CVD装置 - 企業ランキング(全22社)
更新日: 集計期間:2025年11月26日〜2025年12月23日
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| 会社名 | 代表製品 | ||
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| 製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
| 【仕様】 ■ICP-CVD成膜装置 及び ICP-RIEドライエッチャー ■-20℃~150℃(オプションにより変更可能) ■クーポンタイプから最大φ200mmフルウェーハまで対応 ■2”ウェハ7枚、3”ウェハ3枚等のバッチ処理も可能 ■ガス配管:標準8ライン(オプションにより最... | 【用途】 ■ドライエッチング、及び成膜を必要するさまざまな製品の開発 | ||
| 【スペック】 ■サイズ:(本体・標準)W~800mmxD1700mmxH1500mm ※サイズは構成に応じて異なる ■ガス配管:最大12ライン(プロセスガス11ライン+パージ用N2) ■対応ウエーハサイズ:最大φ200mmフルウエハ、クーポンタイプ、パッケージ化ダイ等 ... | 【用途】 ■半導体製造プロセスでの成膜、エッチング、クリーニング、パターニングに ■半導体デバイスの評価プロセス・故障解析でのポリマー層・層間絶縁膜等の除去に | ||
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- 代表製品
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プラズマCVD装置『210Dモデル』
- 概要
- 【仕様】 ■ICP-CVD成膜装置 及び ICP-RIEドライエッチャー ■-20℃~150℃(オプションにより変更可能) ■クーポンタイプから最大φ200mmフルウェーハまで対応 ■2”ウェハ7枚、3”ウェハ3枚等のバッチ処理も可能 ■ガス配管:標準8ライン(オプションにより最...
- 用途/実績例
- 【用途】 ■ドライエッチング、及び成膜を必要するさまざまな製品の開発
プラズマCVD装置『SHUTTLELINE(R)シリーズ』
- 概要
- 【スペック】 ■サイズ:(本体・標準)W~800mmxD1700mmxH1500mm ※サイズは構成に応じて異なる ■ガス配管:最大12ライン(プロセスガス11ライン+パージ用N2) ■対応ウエーハサイズ:最大φ200mmフルウエハ、クーポンタイプ、パッケージ化ダイ等 ...
- 用途/実績例
- 【用途】 ■半導体製造プロセスでの成膜、エッチング、クリーニング、パターニングに ■半導体デバイスの評価プロセス・故障解析でのポリマー層・層間絶縁膜等の除去に
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プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社