『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』
高効率・高耐圧GaNスイッチ 研究開発にかかる労力、時間を削減
Infineon Technologies社の当製品は、高効率な市販のシングルチャネル絶縁型窒化ガリウム(GaN) EiceDRIVER ICを使用して、GaN HEMTを駆動させます。 CoolGaN エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER ICの 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することで、好適な駆動を 実現できます。 【特長】 ■低抵抗出力ソース: 0.85Ω、シンク: 0.35Ω <シングルチャネル・ガルバニック絶縁> ■機能絶縁：VIO= 1500VPC ・VIOWM = 510Vrms (16-pin DSO) ・VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5) ■強化絶縁 ・VIOTM = 8000Vpk(VDE 0884-10 未決定) ・VIOWM = 1420 VDC ■最小同相過渡電圧耐性 (CMTI)： 200V/ns ■タイミング ・最小出力パルス幅：18ns ・伝搬遅延精度：13ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- Company：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- Price：応相談
