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高集積、高性能を実現！DCモーター制御アプリケーション向けに、システムコストを最適化
『TLE956012』は、ハーフブリッジゲートドライバと電源および 通信インターフェースを組み合わせているDCモーター(ブラシ付き)ICです。 2個または4個のハーフブリッジ プリドライバーを内蔵したマルチMOSFET ドライバーを搭載。 最大250mAの低ドロップアウト電圧レギュレーター、CAN FD(5 Mbit/s) およびLINトランシーバ、ハイサイドスイッチ(7Ω typ.)、ウェイク入力、 監視機能などを備えています。 【特長】 ■最大4つのPWM入力が可能な2x/4xハーフブリッジ ドライバー ■100mAゲート チャージ定電流 ■5V LDO Vcc1 最大250mA ■最大5つのHV ウェイク入力 ■最大4つの保護機能付きHSスイッチ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
JEDECの産業用アプリケーションに完全に適合！ブートストラップ設計の起動時間を短縮
『EiceDRIVER 2EDN』は、標準/スーパージャンクションMOSFETや ワイドバンドギャップパワースイッチングデバイスの駆動に好適な 高速デュアルチャネル 4A/5Aゲートドライバーです。 アクティブ出力クランプにより、ブートストラップ設計の起動時間を短縮。 大出力電流能力、厳しいタイミング仕様、出力のスタートアップと シャットダウン時間の短縮により、2EDNファミリは多くの高速スイッチング アプリケーションにとって第一の選択肢となります。 【特長】 ■最大±5Aのソース/シンク電流 ■伝搬遅延19ns typ. ■伝搬遅延精度 +6/-4ns ■出力立ち上げ時間1.8μs ■出力シャットダウン時間500ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アプリケーションソフトウェアの再利用が可能！市場投入までの時間を短縮
『1EDI302xAS/1EDI303xAS』は、車載用の高耐圧ゲートドライバーです。 インフィニオンのコアレストランスフォーマー技術を用いて、 ガルバニック絶縁をまたいで信号伝達を行います。 IGBTやSiCパワー技術に最適化されたピン互換製品をラインアップ。 非常にコンパクトなパッケージデザインと高度な機能集積により、 貴重な基板スペースを節約することができます。 【特長】 ■コアレストランス技術を用いた1チャンネル絶縁型IGBT/SiCドライバー ■1200VまでのIGBT/SiC MOSFETに対応 ■最大150V/nsのCMTI（1000V時） ■UL1577準拠の基本絶縁 ■強力なアクティブミラークランプを内蔵し、ユニポーラスイッチングに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
