラを内蔵した2.5A出力のIGBTゲート駆動用フォトカプラです。 高速伝達遅延性能により、優れたタイミング制御と効率を実現します。 産業用インバータ、モータ駆動、電源機器および再生可能エネルギー発電 用途などでIGBTおよびパワーMOSFETを駆動するのに理想的です。 【特長】 ■安定化出力電圧：20V ■広い入力電圧範囲：8～18V ■最大ピーク出力電流：±2.5A ■レール・ツー・レール出力電圧 ■ミラークランプ・シンク電流：1.7A ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高いノイズ耐性！車載および高温産業用途に適合した高い絶縁性と信頼性を提供します
『ACPL-32JT』は、R2Coupler車載用途向け2.5Apeak IGBT ゲート駆動フォトカプラです。 絶縁型フライバックDC-DC用コントローラ、非飽和検出機能、 アクティブ・ミラークランプ機能およびUVLOフィードバック機能を内蔵。 短い伝達遅延時間と高精度なタイミングスキュー性能により、 優れたタイミング制御と効率を実現します。 【特長】 ■AEC-Q100 Grade1試験ガイドライン準拠 ■車載用途に適した動作温度範囲：-40℃～125℃ ■絶縁型フライバックDC-DC用コントローラ ■安定化出力電圧：20V ■ピーク出力電流：2.5A(最大) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速伝達遅延と優れたタイミング・スキュー性能！
『ACPL-352J』は、5A出力インテリジェント・ゲート駆動用フォトカプラです。 ピーク出力電流が大きく動作電圧範囲が広いため、モータ制御および インバータ用途においてSiC/GaN MOSFETやIGBTを直接駆動するのに理想的です。 安全規格IEC/EN/DIN、ULおよびCSAの認証を受けた強化絶縁を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：5.0A ■最小ピーク出力電流：4.5A ■最大伝達遅延時間：150ns ■ターンオンおよびターンオフ時間を制御するデュアル出力 ■短絡（非飽和）検出と調整可能なソフト遮断機能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
モータ制御インバータで使用されるIGBTやパワーMOSFETの駆動に理想的！
『ACNW3430』は、パワー出力段を備え集積回路に光結合された LEDを内蔵しているゲート駆動用フォトカプラです。 100kV/μsの雑音耐性を備え、雑音が多い産業環境での誤駆動を防止。 出力電圧および高ピーク出力電流により、IGBTの直接駆動に理想的です。 また、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5における最大動作絶縁電圧 VIORM=1414 Vpeakを備えています。 【特長】 ■ピーク出力電流5.0A(最大) ■レール・ツー・レール出力電圧 ■負電源使用時VE を基準とするUVLO ■最大伝達遅延時間150ns ■最大伝達遅延時間差90ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
国際安全規格の認定を取得！2.5A IGBTゲート駆動用フォトカプラ
『ACNV3130-000E』は、AlGaAs技術を採用したLEDと、それに光学的に 結合する集積回路で構成されたIGBTゲート駆動用フォトカプラです。 2.5Aの最大ピーク出力電流を得ることができる出力段を備える、 最大定格が1700V/100AまでのIGBTを駆動することが可能。 UL規格とIEC 60747-5-5規格の認証取得に必要な7.5kV RMSの入出力間 絶縁電圧V ISOと2262V PEAKの動作絶縁耐圧V IORMを達成しています。 【特長】 ■2.5Aの最大ピーク出力電流 ■最大で500nsの伝搬遅延 ■伝搬遅延の誤差は最大でも350ns ■優れたCMR（同相信号除去）性能：同相電圧V CM = 1500Vにおいて40kVμs ■電源電流I CCは最大でも5.0mA ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電圧絶縁と頑強な保護！ゲート制御による装置に必要な駆動電圧を供給することが可能
