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EasyPACK 3B 950V TRENCHSTOP IGBT7および1200V CoolSiC MOSFETダイオード！
『FS3L400R10W3S7F_B11』は、EasyPACK パワーモジュール製品 ラインアップに新たに加わった製品です。 ブースター回路で、950V TRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載。 SiCダイオードとの組み合わせにより、IGBTのスイッチング損失を 低減します。 【特長】 ■950V TRENCHSTOP IGBT7 ■1200 V CoolSiC ショットキーダイオード ■PressFITピン ■3つの最大電力点追従制御(MPPT)を搭載した3レベルブーストトポロジー ■モジュールの高さ：12mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
インテリジェントパワーモジュール(IPM)！マイクロコントローラー、ゲートドライバー、IGBT搭載
『iMOTION IMI111T』は、出力電流50W/70W、DCブロッキング電圧が 最大600Vのファンアプリケーションにおけるモーター制御に対応している 製品です。 システムセットアップによっては、さらに高い電力定格が可能。 また、センサーレス モーター インバーターに高効率の磁界方向制御(FOC)を 実装しています。 【特長】 ■コントローラー、ゲートドライバー、パワーステージを1パッケージ化 ■ヒートシンク無しで70W(typ.)出力 ■DSO-22パッケージ、単層レイアウトオプション ■完全な自立型モーションコントロールエンジン(MCE) ■IEC 60335-1(Class B)取得をサポート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
推奨ゲート駆動電圧範囲を15～18 Vおよび0～-5 Vに拡大！NTC温度センサー内蔵
当製品は、PressFITコンタクト技術、内蔵NTC温度センサー搭載、 熱伝導材料(TIM)塗布済みの1200 Vアプリケーション向けEasyDUAL 2B CoolSiC MOSFETハーフブリッジモジュールです。 既存のフットプリントで定格電力を拡大。EV充電、無停電電源装置(UPS)、 燃料電池などのアプリケーションが対象です。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高さ12 mmに統一された最高クラスのパッケージ ■先端WBG材料とEasyPACK モジュールパッケージの組合せ ■きわめて低い浮遊インダクタンス ■進化したCoolSiC MOSFET MH1技術 ■推奨ゲート駆動電圧範囲を15～18 Vおよび 0～-5 Vに拡大 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
上段と下段のスイッチが同じ動作をするような対称的なモジュール設計！
『CoolSiC M1H 2kV』は、62mmハーフブリッジMOSFETパワーモジュールです。 本モジュールは熱伝導材料(TIM)塗布オプションを選択できます。 標準的なモジュール構造技術により、高い信頼性を確保。 また、62mmの量産ラインで生産します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■ゲート酸化膜の高い信頼性 ■堅牢なボディダイオードを内蔵し、適切な温度条件を実現 ■宇宙線に対する高い堅牢性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
整流器、PFC、インバーターステージを1モジュール化！低浮遊インダクタンス
『ヒートポンプ アプリケーション向けパワーモジュール』は、 システムコストの削減ができる製品です。 ヒートポンプ/HVACアプリケーション用の2チャンネルインターリーブ型 PFCステージとインバーターステージを備えたEasyPIM 2B統合モジュール。 オールインワンモジュール(整流器、PFC、インバーターステージ)。 PressFIT端子、ハンダ端子から選択可能です。 【主な特長】 ■整流器、PFC、インバーターステージを1モジュール化 ■低浮遊インダクタンス ■PFCステージ用高速H5テクノロジー ■PFCステージ用最大50kHz高スイッチング周波数 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
トラクションコンバーターや太陽光発電、蓄電システムなどにご利用いただけます！
