分析 - 企業ランキング(全45社)

更新日：2026年09月16日集計期間:2026年08月19日〜2026年09月15日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

会社名	企業情報	代表製品
会社名	企業情報	製品画像・製品名・価格帯	概要	用途/実績例
受託分析｜ユーロフィンEAG株式会社	所在地東京都事業内容 ■EAG材料分析サービス形態分析 ●電子顕微鏡分析：TEM/STEM・AC-STEM、EDS・EELS、Cryo-TEM・Cryo-FIB、FIB-SEM・Plasma-FIB、SEM-CL ●発光故障個所特定：OBIRCH・Emission (EL)・IR ●非破壊解析：X... 主要取引先	不純物分析｜GDMS（グロー放電質量分析）応相談	固体試料を陰極としてグロー放電を用いて試料表面をスパッタし、放出された中性粒子をプラズマ内のArや電子との衝突によってイオン化させ分析・周期律上で安定同位体を持つ殆どの元素(Li-U)の測定が可能・多くの元素に対し、ppb-%レベルの測定が可能・マトリックス効果が小さく、標...	・高純度金属・合金・カーボン及び黒鉛製造品・各種半導体材料、パワーデバイス・二次電池正極材原材料・酸化物・炭化物・窒化物・硫化物等のセラミックス・太陽電池用シリコン・レアメタル・レアアース・主成分不確定な未知の材料
		無償分析セミナー｜Smart CHART 応相談	●チャートの縦軸・横軸について縦軸は濃度（右がatomic %、左がatoms/cm³）、低いほど高感度です。SIMS・GDMS・ICP-MS/MSは検出下限が低い分析手法です。横軸はビーム径による分析面積で、小さいほど微小領域を分析可能です。TEM/STEMは最も微小領域の分...	・材料分析について基礎を知りたい・材料分析の選択への活用
		SIMS分析｜PCOR-SIMS（高精度・二次イオン質量分析法）応相談	・化合物半導体中のドーパント濃度深さ方向分析・化合物半導体中のエピタキシャル層の膜厚分析・Si基板中の極低エネルギーイオン注入分布評価	・化合物半導体AlGaAsの評価（VCSEL LASER深さ方向組成、不純物濃度分析）・テへテロバイポーラトランジスタ（HBT）の分析・Si基板へのBの極浅注入分布評価
---	所在地 --- 事業内容 ---	--- ---	---	---

受託分析｜ユーロフィンEAG株式会社

所在地

東京都

事業内容

■EAG材料分析サービス形態分析 ●電子顕微鏡分析：TEM/STEM・AC-STEM、EDS・EELS、Cryo-TEM・Cryo-FIB、FIB-SEM・Plasma-FIB、SEM-CL ●発光故障個所特定：OBIRCH・Emission (EL)・IR ●非破壊解析：X...

主要取引先

代表製品

不純物分析｜GDMS（グロー放電質量分析）

概要

固体試料を陰極としてグロー放電を用いて試料表面をスパッタし、放出された中性粒子をプラズマ内のArや電子との衝突によってイオン化させ分析・周期律上で安定同位体を持つ殆どの元素(Li-U)の測定が可能・多くの元素に対し、ppb-%レベルの測定が可能・マトリックス効果が小さく、標...

用途/実績例

・高純度金属・合金・カーボン及び黒鉛製造品・各種半導体材料、パワーデバイス・二次電池正極材原材料・酸化物・炭化物・窒化物・硫化物等のセラミックス・太陽電池用シリコン・レアメタル・レアアース・主成分不確定な未知の材料

無償分析セミナー｜Smart CHART

概要

●チャートの縦軸・横軸について縦軸は濃度（右がatomic %、左がatoms/cm³）、低いほど高感度です。SIMS・GDMS・ICP-MS/MSは検出下限が低い分析手法です。横軸はビーム径による分析面積で、小さいほど微小領域を分析可能です。TEM/STEMは最も微小領域の分...

用途/実績例

・材料分析について基礎を知りたい・材料分析の選択への活用

SIMS分析｜PCOR-SIMS（高精度・二次イオン質量分析法）

概要

・化合物半導体中のドーパント濃度深さ方向分析・化合物半導体中のエピタキシャル層の膜厚分析・Si基板中の極低エネルギーイオン注入分布評価

用途/実績例

・化合物半導体AlGaAsの評価（VCSEL LASER深さ方向組成、不純物濃度分析）・テへテロバイポーラトランジスタ（HBT）の分析・Si基板へのBの極浅注入分布評価
---

所在地

---

事業内容

---

分析 - 企業ランキング(全45社)

すべてを閲覧するには会員登録（無料）が必要です。