『ACPL-P340/ACPL-W340』は、ゲート駆動用フォトカプラです。 パワー出力段と光学的に組み合わせたAlGaAs LEDで構成。 産業用モータドライブ、インバータおよび電源アプリケーション向けに 高電圧絶縁と頑強な保護を提供します。 最大定格1200V/50AまでのゲートドライブでIGBTを直接駆動させるのに 理想的なデバイスです。 【特長】 ■ピーク出力電流：1.0A(Max.) ■ピーク出力電流：0.8 A (Min.) ■レール・ツー・レール出力電圧 ■伝達遅延：200ns(Max.) ■伝達遅延差：100ns(Max.) ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参照設計図付き解説資料を進呈
『ACFL-3161』は、出力ピーク電流が10Aのゲート駆動フォトカプラです。 モーターやインバーターなど、高い絶縁性能が求められ、 搭載スペースに制約のある産業用アプリケーションで活躍します。 100kV/μsを超えるコモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、 ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。 さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、 IGBTおよびSiC/GaN MOSFETの駆動効率の向上に貢献します。 【特長】 ■単一チャンネルSO-12パッケージ、沿面・空間絶縁距離は約8mm ■材料クラスIで、CTI≧600V対応 ■立ち上がり・立ち下がり時間7ns(typ)を実現可能 ■バス・鉄道車両等での採用実績が多数 ※評価ボードの提供が可能です。詳しくはお気軽にお問い合せください。 ※AEC-Q100 グレード1準拠の車載製品(ACFL-3161T)のリリースも予定しています。 ★下記ダウンロードボタンより、参照設計図も付いた 「SiC/GaNゲート駆動フォトカプラ」の解説資料(英語)をご覧いただけます。
高圧でノイズの多い産業用途において、安全な信号分離と高い絶縁信頼性を提供
『ACPL-337J-000E』は、IGBTやパワーMOSFETを直接駆動することができる フル機能4.0A出力ゲート駆動フォトカプラです。 高DESATブレーキ電流源、およびフィードバック機能付き アンダボルテージ・ロックアウト（UVLO）をすべて整備。 モータ制御および電力インバーター/コンバーター・アプリケーションに向けて 簡単にプレーを楽しむことができます。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：4.0A ■レール・ツー・レール出力電圧 ■ミラークランプ・シンク電流：2.0A ■フェルシーフIGBT保護機能内蔵 ■最大伝達遅延（全温度範囲）：250ns ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
正/負電源用のヒステリシス付きアンダーボルテージロックアウト保護
『ACPL-339J-000E』は、高性能な1Aピークデュアル出力のIGBTおよび パワーMOSFETゲート駆動用フォトカプラです。 様々な定格電流のMOSFETバッファに対応。素子の変更に伴う重要な回路絶縁と 短絡防止の設計変更は、低電力定位から高電力定位までのモータ制御および 電力変換アプリケーションのゲート駆動設計の拡張性を最大化することができます。 【特長】 ■外部NMOSおよびPMOSバッファを駆動するデュアル出力 ■最小ピーク出力電流1.0A ■MOSFETバッファでの上下短絡を防ぐアクティビティ・タイミング制御 ■IGBT非飽和（DESAT）検出 ■光学的に分離されたDESATおよびUVLOフォルト・フィードバック ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
出力段の動作電圧が広範囲！ゲート制御装置に必要な駆動電圧を提供します。
『ACNT-H313-000E』は、14.2mmの沿面距離と空間距離を 有する高性能2.5Aゲート駆動用フォトカプラです。 フォトカプラが出力する電圧と高ピーク電流により、IGBTを直接駆動が できます。 沿面距離と空間距離が14.2mmのストレッチSO8パッケージを採用し、 高電圧電源用途に必要とされる長い沿面距離と空間距離および 高い強化絶縁電圧を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流 2.5A ■最小ピーク出力電流 2.0A ■最大伝達遅延 500ns ■最大伝達遅延差 350ns ■最小同相除去(CMR)性能：40kV/μs @ VCM＝20,000V ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
