低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET
容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンスを実現
TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。 放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。 実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。 また、設計が容易で、市場投入までの時間を短縮できます。 【特長】 ■TO247パッケージできわめて低いRDS(on) ■.XT技術で最高クラスの放熱性を実現 ■ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下 ■-5V～0Vまでゲートオフ電圧の柔軟な選択 ■アバランシェおよび負荷短絡耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
