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シリコンウェハ - 企業ランキング(全5社)

更新日： 集計期間:2025年03月26日〜2025年04月22日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

会社名 代表製品
製品画像・製品名・価格帯 概要 用途/実績例
D&X株式会社 D&X株式会社
シリコンウェハ
シリコンウェハ

~ 1万円

 ウェハーの直径は50mm–300mmまでいくつかあり、この口径が大きいと1枚のウェハーから多くのICチップを切り出せるため、年と共に口径は大きくなっている。2000年ごろから直径300mmのシリコンウェハーが実用化され、2004年にはシリコンウェハ生産数量の20%程を占めた。 ウェハーの厚さは、製造工程での取り扱いの簡便さから0.5mm–1mm程度に作られており、一般のシリコンウェハーの場合、外寸はSEMI（Semiconductor Equipment and Materials International）などの業界団体で標準化されており、直径150mm（6インチ）の場合は厚さ0.625mm、200mm（8インチ）では厚さ0.725mm、300mm（12インチ）では厚さ0.775mmとされている。厚み公差は±0.025mmである。 工程中でウェハーの向きを合わせるために、オリフラまたはノッチとよばれる切り欠きがある。また、結晶構造が製造する半導体素子の動作に最も適した方向となるように、ウェハーは特定の結晶方位に沿ってスライスされていて、導電型と結晶方位によってオリフラを切り欠く位置が決まっている。 シリコンウェーハを使って半導体デバイスが作られます。シリコンウェーハはいろいろな種類に分類されますが、主要製品とその用途は次のとおりです。 ●アズカットウェーハ・ラップドウェーハ・エッチドウェーハ トランジスタ、ダイオード、整流素子、サイリスタ等の個別半導体素子全般、各種センサ ●ポリッシュドウェーハ IC、LSI、超LSI等の半導体集積回路、CCD、各種センサ ●エピタキシャルウェーハ 小信号トランジスタ、特殊ダイオード等の個別半導体素子、CCD、半導体集積回路 (MOS-IC) ●埋込拡散ウェーハ、埋込拡散済みのエピタキシャルウェーハ 半導体集積回路 (Bip-IC) ●拡散ウェーハ パワートランジスタ ●SOIウェーハ 高速・高信頼性・低消費電力半導体集積回路
シリコンウェハ
シリコンウェハ

