回折装置 - 企業ランキング(全12社)
更新日: 集計期間:2025年11月05日〜2025年12月02日
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企業情報を表示
| 会社名 | 代表製品 | ||
|---|---|---|---|
| 製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
[ED]電子回折法
応相談 |
入射した電子が結晶の格子面に対してブラッグ条件を満たす角度となったとき、電子は弾性散乱されます。 散乱された電子は互いに干渉しあいますが、ブラッグ条件を満たした電子だけが特定の方向に回折波として強度を持ち、回折スポットを形成します。 透過光と複数の回折スポット間の位置関係を解... | Siや化合物半導体、酸化物半導体、金属などの ・結晶性評価 ・結晶構造の同定 ・結晶方位評価 ・結晶の配向性評価 | |
[XRD]X線回折法
応相談 |
XRDの評価対象である『結晶』とは、物質を構成する原子あるいは分子・イオンの集団が3次元的に繰り返し配列した状態のことです。X線を結晶に照射すると、結晶中の電子によりX線が散乱されます(散乱X線)。散乱X線は干渉し合い、ブラッグの法則を満たしたときに強い回折X線が生じます。 格... | ・ポリSi・金属膜・有機膜の結晶性・配向性評価 ・ポリSi・金属膜の結晶子サイズ測定 ・high-k膜・Niシリサイド(NiSi)・Tiシリサイド(TiSi)の結晶構造解析 ・リチウムイオン二次電池電極材料の劣化評価 | |
[EBSD]電子後方散乱回折法
応相談 |
約60~70°傾斜した試料に電子線を照射すると、試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子線が作られます。この後方散乱電子回折を解析することで結晶性試料の方位解析の情報が得られます。 | ・CIGS膜(多結晶太陽電池)の結晶粒評価 ・SEM装置で格子歪み測定 ・半導体デバイス金属配線の結晶粒観察 ・ボイド周辺の結晶粒界の調査 ・ポリSi TFTの結晶解析 ・合金層中不明層の結晶性評価 ・断面からのウイスカの配向測定 ・金属材料の成長(成膜)技術におけ... | |
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- 代表製品
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[ED]電子回折法
- 概要
- 入射した電子が結晶の格子面に対してブラッグ条件を満たす角度となったとき、電子は弾性散乱されます。 散乱された電子は互いに干渉しあいますが、ブラッグ条件を満たした電子だけが特定の方向に回折波として強度を持ち、回折スポットを形成します。 透過光と複数の回折スポット間の位置関係を解...
- 用途/実績例
- Siや化合物半導体、酸化物半導体、金属などの ・結晶性評価 ・結晶構造の同定 ・結晶方位評価 ・結晶の配向性評価
[XRD]X線回折法
- 概要
- XRDの評価対象である『結晶』とは、物質を構成する原子あるいは分子・イオンの集団が3次元的に繰り返し配列した状態のことです。X線を結晶に照射すると、結晶中の電子によりX線が散乱されます(散乱X線)。散乱X線は干渉し合い、ブラッグの法則を満たしたときに強い回折X線が生じます。 格...
- 用途/実績例
- ・ポリSi・金属膜・有機膜の結晶性・配向性評価 ・ポリSi・金属膜の結晶子サイズ測定 ・high-k膜・Niシリサイド(NiSi)・Tiシリサイド(TiSi)の結晶構造解析 ・リチウムイオン二次電池電極材料の劣化評価
[EBSD]電子後方散乱回折法
- 概要
- 約60~70°傾斜した試料に電子線を照射すると、試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子線が作られます。この後方散乱電子回折を解析することで結晶性試料の方位解析の情報が得られます。
- 用途/実績例
- ・CIGS膜(多結晶太陽電池)の結晶粒評価 ・SEM装置で格子歪み測定 ・半導体デバイス金属配線の結晶粒観察 ・ボイド周辺の結晶粒界の調査 ・ポリSi TFTの結晶解析 ・合金層中不明層の結晶性評価 ・断面からのウイスカの配向測定 ・金属材料の成長(成膜)技術におけ...
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