トランジスタ - 企業ランキング(全13社)
更新日: 集計期間:2025年06月18日〜2025年07月15日
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会社名 | 代表製品 | ||
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製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
![]() 高周波トランジスタ
応相談 |
【ラインアップ】 ■2SC5477(fT=1.1GHz) ■2SC5626(fT=1.1GHz) ■2SC5619(fT=4.5GHz) ■2SC5620(fT=4.5GHz) ■2SC5621(fT=4.5GHz) ■2SC5634(fT=8GHz) ■2SC5635(fT=8GHz) ■2SC5636(fT=8GHz) | ●チューナ、無線通信機のVCO、MIX、IFアンプ等 ●キーレスエントリーの発振回路 ●イメージセンサーの増幅回路 ●車間レーダー | |
![]() アクティブクランプ型トランジスタ
応相談 |
PKG: SOT-89/SC59 最大定格: VCEO=60V, IC=1A 内部抵抗: R1=4.7kΩ, R2=10kΩ, RTGN432(P/AC1) R1=2.2kΩ, R2=10kΩ, RTGN234(AP/AC1) R1=1kΩ, R2=1kΩ, RTGN131(AP/AC1) R1=10kΩ, R2=10kΩ, RTGN141(AP/AC1) R1=0.47kΩ, R2=4.7kΩ, RTGN426(AP/AC1) R1=0.22kΩ, R2=2.2kΩ, RTGN226(AP/AC1) R1=なし, R2=10kΩ, RTGN14B(AP/AC1) | ・リレー駆動回路 ・モータードライバ回路 ・点火装置 | |
TO-92S INA6006AS1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6006AS1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SOT-89 INA6006AP1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INA6006AP1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-59 INA6006AC1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INA6017AC1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6006AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA INC6017AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-70 INA6017AM1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6017AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-88 RT3A66M PNP VCEO=150V、IC=100mA、hFE比=1.0(Typ)ΔVBE=0mV(Typ) RT3C66M NPN、VCEO=160V、IC=100mA、hFE比=1.0(Typ)ΔVBE=0mV(Typ) | ・ハイサイドMOSゲート駆動 ・ディスクリートアンプ | ||
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- 代表製品
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高周波トランジスタ
- 概要
- 【ラインアップ】 ■2SC5477(fT=1.1GHz) ■2SC5626(fT=1.1GHz) ■2SC5619(fT=4.5GHz) ■2SC5620(fT=4.5GHz) ■2SC5621(fT=4.5GHz) ■2SC5634(fT=8GHz) ■2SC5635(fT=8GHz) ■2SC5636(fT=8GHz)
- 用途/実績例
- ●チューナ、無線通信機のVCO、MIX、IFアンプ等 ●キーレスエントリーの発振回路 ●イメージセンサーの増幅回路 ●車間レーダー
アクティブクランプ型トランジスタ
- 概要
- PKG: SOT-89/SC59 最大定格: VCEO=60V, IC=1A 内部抵抗: R1=4.7kΩ, R2=10kΩ, RTGN432(P/AC1) R1=2.2kΩ, R2=10kΩ, RTGN234(AP/AC1) R1=1kΩ, R2=1kΩ, RTGN131(AP/AC1) R1=10kΩ, R2=10kΩ, RTGN141(AP/AC1) R1=0.47kΩ, R2=4.7kΩ, RTGN426(AP/AC1) R1=0.22kΩ, R2=2.2kΩ, RTGN226(AP/AC1) R1=なし, R2=10kΩ, RTGN14B(AP/AC1)
- 用途/実績例
- ・リレー駆動回路 ・モータードライバ回路 ・点火装置
150V高耐圧バイポーラトランジスタ
- 概要
- TO-92S INA6006AS1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6006AS1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SOT-89 INA6006AP1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INA6006AP1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-59 INA6006AC1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INA6017AC1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6006AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA INC6017AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-70 INA6017AM1 PNP、VCEO=150V、IC=100mA INC6017AC1 NPN、VCEO=160V、IC=100mA SC-88 RT3A66M PNP VCEO=150V、IC=100mA、hFE比=1.0(Typ)ΔVBE=0mV(Typ) RT3C66M NPN、VCEO=160V、IC=100mA、hFE比=1.0(Typ)ΔVBE=0mV(Typ)
- 用途/実績例
- ・ハイサイドMOSゲート駆動 ・ディスクリートアンプ
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