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ダイオード(si) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2026年01月14日~2026年02月10日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

ダイオードの製品一覧

1~30 件を表示 / 全 286 件

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【光検出器・オプトカプラ】フォトダイオード ラインアップ一覧

カメラや煙探知器、安全装置など、日常的に利用するさまざまな電子機器で使用!

「フォトダイオード」は、光を電気信号に変換する半導体デバイスです。 光のセンサ又は検出器として使用されており、代表的なのは半導体のpn接合を 利用したフォトダイオード。 光がフォトダイオードに入射すると、半導体の接合部分の電子が励起され、電流を 測定することにより光量を検出できます。 【ラインアップ(一部)】 ■フォトダイオード ams OSRAM 赤外線 Si スルーホール実装 5mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス IR + Visible Light Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード ams OSRAM Full Spectrum Si スルーホール実装 3mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-5 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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OPTO DIODE社 XUV−UV検出用Siフォトダイオード

軟X線〜UV領域での内部量子効率がほぼ100%

OPTO DIODE(旧IRD)社は米NIST・LLNL他研究機関と共同で、軟X線〜UV領域において内部量子効率がほぼ100%のSiフォトダイオードを開発しました。 取扱い易く、小型のSiフォトダイオードは、高光エネルギー研究分野のみならず、エレクトロン・イオンの領域においても期待されています。

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Siフォトダイオード『CP0174AL』

ハロゲンフリー対応!小型な光学ユニットへの搭載に適したSiフォトダイオード

『CP0174AL』は、可視光から近赤外光まで(400nm~1000nm)のレーザ 及びLEDなどの光量を測定することができるフォトダイオードです。 受光部のサイズは0.7mm×0.7mmで、ハロゲンフリーに対応します。 小型パッケージ COB-2PIN(2.2mm×1.22mm)の採用により、 ピコプロジェクターなどの小型な光学ユニットへの搭載に好適です。 【特長】 ■感度:0.26A/W@405nm 0.44A/W@700nm ■受光部サイズ:0.7mm×0.7mm ■小型、薄型パッケージ:2.2mm×1.22mm×1.0mm COB-2PIN ■半田リフロー対応 ■鉛フリー対応 RoHS対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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Si フォトダイオード (TOパッケージ) (Si PD)

◆逆バイアス状況下で駆動◆大口径、四角形もラインナップ◆低ダークカレント◆シリコンPINフォトダイオード◆ピーク波長約940nm

■スペクトル検出範囲:400nm~1100nm LD-PDはMIL-I-45208に準拠した検査システムを導入しており、 Telcordia試験要件(TA-NWT-00093)およびMIL-STD-883試験方法に準拠しています。 【パラメータ:Typical値・シンボル・試験条件】 ●丸形φ0.2~φ8.0mm ディテクタサイズ(mm):φ0.2、φ0.5、φ1、φ2、φ4、φ5、φ8 応答波長範囲(nm):400 – 1100・λ 応答性(A/W):0.40、0.45、0.5、0.5、0.5、0.5、0.55・Re・VR=15V、λ=900nm 応答時間(nS):2、5、6、8、15、15、25tr・VR=15V、RL=50Ω 暗電流(nA):1、2、3、5、12、40、60・ID・VR=15V 逆電圧(V):100・VB・IR=10μA 静電容量(pF):0.8、1.2、2.0、6、20、30、70・Cj・f=1MHz、VR=15V 動作電圧(V):0~15・VR ソケット:Coaxial/TO-46/TO-5/TO-8 飽和光パワー:0.3w/cm2

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Siはんだ付け可能チップフォトダイオード

◆感度範囲:400nm~1100nm◆はんだ付け可能チップフォトダイオード◆太陽電池等◆光導電性(太陽電池)はんだ付け可能チップ

■大きい有効径 ■豊富なサイズ ■高シャント抵抗 ■リード付又はリード無し 大きな活性面積光検出器または検出器は「使い捨て」とみなされる場合を必要とするアプリケーションに低コストのアプローチとなります。ハンダ付けリード付きまたはスタンドアロンのベアダイとして使用できます。感度範囲は400nm~1100nmです。

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シリコンフォトダイオード

シリコンフォトダイオード

OSPD50シリーズは、高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。端子間容量6pF、遮断周波数25MHz以上を実現しました。アクティブエリアは標準で0.8mmx0.8mm, 1.2mmx1.2mm, 2.0mmx2.0mmの3種類を用意しプラスチックパッケージサイズは小型で4x4.8x1.8mmになります。分光感度特性は可視〜赤外域用(λ=320nm~1100nm), 赤外域用(λ=760nm~1100nm)及び特別感度波長範囲としてλ=600nm~720nmの3タイプを用意。実装面積の小スペース化を可能にするリードフォーミングタイプへの対応も可能です。魅力的な低価格と短納期にて対応致します。

