エッチング装置 - 企業ランキング(全5社)
更新日: 集計期間:2025年03月26日〜2025年04月22日
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会社名 | 代表製品 | ||
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製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
VPE-4Fは、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層(Si)エッチングを主目的とするXeF2エッチング装置です。完全ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティクション(張り付き)の発生を抑制することが可能です。また、研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計になっています。 | ●MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層(Si)エッチング | ||
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- 代表製品
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ドライエッチング装置・XeF2エッチング装置
- 概要
- VPE-4Fは、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層(Si)エッチングを主目的とするXeF2エッチング装置です。完全ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティクション(張り付き)の発生を抑制することが可能です。また、研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計になっています。
- 用途/実績例
- ●MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層(Si)エッチング
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