更新日： 集計期間:2025年08月20日～2025年09月16日
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超短納期(2週間)ローコストフォトカプラ！高い入出力間絶縁耐圧
当社で取り扱う、『OR-MOC302X(L)/305X(L)/307X(L)』をご紹介します。 当製品のデバイスはそれぞれ、モノリシックシリコンの非ゼロ電圧交差 フォトトライアックに光学的に結合されたGaAs赤外線放射ダイオードで 構成。主要各メーカーの互換品です。 適用範囲は、ACモータードライブ、ACモータースターター、静的電源 スイッチ、照明制御、ソレノイド/バルブ制御、ソリッドステートリレー、 温度制御、となっております。 【スペック(一部)】 ■高電流変換率 ■高い入出力間絶縁耐圧 ■広い使用温度範囲 -55～110℃ ■ESD パス HBM 8000V/MM 2000V ■幅広い安全性の承認：UL認定品・VDE承認・CQC認定品・CE 承認済み ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速伝達遅延と優れたタイミング・スキュー性能！
『ACPL-352J』は、5A出力インテリジェント・ゲート駆動用フォトカプラです。 ピーク出力電流が大きく動作電圧範囲が広いため、モータ制御および インバータ用途においてSiC/GaN MOSFETやIGBTを直接駆動するのに理想的です。 安全規格IEC/EN/DIN、ULおよびCSAの認証を受けた強化絶縁を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：5.0A ■最小ピーク出力電流：4.5A ■最大伝達遅延時間：150ns ■ターンオンおよびターンオフ時間を制御するデュアル出力 ■短絡（非飽和）検出と調整可能なソフト遮断機能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3.3Vまたは5V電源に対応！動作温度範囲は-40℃～+105℃です
『ACNT-H61L-000E』は、14.2mmの沿面距離と空間距離を有する 表面実装パッケージの低消費電力デジタル・フォトカプラです。 AlGaAs発光ダイオード（LED）と高ゲイン受光ICの組み合わせにより、 システム制御。このデバイスは消費電力が極めて少なくて、 消費電流は広い温度範囲で最大2mAです。 再生可能エネルギー・インバータ、医療機器などの高圧電源システムにおける 絶縁型通信ロジック・インターフェイスおよび制御に好適です。 【特長】 ■低消費電流（I DD）：最大2mA ■低入力電流対応：最小5mA ■同相除去（CMR）：20kV/μs@ V CM=1,000V ■高速インターフェース：最小10MBd ■-40℃～+105℃の広い温度範囲 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電源電圧＋5.0V/＋3.3V対応！32段階の遅延時間制御が可能
『PAD-NP/NPL』は、5bit TTL I/O 32段階の遅延時間制御が可能な プログラマブルディレイラインです。 当製品は、遅延時間15.5-155nsまで対応しています。 【PAD-NP仕様】 ■電源電圧：＋5.0V±5％ ■消費電流：90mA typ. ■入出力信号：TTL 74S相当 ■Rise Time：4ns Max. ■Offset delay time：12ns typ. ■環境条件 ・動作温度範囲：0℃～＋70℃ ・保存温度範囲：－20℃～＋85℃ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
正/負電源用のヒステリシス付きアンダーボルテージロックアウト保護
『ACPL-339J-000E』は、高性能な1Aピークデュアル出力のIGBTおよび パワーMOSFETゲート駆動用フォトカプラです。 様々な定格電流のMOSFETバッファに対応。素子の変更に伴う重要な回路絶縁と 短絡防止の設計変更は、低電力定位から高電力定位までのモータ制御および 電力変換アプリケーションのゲート駆動設計の拡張性を最大化することができます。 【特長】 ■外部NMOSおよびPMOSバッファを駆動するデュアル出力 ■最小ピーク出力電流1.0A ■MOSFETバッファでの上下短絡を防ぐアクティビティ・タイミング制御 ■IGBT非飽和（DESAT）検出 ■光学的に分離されたDESATおよびUVLOフォルト・フィードバック ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
