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アンプ(ゲイン) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年08月13日~2025年09月09日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

アンプの製品一覧

16~30 件を表示 / 全 120 件

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アイソレーション・アンプ『ACNT-H87B-000E』

コモンモード雑音除去能力、低オフセット、高いゲイン精度と安定性を揮発!

『ACNT-H87B-000E』は、電圧検出用に特化して設計された 光アイソレーション・アンプです。 +2Vの入力電圧範囲と1GΩの高入力インピーダンス法により、モータ駆動や 再生可能エネルギーシステムなど一般的なDCリンク電圧検出においては、 抵抗分圧器を用いて高電圧を電圧センサの入力電圧範囲に対応。 光学的絶縁を介して、入力電圧比例した差動出力電圧を出力します。 【特長】 ■ユニバーサルゲイン1V / V、±1%高ゲイン精度(ACNT-H87B) ■入力インピーダンス:1GΩ ■リニア入力電圧範囲:0~2V ■小さなゲイン温度ドリフト:–35 ppm/℃ ■オフセット電圧ドリフト:21μV/℃ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アンプ

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ゲイン可変 電流アンプ DDPCA-300

低ノイズなトランスインピーダンスアンプ

■入力ノイズ:最小0.2fA/ルートHz ※ピーク間:0.4fA ■ゲインは104から1013V/Aまでを手動またはリモートで変更可能 ■240dB以上の広いダイナミックレンジをカバーするため、sub-fAからmA の電流値に対応できる ■小型ハウジングなので、シグナル源の近くに設置でき、長いケーブリングによるノイズを抑えられる ■シグナルの状態に応じてアンプのバンド幅を最適化できるよう、種々のフィルタが内蔵されており、S/N比や測定速度をアプリケーションに応じて設定可能 ■ゲインを最大値に設定した場合でも、フェムトアンペアカレントをリアルタイムに測定するのに十分な測定速度を保持できる ■ フェムトアンペアレベルでは、ドリフトやオフセットカレントによる測定エラーやベースラインのシフトが発生しやすくなるが、DDPCA-300は長時間安定性に優れ、ドリフトを極限まで抑えている

  • アンプ

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【資料】18GHz 未満 人気の高いアンプ紹介

4種類の性能別にTop5のモデルを紹介!基板実装型やコネクタ型のアンプを豊富にご用意しています

当資料は、18GHz未満の人気の高いアンプをご紹介しております。 「低 NF(<2dB)」をはじめ「フラットゲイン(<+/-1.3dB)」や「P1dB 出力 (>100mW、+20dBm)」「シャットダウン機能付き」など、4種類の性能別に Top5 のモデルをグラフを用いて掲載。 この他にも、豊富なラインアップを揃えています。具体的な希望条件が ありましたら、お気軽にご相談ください。 【掲載内容(一部)】 ■18GHz 未満の特長あるアンプ ■LNA(NF<2dB)-基板実装タイプ- ■LNA(NF<2dB)-コネクタタイプ- ■フラットゲイン+/-1.3dB-基板実装タイプ- ■フラットゲイン+/-1dB-コネクタ・タイプ- ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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『TLV6741』

3MHz、低出力、RRIOオペアンプ 『TLV6741』

『TLV6741』 は、低ノイズと10MHzの広帯域幅を特長とする汎用CMOSオペアンプ。 低ノイズと広帯域幅により、コストと性能の最適バランスを必要とする広範な 高精度アプリケーションに最適です。入力バイアス電流により、高いソース・ インピーダンスを持つアプリケーションをサポートします。 堅牢性が高く、ユニティ・ゲインが安定していることから使いやすさに優れているほか、 RFI/EMI除去フィルタの内蔵により、オーバードライブ状態時に位相反転が発生しません。 さらに、高い静電気放電(ESD)保護機能(1kV HBM)も備えています。 最低電圧が2.25V(±1.125V)で、低電圧動作に最適化されています。 最大電圧は5.5V(±2.75V)。シングル・チャネルで、パッケージは 小サイズのSC70-5。 【特長】 ■ゲイン帯域幅:10MHz ■低入力バイアス電流:10pA ■低オフセット電圧:0.15mV ■レール・ツー・レール出力 ■ユニティ・ゲイン安定 ※詳細はお問い合わせください。

  • その他半導体
  • アンプ

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アンプ『DC-50 GHz』

高性能で幅広い製品を提供するRFMD社製のアンプを種類豊富にご紹介!

