更新日： 集計期間:2025年10月15日～2025年11月11日
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古いデータを消去しながら、有効なデータを保存！信頼性の高い長期的なパフォーマンス
当社で取り扱う「1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ AS9FxxG08SA」 をご紹介いたします。 自動車、産業、通信、家電市場におけるレガシーSLCパラレルNANDフラッシュ メモリ製品への需要の高まりに応えるため、アライアンスメモリは、1Gb～8Gbの 密度を備えた新しいAS9Fシリーズの1.8Vおよび3.3Vデバイスを発表。 ブロック消去時間は標準で3msまで短縮されます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■1.8Vおよび3.3VV CC ■1Gbから8Gbまでの密度 ■ブロック消去時間は通常3msまで高速 ■ONFI 1.0仕様に準拠 ■x8 I/O インターフェイス ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
再生産品を提供！今後7年から10数年と大幅な再設計と調達コストを節約することができます/製造中止品(EOL品)の再生産
ある大手航空宇宙メーカー様の事例をご紹介します。 使用しているNANDフラッシュ・メモリが、オリジナル・メーカー（OCM）により 製造中止となった際、同社は、製品に必要なマルチ・ダイ・パッケージ品の 再生産が必要と認識すると同時に、市場で入手可能な同じ形状、適合性 そして機能で完全互換のダイが必要だと認識しました。 そこで製品の再生産について、ロチェスターに お問い合わせをいただきました。 【当社のソリューション】 ■再生産された製品は、形状、適合度、機能の100%互換 ■オリジナルの仕様書を保証 ■ソフトウェアの変更の必要がない互換性を保つ ■製品の再設計や再認証の必要性を回避することで、顧客は時間と費用を節約できる ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。
2018年6月5日～5月9日まで台北で開催中ののComputexに出展しております。
インダストリアルDRAM、3D NAND フラッシュメモリ、NVMe フルシリーズ、PoE イーサネット拡張カードシリーズ、Innodisk の特許取得済みSSD ファームウェア技術を統合した、スマートシティ建設をサポートする⾰新的なストレージソリューションを発表します。 ブースでは、ハードウェア/ファームウェア/ソフトウェアの究極の統合によって⽣み出された独⾃のiCAP クラウドマネージメントプラットフォームによる、接続された世界の様々なインダストリアルアプリケーションの完全な制御のデモを展⽰します。
大きなコードサイズを必要とするアプリケーションの開発に適した容量の製品を選択可能
ウィンボンド・エレクトロニクスは、大容量フラッシュメモリを必要とする アプリケーション向けに、512Mbから8Gbまでの『GigaBitフラッシュ』を 提供しています。 SPI NORをはじめ、QspiNANDやOctalNAND、SLC NANDの製品をラインアップ。 大きなコードサイズを必要とするアプリケーションを開発する場合に 適した容量の製品を選択できます。 【特長】 ■512Mbから8Gbまでご用意 ■SPIバス互換で使用可能なSPI NORとQspiNANDの豊富なラインアップ ■OctalNANDは更に高速化を実現し、最大240MB/sを実現 ■拡張温度範囲により最大105℃保証 ■実績のあるNOR 58nm、NAND46nm-SLCによる高耐久性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
自社F/Wと高い解析能力を活用し高品質を維持しています。お客様に好適なフラッシュメモリ製品をコンシューマから産業用用途まで活躍中
『GT02/GT04シリーズ』は高い解析能力と高品質を維持した「SDカード/MicroSDカード」です。 [GT02] 従来の製品と比較し、速度を遥かに向上させた製品で、ラズベリーパイ・車載機器・産業機器分野などで多数の採用実績があります。 →従来品と比較し、2倍以上にする事により、速度の下げ幅を軽減させています。 製品ラインナップ：16GB～256GB U1/U3 [GT04] PCI Expressの技術を使用し、GT02 と比較し、10 倍以上の速度を可能としました。 製品ラインアップ：256GB/512GB [製品の強み] 部材の品質レベルを管理し、高い解析能力と原因究明により、高品質を維持。 当社では、解析JIGを自社で開発した事により、問題を把握しやすくなり 新製品を素早くリリースしています。 ★仕様一覧と課題解決事例をダウンロードいただけます。 ★ご興味をお持ちの方はサンプル対応可能ですのでお問い合わせください。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい
長期的な半導体製品継続供給のためのソリューション/製造中止品(EOL品)の再生産
半導体製品の“パズル”には、製造中止の原因となる多くのピースが存在しています。これらのピースは、事業収益からファウンドリのプロセス技術、パッケージ、基板やリードフレーム、テストプラットフォーム、および設計リソースなど、半導体製品を構成するサブ部品の1つまで、多岐にわたります。 ロチェスターエレクトロニクスは、オリジナル半導体メーカーより認定された製造メーカーとして、ダイ換算で120億個以上のウェハ在庫を持ち7万種類を超える製品展開が可能、また今まで2万種類以上の再生産実績があります。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
最大4Gbの大容幅！機能安全に対応した設計、ASIL-B準拠、ASIL-DおよびSIL2対応可能