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Siプラスチックカプセルフォトダイオード

◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード ◆高品質、高信頼性 ◆高密度パッケージ ◆強固なモールドパッケージ

・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ) OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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650nm ピンフォトダイオード(650nm Pin PD)

アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Diode

高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。 アクティブエリアは標準で1.9mmx1.9mmを用意。 パッケージサイズは小型で5.2x4.8x1.43mmになります。 お客様のご要求仕様へのカスタマイズ対応も検討します。 お気軽にお問い合わせください。

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Siポジションセンサーフォトダイオード

◆1次元または2次元アクティブ領域効果 ◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能 ◆ポジションセンシング

セグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。 幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。 横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

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2色サンドイッチフォトダイオード

Two-Color Sandwich PD

■InGaAsの上にSi(1.7、2.05、2.2、2.6μm) ■上部受光部有効径:2.0mm又は5.0mm ■下部受光部有効径:1mm、2.0mm又は3.0mm ■InGaAs(1.7、2.05、2.2、2.6μm)の上にInGaAs(1.7μm) ■下部受光部有効径:1mm又は2.0mm ■標準パッケージ:TO-5、TO-8

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【資料】しるとくレポNo.12 #ダイオードの種類と特長

SiCデバイスを使って電源を効率化!ダイオードの種類と特長について簡単にご紹介

★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 半導体材料をSiからSiC(炭化ケイ素)にすることで、ショットキーバリア ダイオード(SBD)の耐電圧が向上し、PCSのDC/DCコンバータで 使用できるようになりました。 SiCにすると性能は良くなるのですが、これまではコスト面の課題で なかなか使用するまでには至りませんでした。 しかし、ここ1、2年でコストの課題も改善し、使用する機会が増えてきました。 当レポートでは、ダイオードの種類と特長について簡単にご説明します。 【掲載内容】 ■ダイオードの種類と特長 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ゲルマニウムフォトダイオード(Ge Photodiode)

GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード・赤外フォトディテクタの製造を行っています

■小から大口径まで各種:100μm~25mm ■波長感度域:800nm~1800nm ■高直線性:>10dBm ■各種レンズ選択可能:両凸レンズ、片平レンズ及びボールレンズ ■光学フィルタ:濃度フィルタ及びバンドパスフィルタ ■シングル及びデュアルステージの電子冷却可能 ■4分割フォトダイオード ■2色(Si/Ge)サンドイッチフォトダイオード ■カスタム付属品付パッケージ可能:ファイバピグテール、高信頼性ピグテール、レセプタクルとサブマウント ■各種パッケージ:TO-46、TO-18、TO-5、TO-8、TO-9、BNC

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産業用シリコン ダイオード

ディスクリートパッケージでの電力密度が向上し、小型で軽量な設計が可能に!

『650 Vエミッタソフト制御Siダイオード』は、TO247-2パッケージを 搭載している産業用シリコンダイオードです。 ストリングインバーター、マイクロインバーター、データセンターUPS、 オフラインUPS/住宅用UPS、オンラインUPS/産業用UPS、住宅用エアコン および溶接機などのアプリケーション向けに、高い信頼性を実現。 産業用および家庭用電化製品アプリケーションの信頼性を向上させます。 【特長】 ■最大150Aの高い電流定格デバイス ■きわめてソフトで高速なリカバリー動作 ■HV-H3TRB(高温高湿バイアス試験)でJEDEC規格に準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【分析事例】SIMSによるSiC

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です

市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAlの深さ方向濃度分布を抽出し、パターン毎に濃度分布の比較を行った事例をご紹介します。

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SiC ショットキーバリアダイオード

低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード

当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。 当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用。 スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した 650Vの製品を提供しています。 【特長】 ■高い逆電圧 ■JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用 ■スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を  実現した650Vの製品を提供 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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腐食しないエポキシケース 20KV-300mA 高圧整流

タイプ:整流ダイオード;最大正方向電圧:35V;最大回復電圧:20KV;最大正方向電流:300mA;最大回復電流:5.0μA

Non-corrosive epoxy resin case 20KV-300mA high voltage high current rectifier Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+130℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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【分析事例】600V耐圧SiCダイオードのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

高電圧電源(2000Vまで印加可能)を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用いています。

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SiCショットキーバリアダイオード『ICSシリーズ』

SiCによる高電流、高耐圧特性と、高速リカバリ特性により電源の高効率化に貢献

弊社のICSシリーズは、SiCを材料としたショットキーバリアダイオードです。 SiCを材料とすることで、シリコンでは実現できなかった高電流、高耐圧特性とショットキーバリアダイオードの高速リカバリ特性を両立しております。 電源回路のPFC(力率改善回路)やインバータ回路のフリーホイールダイオードに使用することにより、電源の高効率化に貢献し、スイッチング時の余分な消費電力を抑えます。 弊社比較にて、高速リカバリー性が高いダイオードで知られているファーストリカバリーダイオードと比較した場合でも、効率が33.6%UP、損失が48.2%DOWNの能力アップを実現しております。 また、電源の高効率化以外にも、シリコン以上の高温環境での動作や長寿命などのメリットがございますので、当社のSiCショットキーバリアダイオードをぜひお試しください。