『DC-50 GHz』は、多様なアプリケーションに対して高性能で 幅広い製品を提供するRF Micro Devices社のアンプです。 ゲインブロックやノーロイズアンプをはじめCATV向けなどを 含む全11種類の製品を取り扱っております。 ご使用の用途に合わせてお選びください。 【特長】 ■幅広い製品のラインアップ ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電子部品

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『INA240』

電圧出力、ハイ/ローサイド測定、双方向、ゼロドリフト・シリーズ『INA240』

『INA240』 は、電圧出力の電流センス・アンプで、強化されたPWM除去機能により、 電源電圧に依存しない-4V~80Vの広い同相電圧範囲で、シャント抵抗の両端間の 電圧降下を検出できます。 負の同相電圧により、デバイスはグランドより低い電位で動作でき、標準的な ソレノイド・アプリケーションのフライバック期間に対応できます。 強化されたPWM除去により、パルス幅変調(PWM)信号を使用するシステムにおいて、 大きな同相過渡電圧(ΔV/Δt)を高いレベルで抑制。この機能により、大きな過渡電圧や、 それに関連する出力電圧の回復リップルなしに、正確な電流を測定できます。 【特長】 ■強化されたPWM除去 ■非常に優れたCMRR ■広い同相電圧範囲: -4V~ 80V  ■精度  ・ゲイン誤差: 0.20% (最大値)  ・ゲイン・ドリフト: 2.5 ppm/℃ (最大値) ※詳細はお問い合わせください。

  • アンプ
  • その他半導体

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『TLV9061』

低コスト・システム向け10MHz、低ノイズ、RRIO、CMOSオペアンプ『TLV9061』

『TLV9061』は、レール・ツー・レール入出力の低電圧(1.8V~5.5V) オペアンプで、低コスト機器に最適。 小サイズや高い容量性負荷駆動が要求される製品にも適しています。 容量性負荷駆動は100Pfですが、抵抗性オープンループ出力インピーダンスにより、 はるかに高い容量性負荷で簡単に安定化できます。低電圧で動作し、TIの OPAx316やTLVx31と同様の性能仕様を備えています。 ユニティ・ゲイン安定により、RFIとEMI除去フィルタを内蔵でき、位相反転も 発生しないことから、システム設計の簡素化が可能になります。 SOT553、WSONなどのマイクロサイズ・パッケージと、SOIC、MSOP、 SOT-23、TSSOPなどの業界標準パッケージで提供。 【特長】 ■レール・ツー・レール入出力 ■低入力オフセット電圧:±0.3mV ■ユニティ・ゲイン帯域幅:10MHz ■低入力バイアス電流:0.5pA ■低静止電流:538µA ※詳細はお問い合わせください。

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高速 ゲイン固定電流アンプ (HCAシリーズ)

静電容量からも影響を受けず、周波数補正や特殊な接続をすることなく規定の最大静電容量値までバンド幅とゲインを一定に保つ

■高周波数製品を使用する多くの場合、不要な振動、グランドシールドの不完全さ、非線形性、アンプの設計不十分によるゲインピーキングやバンド幅減少などが問題となるが、Femto社のカレントアンプはこれらの問題に十分に対処できるよう設計されている。 ■シグナルのソースパラメータや配線に影響されず、静電容量最大2nFまでゲインピーキング・振動・大きなバンド幅減少を防ぐ。 ■静電容量が数pFの場合、高周波数カレントアンプのバンド幅は大きく減少する一方、Femto社の高速カレントアンプには、この制限がなく広いレンジをもつ静電容量からも影響を受けない。 ■精密オフセット及びバイアスコントロール用に、二つのトリムポットがついており柔軟に使用できる。 ■入力オフセット電流補正は広い範囲を調整でき、大きなDCコンポーネントからの信号でもダイナミクスを完全に保持する。 ■バイアス出力電圧は、このバイアストリムポットにより、-12~+12V内で調整できる。

  • アンプ

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【8.0~12.0GHz NF 0.8dB】ローノイズアンプ

電圧は+8~+15V!サイズは17.8×11.5×7.9mmのアンプをご紹介いたします!