立ち上がり、立ち下り時間を広い負荷容量範囲で制御することが可能です
『ACPL-x6xLシリーズ』は、AlGaAs LEDと高ゲイン受光ICで構成された 超低電力10MBdデジタルCMOSフォトカプラです。 3.3V/5Vの電源電圧に対応し、わずか1.6mAの入力電流で動作可能。 マイコンの出力によるフォトカプラの直接駆動が可能です。 CMOS/TTLの互換性を確保し、ACおよびDC回路の最大絶縁を提供。 高速ロジック・インターフェイス用途に適しています。 【特長】 ■低消費電流：1.3mA/チャンネルIdd2電流 ■低入力電流：1.6mA ■内蔵スルーレート制御出力 ■VCM = 20kV/μs@ 1,000V同相除去（CMR） ■高速：10MBd ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
発電システム用途に求められる厳しい要件を満たす！専用のフォトカプラを開発・設計・製造
風力発電は、風の力を利用した環境に配慮した再生可能エネルギー源です。 風力タービンで作られる空気流が発電機の動力となり、電流を作り出し、 基本的に、風力タービンは風の運動エネルギーを電気に変換します。 通常の風力タービンシステムは、インバータ、充電器、コンバータで構成。 さらにファイバリンクが電力変換プロセスと電力貯蔵システム (ESS) において極めて重要な役割を果たしています。 当社は、風力タービン用途に適したフォトカプラおよび産業用ファイバ光学 ソリューションを幅広く提供し、AC-DC、DC-DCおよびDC-AC電力変換装置、 蓄電池 (BB) 用充電器、制御盤および通信ユニット、タービン制御ユニット (TCU) に関する様々な技術的課題に対応します。 【製品ラインアップ】 ■光ファイバ・モジュールおよびコンポーネント ■オプトカプラと光アイソレータ ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
広い使用温度範囲！GaAs赤外線発光ダイオードで構成されたフォトカプラ
当社で取り扱う、『OR-MOC304X(L)/306X(L)/308X(L)』をご紹介します。 超短納期(2週間)ローコストフォトカプラで、主要各メーカーの互換品。 それぞれモノリシックシリコンのゼロ電圧交差フォトトライアックに光学的 に結合されたGaAs赤外線発光ダイオードで構成。 ロジックのインターフェイスでディスクリートパワートライアックと使用 するように設計されています。適用アプリケーションは、ソリッドステート リレー、産業用制御装置、モーター、ソレノイドなどがございます。 【スペック(一部)】 ■高電流変換率 ■高い入出力間絶縁耐圧 ■広い使用温度範囲 -55～110℃ ■ESD パス HBM 8000V/MM 2000V ■幅広い安全性の承認：UL認定品・VDE承認・CQC認定品・CE承認済み ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
経済性に優れ、高品質で信頼性も高いトランス式アダプタ！
ＰＳＥ規格を取得しており出力２Ｗから１２Ｗまで ラインナップしております。 また、コードの長さについても任意で製造できます。 温度環境、期待寿命など使用環境を踏まえて検討します。 ご要望をお聞かせ下さい。 【特長】 ■トランス（ドロッパー）式ACアダプタ ■厳しい品質管理のもとで海外生産しており輸入拡大に寄与 ■レギュレータを内蔵した設計も可能 詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※商社で取扱いに興味がある方は、 お問い合わせ内容に「取扱い希望」とご記載下さい。
高圧でノイズの多い産業用途において、安全な信号分離と高い絶縁信頼性を提供
『ACPL-337J-000E』は、IGBTやパワーMOSFETを直接駆動することができる フル機能4.0A出力ゲート駆動フォトカプラです。 高DESATブレーキ電流源、およびフィードバック機能付き アンダボルテージ・ロックアウト（UVLO）をすべて整備。 モータ制御および電力インバーター/コンバーター・アプリケーションに向けて 簡単にプレーを楽しむことができます。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：4.0A ■レール・ツー・レール出力電圧 ■ミラークランプ・シンク電流：2.0A ■フェルシーフIGBT保護機能内蔵 ■最大伝達遅延（全温度範囲）：250ns ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
