市場で特に幅広い産業用シリコンカーバイドのラインアップを提供！
『1200V MOSFETパワー モジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから 進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。 推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0V～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を 大幅に拡大。また、オーバーシュートとアンダーシュートをカバーする ために最大ゲートソース電圧を+23Vと-10Vに拡大しています。 VGS(th)の安定性向上により、スイッチング時のドリフトを大幅に低減し、 同時にRDSon性能を125℃で約12％向上しました。なお、デバイスの 基本コンセプトは変わらず、セルレイアウトやサイズにも変更はありません。 【特長】 ■Easy 1B、2B、3Bパッケージ ■1200V CoolSiC MOSFETM1H(強化型第1世代) ■最大ゲートソース間電圧+23V～-10Vに拡大 ■6パック、3レベルまたはハーフブリッジ構成 ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【主な利点】 ■市場で特に幅広い産業用SiC製品のラインアップ ■標準的なCoolSiC MOSFET(M1)に比べてRDsonが12％向上 ■スイッチング時のドリフトを低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。
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