ファラッド株式会社で取り扱う『ローノイズアンプ』をご紹介いたします。 周波数は8.0~12.0GHzとなっており、ゲインは30dB、NFは0.8dB typ。 電圧は+8~+15Vで、サイズは17.8×11.5×7.9mmです(SMAコネクタ含まず)。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■周波数:8.0~12.0GHz ■ゲイン:30dB ■NF:0.8dB typ ■電圧:+8~+15V ■サイズ:17.8×11.5×7.9mm(SMAコネクタ含まず) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アンプ

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ミリ波帯広帯域パワーアンプ

20-40GHz, 1W出力

米国Wright Technologies社製P/N:AT-P40B-3030は20-40GHz 広帯域1Wパワーアンプ。 SGからの小信号を1Wに増幅し各種試験などに最適。 ゲイン30dB typ P1dB +30dBm typ OIP3 +38dBm typ 電圧12V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 高周波・マイクロ波部品

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オプティカル MOD ドライバ 90KHz~67GHz アンプ

周波数レンジは90KHz-67GHz!広帯域で優れた周波数特性のアンプをご紹介いたします!

『オプティカル MOD ドライバ 90KHz~67GHz アンプ』についてご紹介します。 周波数レンジは90KHz-67GHzとなっており、ゲインは18dB、Psat 出力は +17dBm 4.48Vp-pです。 オプティカル変調ドライバをはじめ、5G、測定器、ROF(RF Over Fiber) などのアプリケーションがございます。 【特長】 ■周波数レンジ:90KHz-67GHz ■ゲイン:18dB ■Psat 出力:+17dBm 4.48Vp-p ■1.85mm コネクタ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アンプ

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超小型ロードセルアンプ

精度高性能。しかも低価格な超小型ロードセルアンプです。

機能はシンプルですが、精度等は高性能品にひけを取らない低価格超小型ロードセルアンプです。

  • 試験機器・装置
  • その他FA機器
  • 組込みボード・コンピュータ

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ノイズレベルとノイズフィギュアNFの関係

【技術資料】低雑音アンプ MAP301/302

■低雑音アンプ MAP301/302 放射ノイズ測定に最適。 例えば、20dBゲインのアンプを通すと、入力信号は20dB増幅されて出力される。これは理解できる。 では、ノイズはどうなるのか。 これが良く理解できない。 つまり、信号は20dB増幅されたが、ノイズも20dB増幅されれば信号の見え方は同じではなかろうか。 違います。それではNFの定義について考えてみます。

  • EMC試験

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超高速オペアンプ『PA107』

高ゲイン帯域幅180MHz!スルーレート2500V/μsの超高速オペアンプをご紹介します

アペックス・マイクロテクノロジー社は、超高性能のパワー・オペアンプ、 PWMアンプ等をワールドワイドに展開しています。 『PA107』は、スルーレート2500V/μsの超高速オペアンプで、CRTの ビーム強度制御やラインドライバ、プログラマブル電源などに好適。 マイクロン株式会社は日本市場において、同社のデバイス、技術情報及び テクニカルサポートを提供しています。お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■高ゲイン帯域幅:180MHz ■電源電圧:40V-200V(デュアルサプライ) ■高出力電流:(ピーク)5A(連続)1.5A ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • アンプ

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RFプリアンプ DC~20GHz 14dB EMC測定に必須!

DC~20GHzの周波数範囲をカバーし、低ノイズで汎用性にも優れたドイツ製RFプリアンプ

UBBV-HFプリアンプは、特に非常に弱い信号を測定する場合に最大のパフォーマンスを実現します。 EMCおよびEN55011、EN55022、EN50371などの事前コンプライアンステストに強くお勧めします。

  • EMC試験
  • その他電子計測器
  • 光学測定器

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