エッチング装置 - 企業ランキング(全33社)
更新日： 集計期間:2025年08月20日〜2025年09月16日
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| 会社名 | 代表製品 | ||
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| 製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
| RIE-10NRは、Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的としたリアクティブイオンエッチング装置です。本装置は、価格が低廉でありながら搭載されたPLCにより各種エッチング条件の管理を行うことができるコストパフォーマンスに優れた装置です。 | ・Si、Poly-Si、SiO₂、SiNなどの各種シリコン薄膜の高精度エッチング ・半導体レーザの作製 ・欠陥解析 | ||
| 【特長】 <RIE-400iPC> ■最大Φ4”ウエハ対応 ■高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現 ■反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現 ■干渉型、発光分光型のエンドポイントモニタに対応しており、狙い膜厚での終点検出が可能 | |||
| RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大型トレーに対応 Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、 Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、 Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の 採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた エッチングが可能 ○低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能 ○基板ステージおよび反応室内壁の温度制御により、安定した条件での エッチングが可能 ○ロードロック室にもターボ分子ポンプを採用し、より安定したプロセスを提供 | 【応用例】 GaN系電子デバイス、発光デバイスの製作 詳細は、資料請求もしくはカタログダウンロード下さい | ||
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サムコ株式会社
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- 代表製品
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ドライエッチング装置 RIE-10NR（平行平板型RIE装置）
- 概要
- RIE-10NRは、Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的としたリアクティブイオンエッチング装置です。本装置は、価格が低廉でありながら搭載されたPLCにより各種エッチング条件の管理を行うことができるコストパフォーマンスに優れた装置です。
- 用途/実績例
- ・Si、Poly-Si、SiO₂、SiNなどの各種シリコン薄膜の高精度エッチング ・半導体レーザの作製 ・欠陥解析
ICPエッチング装置 RIE-800iPC/RIE-400iPC
- 概要
- 【特長】 <RIE-400iPC> ■最大Φ4”ウエハ対応 ■高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現 ■反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現 ■干渉型、発光分光型のエンドポイントモニタに対応しており、狙い膜厚での終点検出が可能
- 用途/実績例
化合物半導体プロセス用 ICPエッチング装置
- 概要
- RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大型トレーに対応 Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、 Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、 Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の 採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた エッチングが可能 ○低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能 ○基板ステージおよび反応室内壁の温度制御により、安定した条件での エッチングが可能 ○ロードロック室にもターボ分子ポンプを採用し、より安定したプロセスを提供
- 用途/実績例
- 【応用例】 GaN系電子デバイス、発光デバイスの製作 詳細は、資料請求もしくはカタログダウンロード下さい
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サムコ株式会社
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