パワーデバイス - 企業ランキング(全9社)
更新日: 集計期間:2025年07月30日〜2025年08月26日
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会社名 | 代表製品 | ||
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製品画像・製品名・価格帯 | 概要 | 用途/実績例 | |
パラメータ 仕様 適用製品 GaN、SiC Wafer 適用パッケージング 4インチ、6インチ Wafer バーンインパラメータ HTGB、HTRB テストパラメータ Igss、Idss、Vth システムサイズ (mm) 2100(W) X 1900(H) X 1800(D) システムの消費電力 <32 kW 窒素防護 >0.6 mPa 温度範囲 常温-175 ℃ 電圧範囲 ゲート±75 V、ソース2000 V システムチャンネル 720 システム層数 6層 電流・電圧オーバーシュート いずれの場合にもオーバーシュートはありません MESドッキング MESドッキングに対応 | |||
![]() パワーデバイス『KGD』
応相談 |
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- 代表製品
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パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』
- 概要
- パラメータ 仕様 適用製品 GaN、SiC Wafer 適用パッケージング 4インチ、6インチ Wafer バーンインパラメータ HTGB、HTRB テストパラメータ Igss、Idss、Vth システムサイズ (mm) 2100(W) X 1900(H) X 1800(D) システムの消費電力 <32 kW 窒素防護 >0.6 mPa 温度範囲 常温-175 ℃ 電圧範囲 ゲート±75 V、ソース2000 V システムチャンネル 720 システム層数 6層 電流・電圧オーバーシュート いずれの場合にもオーバーシュートはありません MESドッキング MESドッキングに対応
- 用途/実績例
パワーデバイス『KGD』
- 概要
- 用途/実績例
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