1～3 item / All 3 items
ゼータ電位からCMPスラリーとウェーハの静電相互作用を評価
半導体における洗浄プロセスでは、CMPスラリーより表面に吸着するパーティクルや金属不純物、有機物の物理的もしくは、化学的洗浄が行われます。物理洗浄によってパーティクルを剥離した後に洗浄後の再付着を防止することが必要となります。これらの研磨および洗浄条件の検討では、CMPスラリーおよびウェーハのゼータ電位を測定し、スラリーとウェーハの静電相互作用を評価することが有効です。 今回は、スラリーとウェーハそれぞれのpHタイトレーションを行い、ゼータ電位測定をおこないました。 CMPスラリーとウェーハの静電相互作用の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
研磨パッドの表面ゼータ電位測定
半導体ウェーハの研磨工程におけるCMPスラリーは、ウェーハ、スラリー、研磨パッドの組み合わせとして使用されパッド表面の粗さによってスラリーを保持し、ウェーハ表面の被膜が研磨されます。パッド表面の目詰まりは、スクラッチなどの欠陥に寄与し、パッド表面の特性は、研磨性能に寄与すると考えられています。そこで研磨パッドおよびスラリーのゼータ電位を測定し、静電相互作用や吸着特性を検討することは有効であると考えられます。 今回、発泡ポリウレタンの研磨パッドを測定サンプルとし、各pHにおける表面ゼータ電位を行いました。 研磨パッドの表面ゼータ電位測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
ゼータ電位測定でCMPスラリーとウェーハの静電相互作用を評価
CMPプロセスにおいては、ウェーハ表面の清浄度維持が製品の品質を左右する重要な要素です。CMPスラリーとウェーハ間の静電的な相互作用を理解し、最適化することは、パーティクルの再付着を防ぎ、高い洗浄効果を得るために不可欠です。当社の固体表面のゼータ電位測定は、CMPスラリーとウェーハのゼータ電位を測定し、静電相互作用を評価することで、これらの課題解決に貢献します。 【活用シーン】 ・CMPスラリーとウェーハの静電相互作用評価 ・洗浄条件の最適化 ・パーティクル再付着防止 【導入の効果】 ・CMPプロセスの効率化 ・ウェーハ表面の清浄度向上 ・製品の品質向上
