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MOSFETパワーモジュール×インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 - メーカー・企業と製品の一覧

MOSFETパワーモジュールの製品一覧

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1200V MOSFETパワー モジュール

1200V MOSFETパワー モジュール

市場で特に幅広い産業用シリコンカーバイドのラインアップを提供！

『1200V MOSFETパワー モジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから 進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。 推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0V～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を 大幅に拡大。また、オーバーシュートとアンダーシュートをカバーする ために最大ゲートソース電圧を+23Vと-10Vに拡大しています。 VGS(th)の安定性向上により、スイッチング時のドリフトを大幅に低減し、 同時にRDSon性能を125℃で約12％向上しました。なお、デバイスの 基本コンセプトは変わらず、セルレイアウトやサイズにも変更はありません。 【特長】 ■Easy 1B、2B、3Bパッケージ ■1200V CoolSiC MOSFETM1H(強化型第1世代) ■最大ゲートソース間電圧+23V～-10Vに拡大 ■6パック、3レベルまたはハーフブリッジ構成 ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • コンバーター

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MOSFETパワーモジュール CoolSiC M1H 2kV

MOSFETパワーモジュール CoolSiC M1H 2kV

上段と下段のスイッチが同じ動作をするような対称的なモジュール設計！

『CoolSiC M1H 2kV』は、62mmハーフブリッジMOSFETパワーモジュールです。 本モジュールは熱伝導材料(TIM)塗布オプションを選択できます。 標準的なモジュール構造技術により、高い信頼性を確保。 また、62mmの量産ラインで生産します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■ゲート酸化膜の高い信頼性 ■堅牢なボディダイオードを内蔵し、適切な温度条件を実現 ■宇宙線に対する高い堅牢性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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MOSFETパワーモジュール 3.3kv

MOSFETパワーモジュール 3.3kv

トラクションコンバーターや太陽光発電、蓄電システムなどにご利用いただけます！

当社が取り扱っている『MOSFETパワーモジュール 3.3kv』について ご紹介いたします。 当製品は、高い電力密度、高いエネルギー効率、高い堅牢性を持ち、 交通機関の脱炭素化を実現する製品です。 その比類なき性能は、ボディダイオードを内蔵したCoolSiC MOSFET 3.3 kV、XHP2パッケージ、.XT接合技術の独自の組み合わせによって 実現されています。 【主な特長】 ■高スイッチング周波数 ■コンパクトサイズ ■低損失 ■高Inom ■XT接合技術 ■I2tサージ電流耐量 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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MOSFETパワーモジュール CoolSiC M1H 1.2kV

MOSFETパワーモジュール CoolSiC M1H 1.2kV

厳しい条件下での使用に最適化、電圧オーバーシュートの低減！導通損失の最小化

『CoolSiC M1H 1.2kV』は、高い電流密度と耐湿性がある MOSFETパワーモジュールです。 M1H技術により、VGS(th)および RDS(on)ドリフト、ゲート駆動電圧 ウィンドウに対するチップ性能を向上させており、2.9mΩで熱伝導材料 (TIM)塗布オプションを選択できます。 SiCによる成熟した62mmパッケージ技術の拡張により、高速スイッチングと 低損失ともに要求されるアプリケーションに対応します。 【主な特長】 ■堅牢なボディダイオードを内蔵し、適切な温度条件を実現 ■ゲート酸化膜の高い信頼性 ■宇宙線に対する高い堅牢性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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車載インバーター向け MOSFETパワーモジュール

車載インバーター向け MOSFETパワーモジュール

高い温度サイクル耐性！全温度範囲にわたって高い堅牢性を実現するピンリベット

『車載インバーター向け MOSFETパワーモジュール』は、トラクション インバータアプリケーション用途に最適化されたコンパクトなB6ブリッジ パワーモジュールです。 750Vおよび1200V耐圧クラスで300kWまでのスケーラブルな定格電力に対応。 異なる定格電流、耐圧クラス(750 Vおよび1200 V)に応じたインフィニオンの 新しいチップ技術EDT3(Si IGBT)とCoolSiC G2 MOSFETで提供されます。 さらに、HybridPACK Drive G2は、電流センサーの統合オプションなど、 システムコストを最適化する新たな機能を提供します。 【主な特長】 ■低スイッチング損失 ■低インダクタンス設計 ■時間限定の動作温度範囲拡張 ■長い沿面距離および空間距離 ■直接水冷PinFinベースプレート ■焼結接合によるダイアタッチ技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

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