We have compiled a list of manufacturers, distributors, product information, reference prices, and rankings for MOSFETパワーモジュール.
ipros is IPROS GMS ・ IPROS One of the largest technical database sites in Japan that collects information on.

MOSFETパワーモジュール - List of Manufacturers, Suppliers, Companies and Products

MOSFETパワーモジュール Product List

1～6 item / All 6 items

Displayed results
1200V MOSFETパワー モジュール

1200V MOSFETパワー モジュール

市場で特に幅広い産業用シリコンカーバイドのラインアップを提供！

『1200V MOSFETパワー モジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから 進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。 推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0V～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を 大幅に拡大。また、オーバーシュートとアンダーシュートをカバーする ために最大ゲートソース電圧を+23Vと-10Vに拡大しています。 VGS(th)の安定性向上により、スイッチング時のドリフトを大幅に低減し、 同時にRDSon性能を125℃で約12％向上しました。なお、デバイスの 基本コンセプトは変わらず、セルレイアウトやサイズにも変更はありません。 【特長】 ■Easy 1B、2B、3Bパッケージ ■1200V CoolSiC MOSFETM1H(強化型第1世代) ■最大ゲートソース間電圧+23V～-10Vに拡大 ■6パック、3レベルまたはハーフブリッジ構成 ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • コンバーター

Added to bookmarks

Bookmarks list

Bookmark has been removed

Bookmarks list

You can't add any more bookmarks

By registering as a member, you can increase the number of bookmarks you can save and organize them with labels.

Free membership registration
フルブリッジ SiC-MOSFETパワーモジュール

フルブリッジ SiC-MOSFETパワーモジュール

FA、産業機械、ロボットデバイスなどの国内大手のお客様に採用！

当社では、産業機器用アプリケーション『トーテムポールブリッジレスPFC/ フルブリッジ SiC-MOSFETパワーモジュール』を取り扱っております。 お客様の様々なニーズにお応えすべく、業界トップクラスの性能を誇る 各種ブリッジダイオードをはじめ、多種多様なダイオード、低耐圧から 高耐圧までの幅広いパワーMOSFET、高耐圧パワーIC、パワー回路部品を 集約化したパワーモジュールなどをご用意。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■小型化(実装面積30％削減) ■サージ電圧を25％低減(独自の低インダクタンス構造) ■絶縁タイプ ■650V/20-50mΩSiC-MOSFETを4素子搭載 ■サンプルあり ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

Added to bookmarks

Bookmarks list

Bookmark has been removed

Bookmarks list

You can't add any more bookmarks

By registering as a member, you can increase the number of bookmarks you can save and organize them with labels.

Free membership registration
MOSFETパワーモジュール CoolSiC M1H 2kV

MOSFETパワーモジュール CoolSiC M1H 2kV

上段と下段のスイッチが同じ動作をするような対称的なモジュール設計！

『CoolSiC M1H 2kV』は、62mmハーフブリッジMOSFETパワーモジュールです。 本モジュールは熱伝導材料(TIM)塗布オプションを選択できます。 標準的なモジュール構造技術により、高い信頼性を確保。 また、62mmの量産ラインで生産します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■ゲート酸化膜の高い信頼性 ■堅牢なボディダイオードを内蔵し、適切な温度条件を実現 ■宇宙線に対する高い堅牢性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

Added to bookmarks

Bookmarks list

Bookmark has been removed

Bookmarks list

You can't add any more bookmarks

By registering as a member, you can increase the number of bookmarks you can save and organize them with labels.

Free membership registration
MOSFETパワーモジュール 3.3kv

MOSFETパワーモジュール 3.3kv

トラクションコンバーターや太陽光発電、蓄電システムなどにご利用いただけます！

当社が取り扱っている『MOSFETパワーモジュール 3.3kv』について ご紹介いたします。 当製品は、高い電力密度、高いエネルギー効率、高い堅牢性を持ち、 交通機関の脱炭素化を実現する製品です。 その比類なき性能は、ボディダイオードを内蔵したCoolSiC MOSFET 3.3 kV、XHP2パッケージ、.XT接合技術の独自の組み合わせによって 実現されています。 【主な特長】 ■高スイッチング周波数 ■コンパクトサイズ ■低損失 ■高Inom ■XT接合技術 ■I2tサージ電流耐量 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

Added to bookmarks

Bookmarks list

Bookmark has been removed

Bookmarks list

You can't add any more bookmarks

By registering as a member, you can increase the number of bookmarks you can save and organize them with labels.

Free membership registration
MOSFETパワーモジュール CoolSiC M1H 1.2kV

MOSFETパワーモジュール CoolSiC M1H 1.2kV

厳しい条件下での使用に最適化、電圧オーバーシュートの低減！導通損失の最小化

『CoolSiC M1H 1.2kV』は、高い電流密度と耐湿性がある MOSFETパワーモジュールです。 M1H技術により、VGS(th)および RDS(on)ドリフト、ゲート駆動電圧 ウィンドウに対するチップ性能を向上させており、2.9mΩで熱伝導材料 (TIM)塗布オプションを選択できます。 SiCによる成熟した62mmパッケージ技術の拡張により、高速スイッチングと 低損失ともに要求されるアプリケーションに対応します。 【主な特長】 ■堅牢なボディダイオードを内蔵し、適切な温度条件を実現 ■ゲート酸化膜の高い信頼性 ■宇宙線に対する高い堅牢性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

Added to bookmarks

Bookmarks list

Bookmark has been removed

Bookmarks list

You can't add any more bookmarks

By registering as a member, you can increase the number of bookmarks you can save and organize them with labels.

Free membership registration
車載インバーター向け MOSFETパワーモジュール

車載インバーター向け MOSFETパワーモジュール

高い温度サイクル耐性！全温度範囲にわたって高い堅牢性を実現するピンリベット

『車載インバーター向け MOSFETパワーモジュール』は、トラクション インバータアプリケーション用途に最適化されたコンパクトなB6ブリッジ パワーモジュールです。 750Vおよび1200V耐圧クラスで300kWまでのスケーラブルな定格電力に対応。 異なる定格電流、耐圧クラス(750 Vおよび1200 V)に応じたインフィニオンの 新しいチップ技術EDT3(Si IGBT)とCoolSiC G2 MOSFETで提供されます。 さらに、HybridPACK Drive G2は、電流センサーの統合オプションなど、 システムコストを最適化する新たな機能を提供します。 【主な特長】 ■低スイッチング損失 ■低インダクタンス設計 ■時間限定の動作温度範囲拡張 ■長い沿面距離および空間距離 ■直接水冷PinFinベースプレート ■焼結接合によるダイアタッチ技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他電子部品

Added to bookmarks

Bookmarks list

Bookmark has been removed

Bookmarks list

You can't add any more bookmarks

By registering as a member, you can increase the number of bookmarks you can save and organize them with labels.

Free membership registration
COPYRIGHT © 2001-2025 IPROS CORPORATION ALL RIGHTS RESERVED.