数多くのアナログ分離のアプリケーションで卓越したソリューションを提供します
『HCNR201』は、高リニアリティ・アナログ・フォトカプラです。 2つの特性がそろったフォトダイオードと、これらの光源として使用する 高パフォーマンスAlGaAs LEDで構成。 優れた線形特性と安定したゲインを実現します。 また、柔軟性にも優れているので、アプリケーション回路の設計に応じて、 ユニポーラ/バイポーラ、AC/DC、反転/非反転形式など、 さまざまなモードで動作することができます。 【特長】 ■低非線形：0.01% ■K3（IPD2/IPD1）伝達ゲイン：/-5% ■伝達ゲイン温度係数：-65ppm/°C ■広帯域：DC ～ 1MHz ■柔軟な回路設計 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最大定格1200V/100AのMOSFETおよびIGBTを直接駆動することが可能
『ACPL-W349-000E』は、AlGaAs LEDを内蔵し、パワー出力段を有する 集積回路に光結合する2.5A出力高速ゲート駆動フォトカプラ・デバイスです。 このデバイスは、電力変換アプリケーションで使用されます。 パワー段の広い動作電圧範囲は、ゲート制御素子に必要な駆動電圧を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：2.5A ■広い動作電圧Vcc範囲：15～30V ■最大伝達遅延110ns ■最大伝達遅延差50ns ■レール・ツー・レール出力電圧 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
モータ制御インバータで使用されるIGBTやパワーMOSFETの駆動に理想的！
『ACNW3430』は、パワー出力段を備え集積回路に光結合された LEDを内蔵しているゲート駆動用フォトカプラです。 100kV/μsの雑音耐性を備え、雑音が多い産業環境での誤駆動を防止。 出力電圧および高ピーク出力電流により、IGBTの直接駆動に理想的です。 また、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5における最大動作絶縁電圧 VIORM=1414 Vpeakを備えています。 【特長】 ■ピーク出力電流5.0A(最大) ■レール・ツー・レール出力電圧 ■負電源使用時VE を基準とするUVLO ■最大伝達遅延時間150ns ■最大伝達遅延時間差90ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
＊現状LT約2ヵ月＊国内外メーカの相当品を幅広く保有！サンプル対応も可能◎
ISOCOMは1982年に創業したフォトカプラ専業メーカーです。 高性能赤外線オプトエレクトロニクスデバイスの リーディングカンパニーとしてローコスト・高品質・短納期で製品を提供！ 現状納期は約2ヵ月ほどで、他社メーカと比べても 劣ることのない納期スピードです◎ （※製品により多少納期が異なりますので、詳細は別途お問い合わせください） 幅広いラインナップで東芝を筆頭にSHARPやルネサス（旧NEC）製品を はじめとした様々な国内外メーカの相当品を取り揃えています。 生産中止・長納期化の多い日本国内メーカー製品の 置き換え検討にも最適です！ 国内メーカーの製品を一部抜粋した相当品確資料を ダウンロードすることが可能です。 その他メーカーの相当品確認や、納期や価格についてなど、 お気軽にお問い合わせください。 ※サンプル対応も可能です 納期逼迫により各メーカーの部品入手難が続くなか、 ぜひ一度、ISOCOM製品をご検討下さい。
CMOS対応絶縁破壊電圧の両方を提供するオープン・コレクタ出力があります
『ACPL-K370,ACPL-K376』は、電圧/電流検知フォトカプラです。 「ACPL-K376」は、「ACPL-K370」の低電流版です。 より低い駆動電流より高い発光出力を提供する高効率AlGaAsのデバイスは、 広い入力電圧範囲でのスレッショルドレベルの制御を可能にする スレッショルド検出入力バッファICと1つの外部抵抗を活用しています。 【特長】 ■±5％の電圧検出精度 ■1140 Vpeakの広いACまたDC検出範囲 ■ユーザー設定可能なシングル/デュアル検出レベル ■ヒステリシス付きでノイズ耐性を強化 ■1.32mAの超低スレッショルド電流（ACPL-K376） ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