~ 1万円

 ウェハーの直径は50mm–300mmまでいくつかあり、この口径が大きいと1枚のウェハーから多くのICチップを切り出せるため、年と共に口径は大きくなっている。2000年ごろから直径300mmのシリコンウェハーが実用化され、2004年にはシリコンウェハ生産数量の20%程を占めた。 ウェハーの厚さは、製造工程での取り扱いの簡便さから0.5mm–1mm程度に作られており、一般のシリコンウェハーの場合、外寸はSEMI（Semiconductor Equipment and Materials International）などの業界団体で標準化されており、直径150mm（6インチ）の場合は厚さ0.625mm、200mm（8インチ）では厚さ0.725mm、300mm（12インチ）では厚さ0.775mmとされている。厚み公差は±0.025mmである。 工程中でウェハーの向きを合わせるために、オリフラまたはノッチとよばれる切り欠きがある。また、結晶構造が製造する半導体素子の動作に最も適した方向となるように、ウェハーは特定の結晶方位に沿ってスライスされていて、導電型と結晶方位によってオリフラを切り欠く位置が決まっている。 シリコンウェーハを使って半導体デバイスが作られます。シリコンウェーハはいろいろな種類に分類されますが、主要製品とその用途は次のとおりです。 ●アズカットウェーハ・ラップドウェーハ・エッチドウェーハ トランジスタ、ダイオード、整流素子、サイリスタ等の個別半導体素子全般、各種センサ ●ポリッシュドウェーハ IC、LSI、超LSI等の半導体集積回路、CCD、各種センサ ●エピタキシャルウェーハ 小信号トランジスタ、特殊ダイオード等の個別半導体素子、CCD、半導体集積回路 (MOS-IC) ●埋込拡散ウェーハ、埋込拡散済みのエピタキシャルウェーハ 半導体集積回路 (Bip-IC) ●拡散ウェーハ パワートランジスタ ●SOIウェーハ 高速・高信頼性・低消費電力半導体集積回路
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  1. D&X株式会社 D&X株式会社
    代表製品
    シリコンウェハシリコンウェハ
    概要
    ウェハーの直径は50mm–300mmまでいくつかあり、この口径が大きいと1枚のウェハーから多くのICチップを切り出せるため、年と共に口径は大きくなっている。2000年ごろから直径300mmのシリコンウェハーが実用化され、2004年にはシリコンウェハ生産数量の20%程を占めた。 ウェハーの厚さは、製造工程での取り扱いの簡便さから0.5mm–1mm程度に作られており、一般のシリコンウェハーの場合、外寸はSEMI（Semiconductor Equipment and Materials International）などの業界団体で標準化されており、直径150mm（6インチ）の場合は厚さ0.625mm、200mm（8インチ）では厚さ0.725mm、300mm（12インチ）では厚さ0.775mmとされている。厚み公差は±0.025mmである。 工程中でウェハーの向きを合わせるために、オリフラまたはノッチとよばれる切り欠きがある。また、結晶構造が製造する半導体素子の動作に最も適した方向となるように、ウェハーは特定の結晶方位に沿ってスライスされていて、導電型と結晶方位によってオリフラを切り欠く位置が決まっている。
    用途/実績例
    シリコンウェーハを使って半導体デバイスが作られます。シリコンウェーハはいろいろな種類に分類されますが、主要製品とその用途は次のとおりです。 ●アズカットウェーハ・ラップドウェーハ・エッチドウェーハ トランジスタ、ダイオード、整流素子、サイリスタ等の個別半導体素子全般、各種センサ ●ポリッシュドウェーハ IC、LSI、超LSI等の半導体集積回路、CCD、各種センサ ●エピタキシャルウェーハ 小信号トランジスタ、特殊ダイオード等の個別半導体素子、CCD、半導体集積回路 (MOS-IC) ●埋込拡散ウェーハ、埋込拡散済みのエピタキシャルウェーハ 半導体集積回路 (Bip-IC) ●拡散ウェーハ パワートランジスタ ●SOIウェーハ 高速・高信頼性・低消費電力半導体集積回路
    シリコンウェハシリコンウェハ
    概要
    ウェハーの直径は50mm–300mmまでいくつかあり、この口径が大きいと1枚のウェハーから多くのICチップを切り出せるため、年と共に口径は大きくなっている。2000年ごろから直径300mmのシリコンウェハーが実用化され、2004年にはシリコンウェハ生産数量の20%程を占めた。 ウェハーの厚さは、製造工程での取り扱いの簡便さから0.5mm–1mm程度に作られており、一般のシリコンウェハーの場合、外寸はSEMI（Semiconductor Equipment and Materials International）などの業界団体で標準化されており、直径150mm（6インチ）の場合は厚さ0.625mm、200mm（8インチ）では厚さ0.725mm、300mm（12インチ）では厚さ0.775mmとされている。厚み公差は±0.025mmである。 工程中でウェハーの向きを合わせるために、オリフラまたはノッチとよばれる切り欠きがある。また、結晶構造が製造する半導体素子の動作に最も適した方向となるように、ウェハーは特定の結晶方位に沿ってスライスされていて、導電型と結晶方位によってオリフラを切り欠く位置が決まっている。
    用途/実績例
    シリコンウェーハを使って半導体デバイスが作られます。シリコンウェーハはいろいろな種類に分類されますが、主要製品とその用途は次のとおりです。 ●アズカットウェーハ・ラップドウェーハ・エッチドウェーハ トランジスタ、ダイオード、整流素子、サイリスタ等の個別半導体素子全般、各種センサ ●ポリッシュドウェーハ IC、LSI、超LSI等の半導体集積回路、CCD、各種センサ ●エピタキシャルウェーハ 小信号トランジスタ、特殊ダイオード等の個別半導体素子、CCD、半導体集積回路 (MOS-IC) ●埋込拡散ウェーハ、埋込拡散済みのエピタキシャルウェーハ 半導体集積回路 (Bip-IC) ●拡散ウェーハ パワートランジスタ ●SOIウェーハ 高速・高信頼性・低消費電力半導体集積回路
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