シミュレータ - 企業ランキング(全45社)
更新日： 集計期間:2025年07月02日〜2025年07月29日
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| 会社名 | 代表製品 | ||
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| 製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
| ＜インターフェイス＞ ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能 ＜材料マクロ＞ ■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.) ■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.) ■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.) | ＜適用デバイス・モデル＞ ■光増幅器(SOA) ■青色レーザ ■BPM ■ブロードエリアレーザ ■DBR ■DFB ■EAM ■エッジ型レーザ ■ハイブリッドレーザ ■MMIレーザダイオード ■結晶方位の効果 ■マッハツェンダー ■多共振器 ■フォトニック結晶レーザダイオード ■光ポンプレーザ ■量子カスケードレーザ(QCL) ■量子ドットレーザ(QDot) ■リングレーザ ■SLD ■スパイラルレーザ ■VCSEL ■VCSOA ■過渡解析 ■熱解析 など ＜解析・プロット＞ ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、NFP、FFP、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、応答出力、etc.) | ||
| ＜インターフェイス＞ ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能 ＜材料マクロ＞ ■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.) ■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.) ■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.) | ＜適用デバイス・モデル＞ ■光増幅器(SOA) ■青色レーザ ■BPM ■ブロードエリアレーザ ■DBR ■DFB ■EAM ■エッジ型レーザ ■ハイブリッドレーザ ■MMIレーザダイオード ■結晶方位の効果 ■マッハツェンダー ■多共振器 ■フォトニック結晶レーザダイオード ■光ポンプレーザ ■量子カスケードレーザ(QCL) ■量子ドットレーザ(QDot) ■リングレーザ ■SLD ■スパイラルレーザ ■VCSEL ■VCSOA ■過渡解析 ■熱解析 など ＜解析・プロット＞ ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、NFP、FFP、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、応答出力、etc.) | ||
蛍光体LED光線追跡シミュレータ
応相談 |
＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布 ■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布 ■様々なバイアス条件のもとでのバンド図 ■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果 ■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド ■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布 ■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布 ■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性 ■FDTDインターフェイス ＜インターフェイス＞ ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能 | 蛍光体をコーティングしたLEDの光線追跡シミュレーションによるデバイス解析 | |
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クロスライトソフトウェアインク日本支社
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- 代表製品
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半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D
- 概要
- ＜インターフェイス＞ ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能 ＜材料マクロ＞ ■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.) ■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.) ■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)
- 用途/実績例
- ＜適用デバイス・モデル＞ ■光増幅器(SOA) ■青色レーザ ■BPM ■ブロードエリアレーザ ■DBR ■DFB ■EAM ■エッジ型レーザ ■ハイブリッドレーザ ■MMIレーザダイオード ■結晶方位の効果 ■マッハツェンダー ■多共振器 ■フォトニック結晶レーザダイオード ■光ポンプレーザ ■量子カスケードレーザ(QCL) ■量子ドットレーザ(QDot) ■リングレーザ ■SLD ■スパイラルレーザ ■VCSEL ■VCSOA ■過渡解析 ■熱解析 など ＜解析・プロット＞ ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、NFP、FFP、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、応答出力、etc.)
【動画】半導体レーザ用3Dデバイスシミュレーター PICS3D
- 概要
- ＜インターフェイス＞ ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能 ＜材料マクロ＞ ■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.) ■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.) ■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)
- 用途/実績例
- ＜適用デバイス・モデル＞ ■光増幅器(SOA) ■青色レーザ ■BPM ■ブロードエリアレーザ ■DBR ■DFB ■EAM ■エッジ型レーザ ■ハイブリッドレーザ ■MMIレーザダイオード ■結晶方位の効果 ■マッハツェンダー ■多共振器 ■フォトニック結晶レーザダイオード ■光ポンプレーザ ■量子カスケードレーザ(QCL) ■量子ドットレーザ(QDot) ■リングレーザ ■SLD ■スパイラルレーザ ■VCSEL ■VCSOA ■過渡解析 ■熱解析 など ＜解析・プロット＞ ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、NFP、FFP、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、応答出力、etc.)
蛍光体LED光線追跡シミュレータ
- 概要
- ＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布 ■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布 ■様々なバイアス条件のもとでのバンド図 ■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果 ■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド ■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布 ■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布 ■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性 ■FDTDインターフェイス ＜インターフェイス＞ ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能
- 用途/実績例
- 蛍光体をコーティングしたLEDの光線追跡シミュレーションによるデバイス解析
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クロスライトソフトウェアインク日本支社
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