CVD - 企業ランキング(全8社)
更新日： 集計期間:2025年11月12日〜2025年12月09日
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企業情報を表示
| 会社名 | 代表製品 | ||
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| 製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
| 密閉式チャンバー内で、ウェハを成膜面を下に向け裏面を吸着した状態で加熱させ、プロセスガスを下部より吹き上げながら成膜するFace-down成膜方式の採用により、低パーティクルで安全かつ高品質な成膜を実現しました。特許取得済のウェハ反り矯正機能により、SiCウェハの様な反りの大きな... | 【用途】 ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・光導波路(NSG/BPSG) 【納入実績】 ・国内外半導体デバイスメーカー ・大... | ||
| ウェハを載せたトレーを連続で搬送させ、下部より加熱しながらディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を通過させることで成膜させることで、高スループット(高生産性)を実現しました。 トレー材質にはSiCを採用することで、重金属汚染(メタルコンタミネーション)を最小限にし、また長期的に安... | 【用途】 ・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG) ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) 【納入実績】 ・... | ||
| ウェハを載せたトレーを連続で搬送させ、下部より加熱しながらディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を通過させることで成膜させることで、高スループット(高生産性)を実現しました。 トレー材質にはSiCを採用することで、重金属汚染(メタルコンタミネーション)を最小限にし、また長期的に安... | 【用途】 ・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) 【納入実績】 ・国内外ウェハメーカー ・半導体デバイスメーカー ・AMAXシリーズ合計: 180台以上 | ||
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株式会社渡辺商行
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- 代表製品
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高性能枚葉式常圧CVD(APCVD)装置 (A200V)
- 概要
- 密閉式チャンバー内で、ウェハを成膜面を下に向け裏面を吸着した状態で加熱させ、プロセスガスを下部より吹き上げながら成膜するFace-down成膜方式の採用により、低パーティクルで安全かつ高品質な成膜を実現しました。特許取得済のウェハ反り矯正機能により、SiCウェハの様な反りの大きな...
- 用途/実績例
- 【用途】 ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) ・光導波路(NSG/BPSG) 【納入実績】 ・国内外半導体デバイスメーカー ・大...
高生産性連続式常圧CVD(APCVD)装置 (AMAX800V)
- 概要
- ウェハを載せたトレーを連続で搬送させ、下部より加熱しながらディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を通過させることで成膜させることで、高スループット(高生産性)を実現しました。 トレー材質にはSiCを採用することで、重金属汚染(メタルコンタミネーション)を最小限にし、また長期的に安...
- 用途/実績例
- 【用途】 ・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG) ・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) 【納入実績】 ・...
高生産性連続式常圧CVD(APCVD)装置 (AMAX1200)
- 概要
- ウェハを載せたトレーを連続で搬送させ、下部より加熱しながらディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を通過させることで成膜させることで、高スループット(高生産性)を実現しました。 トレー材質にはSiCを採用することで、重金属汚染(メタルコンタミネーション)を最小限にし、また長期的に安...
- 用途/実績例
- 【用途】 ・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG) ・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG) 【納入実績】 ・国内外ウェハメーカー ・半導体デバイスメーカー ・AMAXシリーズ合計: 180台以上
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株式会社渡辺商行
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