エッチング装置 - 企業ランキング(全28社)
更新日: 集計期間:2025年03月26日〜2025年04月22日
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会社名 | 代表製品 | ||
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製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
![]() 大型プラズマエッチング装置
応相談 |
標準500mm□のステージを装備したバッチタイプ平行平板型プラズマエッチング装置。 高周波プラズマを標準とし電極の切替によりRIE・プラズマエッチングのどちらのモードにも対応。 F系ガスによるエッチング・アッシングを標準的なプロセスとしSi系・SiO2系・SiN系のエッチング及びアッシングに対応。またArガスを主とした基板のクリーニングやO2ガスによる表面改質など多様な用途に実績。 基板の種類や目的に合わせ通常の平行平板高周波プラズマだけでなく。パルスDCによる直流放電機構も装備可能。 生産量に合わせてインライン化・CtoC化も容易で試作ラインから本格量産ラインへの移管を容易にします。 | ウェハレベルパッケージ FPD研究試作 小型電子部品量産 MEMS開発量産 精密機械部品クリーニング・加工 半導体製造装置部品・材料クリーニング・表面改質 | |
【仕様】 ■ハード構成:ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成 ※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ ■処理基板:~φ8インチウェハ形状品(矩形基板対応可能) ■対応基板:Si、石英、セラミックス(アルミナ、AlTiC等)ガラス、 圧電体(LT,LN)等 ■エッチング対象:基板Si、石英、 各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等 ■対象プロセス:Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等 | 【用途】 ■Si深掘り ■石英の垂直加工 ■犠牲層の形成 ■酸窒化膜 ■有機膜のエッチング など | ||
3~8インチウェハ対応の大気搬送型CtoCシステム。 平行平板型RIE装置を基本とし、電極切替によるマルチモードプラズマによりソフトモードプラズマ処理を実現 CF系、O2、Ar、H2などのガス系とプラズマモードの組み合わせにより差的なプロセスを選択可能。 オプションで両面処理機能・300mmウェハや矩形基板の処理に対応 プロセス室を追加したハイスループットタイプもラインナップ。 | パワーデバイスアッシング ディスクリートICエッチング(自然酸化膜除去。電極形成前処理) MEMSデバイスアッシング・ディスカム 化合物半導体ウェハクリーニング(有機物除去) | ||
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- 代表製品
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大型プラズマエッチング装置
- 概要
- 標準500mm□のステージを装備したバッチタイプ平行平板型プラズマエッチング装置。 高周波プラズマを標準とし電極の切替によりRIE・プラズマエッチングのどちらのモードにも対応。 F系ガスによるエッチング・アッシングを標準的なプロセスとしSi系・SiO2系・SiN系のエッチング及びアッシングに対応。またArガスを主とした基板のクリーニングやO2ガスによる表面改質など多様な用途に実績。 基板の種類や目的に合わせ通常の平行平板高周波プラズマだけでなく。パルスDCによる直流放電機構も装備可能。 生産量に合わせてインライン化・CtoC化も容易で試作ラインから本格量産ラインへの移管を容易にします。
- 用途/実績例
- ウェハレベルパッケージ FPD研究試作 小型電子部品量産 MEMS開発量産 精密機械部品クリーニング・加工 半導体製造装置部品・材料クリーニング・表面改質
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
- 概要
- 【仕様】 ■ハード構成:ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成 ※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ ■処理基板:~φ8インチウェハ形状品(矩形基板対応可能) ■対応基板:Si、石英、セラミックス(アルミナ、AlTiC等)ガラス、 圧電体(LT,LN)等 ■エッチング対象:基板Si、石英、 各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等 ■対象プロセス:Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
- 用途/実績例
- 【用途】 ■Si深掘り ■石英の垂直加工 ■犠牲層の形成 ■酸窒化膜 ■有機膜のエッチング など
枚葉式プラズマエッチング装置「EXAM-Σ」
- 概要
- 3~8インチウェハ対応の大気搬送型CtoCシステム。 平行平板型RIE装置を基本とし、電極切替によるマルチモードプラズマによりソフトモードプラズマ処理を実現 CF系、O2、Ar、H2などのガス系とプラズマモードの組み合わせにより差的なプロセスを選択可能。 オプションで両面処理機能・300mmウェハや矩形基板の処理に対応 プロセス室を追加したハイスループットタイプもラインナップ。
- 用途/実績例
- パワーデバイスアッシング ディスクリートICエッチング(自然酸化膜除去。電極形成前処理) MEMSデバイスアッシング・ディスカム 化合物半導体ウェハクリーニング(有機物除去)
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