CVD - 企業ランキング(全7社)
更新日： 集計期間:2025年04月30日〜2025年05月27日
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| 会社名 | 代表製品 | ||
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| 製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
| 密閉式チャンバー内で、ウェハを成膜面を下に向け裏面を吸着した状態で加熱させ、プロセスガスを下部より吹き上げながら成膜するFace-down成膜方式の採用により、低パーティクルで安全かつ高品質な成膜を実現しました。特許取得済のウェハ反り矯正機能により、SiCウェハの様な反りの大きなウェハでも確実に吸着でき、優れた膜厚均一性を得ることが可能です。 ウェハ周辺の副反応生成物の付着を低減させた構成にすることで、メンテナンス性（低負荷かつ長周期）を向上させています。 コンパクトな筐体サイズで、隣接設置も可能なので、フットプリントを最小化することができます。 ●装置サイズ(mm): 890(W) x 2300(D) x 2250(H) ●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション) ●成膜温度: 350～450℃ | 【用途】 ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・光導波路(NSG/BPSG) 【納入実績】 ・国内外半導体デバイスメーカー ・大学/研究機関・研究所 | ||
| ウェハを載せたトレーを連続で搬送させ、下部より加熱しながらディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を通過させることで成膜させることで、高スループット(高生産性)を実現しました。 トレー材質にはSiCを採用することで、重金属汚染(メタルコンタミネーション)を最小限にし、また長期的に安定したプロセス性能を得ることが可能となりました。 トレー交換を容易に行える自動交換機能など、メンテナンス性も良好です。 AMAX1200は、12インチまでのウェハに対応し、最大で1時間あたり56枚の成膜が可能です。 ●装置サイズ:2165mm(W) x 4788mm(D) x 2250mm(H) ●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) ●成膜温度: 350～430℃ | 【用途】 ・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) 【納入実績】 ・国内外ウェハメーカー ・半導体デバイスメーカー ・AMAXシリーズ合計: 180台以上 | ||
| 大型トレーに複数枚ウェハをマニュアル装填し、トレーがディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を往復させ成膜を行います。 常圧CVD(APCVD)の特色はそのまま、手軽に成膜が可能す。 ●納入実績 ・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー ・大学/研究機関 ●装置サイズ(mm): 1200mm(W) x 2480mm(D) x 1940mm(H) ●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション) SiH4/O3系 (SiH4/PH3/B2H6/O3/O2/N2)(オプション) ●成膜温度: 350～430℃（SiH4/O3系 150～300℃) | 【用途】 ・層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・太陽電池(セル)向け固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG) 【納入実績】 ・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー ・大学/研究機関 | ||
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株式会社渡辺商行
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- 代表製品
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高性能枚葉式常圧CVD(APCVD)装置 (A200V)
- 概要
- 密閉式チャンバー内で、ウェハを成膜面を下に向け裏面を吸着した状態で加熱させ、プロセスガスを下部より吹き上げながら成膜するFace-down成膜方式の採用により、低パーティクルで安全かつ高品質な成膜を実現しました。特許取得済のウェハ反り矯正機能により、SiCウェハの様な反りの大きなウェハでも確実に吸着でき、優れた膜厚均一性を得ることが可能です。 ウェハ周辺の副反応生成物の付着を低減させた構成にすることで、メンテナンス性（低負荷かつ長周期）を向上させています。 コンパクトな筐体サイズで、隣接設置も可能なので、フットプリントを最小化することができます。 ●装置サイズ(mm): 890(W) x 2300(D) x 2250(H) ●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション) ●成膜温度: 350～450℃
- 用途/実績例
- 【用途】 ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・光導波路(NSG/BPSG) 【納入実績】 ・国内外半導体デバイスメーカー ・大学/研究機関・研究所
高生産性連続式常圧CVD(APCVD)装置 (AMAX1200)
- 概要
- ウェハを載せたトレーを連続で搬送させ、下部より加熱しながらディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を通過させることで成膜させることで、高スループット(高生産性)を実現しました。 トレー材質にはSiCを採用することで、重金属汚染(メタルコンタミネーション)を最小限にし、また長期的に安定したプロセス性能を得ることが可能となりました。 トレー交換を容易に行える自動交換機能など、メンテナンス性も良好です。 AMAX1200は、12インチまでのウェハに対応し、最大で1時間あたり56枚の成膜が可能です。 ●装置サイズ:2165mm(W) x 4788mm(D) x 2250mm(H) ●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) ●成膜温度: 350～430℃
- 用途/実績例
- 【用途】 ・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) 【納入実績】 ・国内外ウェハメーカー ・半導体デバイスメーカー ・AMAXシリーズ合計: 180台以上
小規模生産・開発用常圧CVD(APCVD)装置 (D501)
- 概要
- 大型トレーに複数枚ウェハをマニュアル装填し、トレーがディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を往復させ成膜を行います。 常圧CVD(APCVD)の特色はそのまま、手軽に成膜が可能す。 ●納入実績 ・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー ・大学/研究機関 ●装置サイズ(mm): 1200mm(W) x 2480mm(D) x 1940mm(H) ●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション) SiH4/O3系 (SiH4/PH3/B2H6/O3/O2/N2)(オプション) ●成膜温度: 350～430℃（SiH4/O3系 150～300℃)
- 用途/実績例
- 【用途】 ・層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・太陽電池(セル)向け固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG) 【納入実績】 ・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー ・大学/研究機関
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