印加磁場が電子に与える影響を可視化し、 電子/スピン分布の直接観察・評価が可能！
従来、電子線ホログラフィーを用いて、各種物質内のナノスケールでの電場や磁場を可視化したり、帯電による電子の動きを可視化したりすることが行われてきた。しかし、試料に印加した磁場が試料表面や試料表面近傍に存在する二次電子に対してどのような影響を与えるかについては、未だ可視化して評価することができないという課題があった。 本発明によって、磁場の印加が試料表面や試料表面近傍に存在する二次電子に対して与える影響を可視化して評価することができる電子線ホログラムの作成方法、磁場情報測定方法および磁場情報測定装置を提供することが可能となった。本発明は、試料に磁場を印加した状態で試料の 影響を受けた電子線からなる物体波と、試料の影響を受けない電子線からなる参照波とを干渉させて電子線ホログラムを作成することを特徴とする。
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The revenue generated from technology transfer is reinvested as new research funding for universities and researchers, and is utilized to create further research outcomes. To ensure the smooth operation of this cycle, known as the "Intellectual Creation Cycle," we will vigorously promote technology transfer. The types of seeds we handle include patents, know-how, databases, and programs. We have established a collaborative framework by signing basic technology transfer agreements with the following universities (as of June 1, 2025): Tohoku University, Hirosaki University, Iwate University, Akita University, Fukushima University, Yamagata University, Tohoku Gakuin University, Iwate Medical University, Fukushima Medical University, Aizu University, Miyagi University, Hokkaido University, Muroran Institute of Technology, and Showa Medical University.
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