出力ピーク電流10A。IGBT/SiC/GaNモジュール駆動に。保護機能付きCTI600V（材料クラスI）のSO16パッケージ
『ACPL-355JC』は、10Aのピーク出力電流と広い動作電圧に対応したゲート駆動フォトカプラです。 高い同相ノイズ除去特性（100kV/μs）によりモーター制御およびインバーターアプリケーションにおけるIGBT、SiC/GaN MOSFETなどのモジュール駆動に適しています。 優れたタイミングスキュー性能を持ち、伝搬遅延時間は140ns。 過電流からモジュールを保護し、コントローラーへ状態をレポートする、機能安全を搭載しています。 【特長】 ■保護機能付きCTI600V（材料クラスI）のSO16パッケージで コンパクトに実装可能 ■海外安全規格IEC/EN/DIN、ULおよびCSAの認定を受けた強化絶縁 ※AEC-Q100 グレード1準拠の車載製品「ACFL-3161T」のリリースも予定しています。 ※SiC-MOSFET用評価ボード（Infineon社製用、Wolfseed社製用）の提供が可能です。詳しくはお気軽にお問合せください。 ★下記ダウンロードボタンより、参照設計図も付いた 「SiC/GaNゲート駆動フォトカプラ」の解説資料(英語)をご覧いただけます。
最大定格1200V/100AのMOSFETおよびIGBTを直接駆動することが可能
『ACPL-W349-000E』は、AlGaAs LEDを内蔵し、パワー出力段を有する 集積回路に光結合する2.5A出力高速ゲート駆動フォトカプラ・デバイスです。 このデバイスは、電力変換アプリケーションで使用されます。 パワー段の広い動作電圧範囲は、ゲート制御素子に必要な駆動電圧を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：2.5A ■広い動作電圧Vcc範囲：15～30V ■最大伝達遅延110ns ■最大伝達遅延差50ns ■レール・ツー・レール出力電圧 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
-40℃から125℃までの幅広い動作温度！最大35nsの伝播遅延を持つ高速用途
『ACPL-M71T-000E』は、SO-5パッケージの高温仕様の デジタルCMOSフォトカプラです。 ハイブリッド自動車および電気自動車に適した当製品は、 CMOS IC技術を用いて優れた性能と低電力消費を実現します。 すべての製品はAEC-Q100対応で、幅広い動作温度-40℃から125℃までの 範囲で作動します。 【特長】 ■5V CMOS対応 ■同相雑音除去：40kV/μs@ VCM=1000V ■動作温度範囲：-40℃ to 125℃ ■低伝播遅延：電力ACPL-M71T: 26ns @ IF=10mA （代表値） ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
前世代の3倍の高速性！雑音の多い環境でのゲート・ドライバ誤動作を防ぎます。
『ACNU-3430-000E』は、600VACモータ・ドライブや1kVDCソーラー用 インバータなど、高電圧でスペースの制約がある産業用途向けに設計された 11mm沿面 SSO-8パッケージ入り5A出力ゲート駆動フォトカプラです。 沿面距離11mm、空間距離10.5mmの高絶縁電圧小型パッケージは、 狭いスペース内で優れた高電圧保護および信号分離を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：5A ■レール・ツー・レール出力電圧 ■VE基準のUVLO ■最大伝達遅延：150ns ■最大伝達遅延差：90ns ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
＊汎用のフォトカプラからIGBT、ハイスピードまで幅広いラインナップ＊クロスリファレンスあり！置き換え可能！
ISOCOMは1982年に創業したフォトカプラ専業メーカーです。 高性能赤外線オプトエレクトロニクスデバイスの リーディングカンパニーとしてローコスト・高品質・短納期で製品を提供！ 生産中止・長納期化の多い日本国内メーカー製品の 置き換え検討にも最適なメーカーです！ 国内メーカーの製品を一部抜粋した相当品確資料を ダウンロードすることが可能です。 その他メーカーの相当品確認や、納期や価格についてなど、 お気軽にお問い合わせください。 納期逼迫により各メーカーの部品入手難が続くなか、 ぜひ一度、ISOCOM製品をご検討下さい。
