低電界移動度モデルのシミュレータ
低電界移動度モデルの解析ツール
低電界移動度モデルの概要説明。そのコマンド文法の解説。各機能とパラメータの解説。NMOSを題材にシミュレーションのセットアップについての解説およびその計算結果としてのId-Vd特性およびId-Vg特性のプロットを例示。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
モデルシミュレータ(熱解析) - 企業1社の製品一覧
製品一覧
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Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ
ひずみ持ったMOSFETの量子井戸の解析ツール
クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quantum corrections)をした移動拡散方程式(drift-diffusion equations)の自己無撞着解(self-consistent solution)が可能。様々な応力や結晶方向のひずみを持つシリコンMOSFETの特性が予測可能。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