『SEMPER NORフラッシュメモリー』は、自動車、産業機器、通信基地局等の アプリケーションに必要とされる高性能と、業界最高クラスの機能安全と 信頼性を提供します。 ASIL-B準拠およびASIL-Dに対応可能。各パーティション領域は100万回以上の 書き込み/消去サイクルまたは最大25年間にわたりデータを保持できます。 また、幅広い温度範囲(-40℃～＋125℃)に対応しています。 【特長】 ■機能安全：ASIL-B 準拠 ■長期供給 ■ソリューションハブ - SDK、キット、その他のリソース ■エコシステム - チップセットとパートナーによるサポート ■電力密度：256 Mb、512 Mb、1 Gb、2 Gb、4 Gb ■電圧：1.8 V、3.0 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「自動車メーカーが問うべきこと」など詳しく解説！※ゼロトラスト、メモリと通信チャネルを保護するセキュアフラッシュメモリ
CASE時代の車載電子システムではOTAの実装が必須になっており、このデータの終着点はフラッシュメモリとなります。 フラッシュメモリはファームウェアやデータのゴールデンデータを保持する半導体部品です。 昨今SoCへのハッキング事例が相次いでおり、この背景にはフラッシュメモリのリバースエンジニアリングや不正書き換えがあります。 OTAシステムでは、クラウドからTCU、セントラルゲートウェイ、各ECU間で認証通信を行い、正当なファームウェアを送り込んできます。 現在、OTAの最後の通信チャネルであるSoCとメモリ間のSPIバスでは、認証を行っておらず、ファームウェアの正常書き換えの完了を確認する手段がない状況です。 当資料では、この課題に対して解決策を与えるメモリソリューションを提案しています。ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■アプリケーションがさらなるセキュリティと安全性のニーズを牽引 ■自動車メーカーが問うべきこと ■未来の車 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
単一メモリ製品での直接コード実行とデータストレージが可能。産業用ロボットや医療用機器等、多岐にわたるアプリケーション対応
1M～16Mの密度で利用可能なこのデバイスは、55nsのアクセス時間を提供し、 高速で低レイテンシの読み取り速度を実現します。 さらに、単一メモリ製品での直接コード実行とデータストレージの 両方を可能にします。 産業用ロボットや、ネットワークルーターおよびスイッチなどの アプリケーションに対応します。 【特長】 ■AMIC、MACRONIX社などの製品に置き換え可能 ■1M～16Mの密度で利用可能 ■55nsのアクセス時間を提供 ■高速で低レイテンシの読み取り速度を実現 ■単一メモリ製品での直接コード実行とデータストレージの両方が可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
産業用SSDの温度の定義と用語-Part Iについてご紹介いたします！
温度が高くなると、物理的にも化学的にも処理が加速します。 これは特にNANDフラッシュメモリセルの損傷に関して当てはまります。 つまり、NANDフラッシュを高温で使用すると、耐久性が著しく低下する 可能性があります。 絶縁層の特性の変化により敏感であるため、しきい値レベルを複数保存する 高密度のフラッシュでこの影響はより大きくなります。 NANDフラッシュの耐用年数を最大にするためには、フラッシュメモリ コントローラーがこれらの変化を監視し、適応していく必要があります。 周囲温度の変化やデバイスの電源オン/オフによる温度サイクルいずれも、 異なる材料は異なる速度で膨張・収縮するため、コンポーネントに 物理的なストレスを与えます。これは最終的に電気的接続の破損を 引き起こす可能性があります。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
NANDフラッシュメモリのオクタル・インターフェース！Octal NANDによって大容量コードストレージを提供可能に
当社が取り扱う『Octal NAND Flash』は、車載や産業機器用 アプリケーションに必要な高耐久性と高信頼性を実現する製品です。 10年のデータ・リテンションと10万回のプログラム/イレースサイクルを提供。 連続読出しスループットは最大240Mバイト/秒であり、既存のQspi NAND フラッシュメモリの3倍高速な製品です。 【製品特長】 ■インターフェース：Octal SPI ■バス幅：x1/x8 ■読出し速度：最大240Mバイト/秒 ■書込み速度：最大9Mバイト/秒 ■エンデュランス：10万回 ■データ・リテンション：10年 ■ECC：1セクターあたり1ビットの訂正能力をもつECCを メモリーチップ内に搭載 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
バッテリー駆動等、低消費が求められるアプリケーションを設計している貴方へ！超低消費SPI NOR Flashをご紹介
当社で取り扱う、ルネサスエレクトロニクス社製の『SPI NOR Flash AT25EUシリーズ』をご紹介いたします。 超低消費と高速動作の両立を実現した当製品は、読み出し時に最大で70％、 書き込み時に最大で75％の低消費を実現します。 VCC 1.65V-3.6Vで幅広い電圧範囲に対応しており、LDO等の追加部品が不要。 業界スタンダードのコマンド、構造、ピンアウトで置き換えが容易です。 【特長】 ■読み出し時最大で70％、書き込み時最大で75％の低消費を実現 ■VCC 1.65V-3.6Vで幅広い電圧範囲に対応しており、LDO等の追加部品が不要 ■汎用性の高いパッケージ、ピンアウトで他社製品からの置き換えが容易 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。 カタログをダウンロードされたお客様の情報は、株式会社リョーサン及びルネサスエレクトロニクス株式会社が取得し、各社のプライバシーポリシーに基づいて共同利用させていただきます。
