トランジスタのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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トランジスタ - 企業ランキング(全13社)

更新日: 集計期間:2025年06月18日〜2025年07月15日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

会社名 代表製品
製品画像・製品名・価格帯 概要 用途/実績例
【ラインアップ】 ■2SC5477(fT=1.1GHz) ■2SC5626(fT=1.1GHz) ■2SC5619(fT=4.5GHz) ■2SC5620(fT=4.5GHz) ■2SC5621(fT=4.5GHz) ■2SC5634(fT=8GHz) ■2SC5635(fT=8GHz) ■2SC5636(fT=8GHz) ●チューナ、無線通信機のVCO、MIX、IFアンプ等 ●キーレスエントリーの発振回路 ●イメージセンサーの増幅回路 ●車間レーダー
PKG: SOT-89/SC59 最大定格: VCEO=60V, IC=1A 内部抵抗:  R1=4.7kΩ, R2=10kΩ, RTGN432(P/AC1)  R1=2.2kΩ, R2=10kΩ, RTGN234(AP/AC1)  R1=1kΩ, R2=1kΩ, RTGN131(AP/AC1)  R1=10kΩ, R2=10kΩ, RTGN141(AP/AC1)  R1=0.47kΩ, R2=4.7kΩ, RTGN426(AP/AC1)  R1=0.22kΩ, R2=2.2kΩ, RTGN226(AP/AC1)  R1=なし, R2=10kΩ, RTGN14B(AP/AC1) ・リレー駆動回路 ・モータードライバ回路 ・点火装置
TO-92S INA6006AS1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6006AS1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SOT-89 INA6006AP1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INA6006AP1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-59 INA6006AC1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INA6017AC1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6006AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA INC6017AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-70 INA6017AM1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6017AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-88 RT3A66M PNP VCEO=150V、IC=100mA、hFE比=1.0(Typ)ΔVBE=0mV(Typ) RT3C66M NPN、VCEO=160V、IC=100mA、hFE比=1.0(Typ)ΔVBE=0mV(Typ) ・ハイサイドMOSゲート駆動 ・ディスクリートアンプ
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  1. 代表製品
    高周波トランジスタ高周波トランジスタ
    概要
    【ラインアップ】 ■2SC5477(fT=1.1GHz) ■2SC5626(fT=1.1GHz) ■2SC5619(fT=4.5GHz) ■2SC5620(fT=4.5GHz) ■2SC5621(fT=4.5GHz) ■2SC5634(fT=8GHz) ■2SC5635(fT=8GHz) ■2SC5636(fT=8GHz)
    用途/実績例
    ●チューナ、無線通信機のVCO、MIX、IFアンプ等 ●キーレスエントリーの発振回路 ●イメージセンサーの増幅回路 ●車間レーダー
    アクティブクランプ型トランジスタアクティブクランプ型トランジスタ
    概要
    PKG: SOT-89/SC59 最大定格: VCEO=60V, IC=1A 内部抵抗:  R1=4.7kΩ, R2=10kΩ, RTGN432(P/AC1)  R1=2.2kΩ, R2=10kΩ, RTGN234(AP/AC1)  R1=1kΩ, R2=1kΩ, RTGN131(AP/AC1)  R1=10kΩ, R2=10kΩ, RTGN141(AP/AC1)  R1=0.47kΩ, R2=4.7kΩ, RTGN426(AP/AC1)  R1=0.22kΩ, R2=2.2kΩ, RTGN226(AP/AC1)  R1=なし, R2=10kΩ, RTGN14B(AP/AC1)
    用途/実績例
    ・リレー駆動回路 ・モータードライバ回路 ・点火装置
    150V高耐圧バイポーラトランジスタ150V高耐圧バイポーラトランジスタ
    概要
    TO-92S INA6006AS1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6006AS1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SOT-89 INA6006AP1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INA6006AP1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-59 INA6006AC1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INA6017AC1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6006AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA INC6017AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-70 INA6017AM1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6017AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-88 RT3A66M PNP VCEO=150V、IC=100mA、hFE比=1.0(Typ)ΔVBE=0mV(Typ) RT3C66M NPN、VCEO=160V、IC=100mA、hFE比=1.0(Typ)ΔVBE=0mV(Typ)
    用途/実績例
    ・ハイサイドMOSゲート駆動 ・ディスクリートアンプ