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多くのサイズ 30KV/0.3A hvシリコンダイオード

最大正方向電圧:5V~500V最大回復電圧:5KV~500KV最大正方向電流:5mA~50A最大回復電流:1.0μA~100μA

More sizes available 30KV/0.3A HV silicon diode : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+125℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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腐食しないエポキシ樹脂ケース 10KV 5A 高圧整流ダイオード

タイプ:整流ダイオード;最大正方向電圧:12V;最大回復電圧:10KV;最大正方向電流:5A;最大回復電流:5uA

Non-corrosive epoxy resin case 10KV 5A High Voltage rectifier diodes : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120 ℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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腐食しないエポキシ樹脂ケース 300KV/0.5A 高圧電子整流

最大正方向電圧:5V~500V最大回復電圧:5KV~500KV最大正方向電流:5mA~50A最大回復電流:1.0μA~100μA

Non-corrosive epoxy resin case 300KV/0.5A high voltage electronic rectifiers : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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高周波シリコンダイオード 2CLG50KV/2.0A

最大正方向電圧:5V~500V最大回復電圧:5KV~500KV最大正方向電流:5mA~60A最大回復電流:1.0μA~200μA

high frequency particle accelerator silicon diode 2CLG50KV/2.0A for broadcast transmission and microwave radar : Feature: Avalanche characteristic More sizes to choose vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: High voltage rectifier used in electrostatic cleaning High voltage generator High voltage testing equipment General purpose high voltage rectifier, voltage multiplier assembly

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腐食しないエポキシ樹脂ケースダイオード100KV 1.0A

最大正方向電圧:5V~500V最大回復電圧:5KV~500KV最大正方向電流:5mA~60A最大回復電流:1.0μA~200μA

New Products non-corrosive epoxy resin case diode 100KV 1.0A rectifier diode for electric accelator, electrostatic dehydration : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: High voltage rectifier used in electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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650V, 6A SiCショットキーバリアダイオード

低スイッチング損失を実現! JSCJ製SiCショットキーバリアダイオード

当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種半導体を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番:CSD06H65(TO-220-2L) 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製造の後工程(パッケージおよびテスト)受託企業(OSAT)として、 世界第三位(2017)の江蘇長電科技有限公司(JCET)のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより取り寄せしますのでお気軽にリクエストください。

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  • JSCJ.jpg
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80KV/0.5A 高圧シリコン整流

最大正方向電圧:5V~500V最大回復電圧:5KV~500KV最大正方向電流:5mA~50A最大回復電流:1.0μA~100μA

LeadSun High Quality 80KV/0.5A high voltge silicon rectifier : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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拡散工芸 50KV/0.02A  DC整流

タイプ:整流ダイオード;最大正方向電圧:100V;最大回復電圧:50KV;最大正方向電流:0.02A;最大回復電流:2.0μA

Diffusion Craftwork 50KV/0.02A dc rectifier : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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エポキシ樹脂 40KV/0.05A 整流ダイオード

タイプ:整流ダイオード;最大正方向電圧:60V;最大回復電圧:40KV;最大正方向電流:0.05.A;最大回復電流:2.0μA

Epoxy resin molded in vacuum 40KV/0.05A rectifier diode : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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高圧シリコン制御整流 120KV/0.1A

タイプ:整流ダイオード;最大正方向電圧:144V;最大回復電圧:120KV;最大正方向電流:0.1A;最大回復電流:5.0μA

More sizes available 120KV/0.1A high voltage scr : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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高圧標準整流ダイオード 30KV 0.1A

タイプ:整流ダイオード;最大正方向電圧:45V;最大回復電圧:30KV;最大正方向電流:1.0A;最大回復電流:10uA

Epoxy Resin Molded in Compact Structure 30KV 0.1A High Voltage standard rectifier diode: Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120 ℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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高圧DC整流器200KV 0.5A  エポキシ樹脂コンパクト構造

タイプ:整流ダイオード;最大正方向電圧:240V;最大回復電圧:200KV;最大正方向電流:0.5A;最大回復電流:10uA

Epoxy Resin Molded in Compact Structure 200KV 0.5A High Voltage Dc Rectifier : Feature: Avalanche characteristic More sizes available vacuum molded, non-corrosive epoxy resin case Tj:-40℃——+120 ℃ Application: Electrostatic cleaning High Voltage testing equipment General purpose high voltage rectigier

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