当社が取り扱っている『MOSFETパワーモジュール 3.3kv』について ご紹介いたします。 当製品は、高い電力密度、高いエネルギー効率、高い堅牢性を持ち、 交通機関の脱炭素化を実現する製品です。 その比類なき性能は、ボディダイオードを内蔵したCoolSiC MOSFET 3.3 kV、XHP2パッケージ、.XT接合技術の独自の組み合わせによって 実現されています。 【主な特長】 ■高スイッチング周波数 ■コンパクトサイズ ■低損失 ■高Inom ■XT接合技術 ■I2tサージ電流耐量 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
厳しい条件下での使用に最適化、電圧オーバーシュートの低減！導通損失の最小化
『CoolSiC M1H 1.2kV』は、高い電流密度と耐湿性がある MOSFETパワーモジュールです。 M1H技術により、VGS(th)および RDS(on)ドリフト、ゲート駆動電圧 ウィンドウに対するチップ性能を向上させており、2.9mΩで熱伝導材料 (TIM)塗布オプションを選択できます。 SiCによる成熟した62mmパッケージ技術の拡張により、高速スイッチングと 低損失ともに要求されるアプリケーションに対応します。 【主な特長】 ■堅牢なボディダイオードを内蔵し、適切な温度条件を実現 ■ゲート酸化膜の高い信頼性 ■宇宙線に対する高い堅牢性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
12kWまでのPVハイブリッドインバータ向けの完全なソリューション！
『太陽光発電ハイブリッドインバーター向けパワーモジュール』は、 高周波動作が可能な製品です。 優れたモジュール効率があり、システム効率が向上し、システムコストの 優位性を実現。 また、冷却システムの小型化ができます。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■FS3L40R07W2H5F_B70 ・CoolSiC ショットキダイオード Gen5 ・耐圧650V ・AlN(窒化アルミニウム)DCB材料による熱伝導性の向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
放熱性の向上により製品寿命が6倍向上！同じ製品寿命で出力電流が最大30％増加
『EconoDUAL 3』は、オープン水冷ヒートシンクを使用する アプリケーション向けに最適化されており、高い電力密度と 長寿命を実現するIGBTパワーモジュールです。 インバータシステムの簡素化によるシステムコストを削減。 また、対象アプリケーションとして、商用車、建設機械、 農業用車両(CAV)などがございます。 【主な特長】 ■ベースプレートのウェーブ構造 ■きわめて高い電力密度 ■同クラスで最低水準のVCEsat ■過負荷時のTvj op＝175℃ ■NTC温度センサー搭載 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
定格出力4kW超という卓越した出力密度、高い信頼性と性能を兼ね備えています！
『インテリジェント パワーモジュール』は、新しい1200V TRENCHSTOP IGBT7とラピッドダイオードEmcon 7技術を採用しています。 新しいマイクロパターントレンチ設計により、比類ない制御性と性能を提供。 これにより、損失が大幅に低減され、高い効率と電力密度を実現。 また、全チャネルでの低電圧ロックアウト機能、保護時に全スイッチをオフ、 上下同時導通防止、過電流保護、温度監視といった優れた保護機能を搭載 しています。 【主な特長】 ■DCB基盤を使用した樹脂封止型デュアルインライン(DIL) モールデッド モジュール ■1200 V TRENCHSTOP IGBT7 ■堅牢な1200 V SOIゲートドライバー技術 ■ブートストラップ機能搭載 ■過電流シャットダウン ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高い温度サイクル耐性！全温度範囲にわたって高い堅牢性を実現するピンリベット
『車載インバーター向け MOSFETパワーモジュール』は、トラクション インバータアプリケーション用途に最適化されたコンパクトなB6ブリッジ パワーモジュールです。 750Vおよび1200V耐圧クラスで300kWまでのスケーラブルな定格電力に対応。 異なる定格電流、耐圧クラス(750 Vおよび1200 V)に応じたインフィニオンの 新しいチップ技術EDT3(Si IGBT)とCoolSiC G2 MOSFETで提供されます。 さらに、HybridPACK Drive G2は、電流センサーの統合オプションなど、 システムコストを最適化する新たな機能を提供します。 【主な特長】 ■低スイッチング損失 ■低インダクタンス設計 ■時間限定の動作温度範囲拡張 ■長い沿面距離および空間距離 ■直接水冷PinFinベースプレート ■焼結接合によるダイアタッチ技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
