『ステップアライメント処理』は、単結晶 SiC ウエハ表面 （エピ表面を含む）の平滑化を促進する前処理（または後処理）です。 単結晶SiCのSi面に対して顕著な平滑化の効果を発揮し、 微傾斜基板に対してはステップ間隔の均一化を促進。 SiC基板に与える熱的ストレスが小さいことに加え、 バッチ式の処理であるため、処理枚数が増えるほどコストが低減します。 【実績】 ■SiCデバイス製造工程においては、熱酸化膜前に 　ステップアライメント処理を施すことにより、酸化膜/SiC界面の 　平滑性が向上することが確認されている ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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