プローブのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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プローブ - メーカー・企業164社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年10月08日~2025年11月04日
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プローブのメーカー・企業ランキング

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  1. 株式会社サンケイエンジニアリング 本社 神奈川県/製造・加工受託
  2. 株式会社テイエスエスジャパン 東京都/産業用電気機器
  3. ウェーブクレスト株式会社 埼玉県/産業用電気機器
  4. 4 日本オートマティック・コントロール株式会社 電子システム部 東京都/産業用電気機器
  5. 4 テスプロ株式会社 東京都/産業用電気機器

プローブの製品ランキング

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  1. コンタクトプローブ CPシリーズ(汎用品) 株式会社サンケイエンジニアリング 本社
  2. 結線用ターミナル TAシリーズ 株式会社サンケイエンジニアリング 本社
  3. フレキシブル電線 株式会社サンケイエンジニアリング 本社
  4. 4 プローブ取付用アダプタソケット ASシリーズ 株式会社サンケイエンジニアリング 本社
  5. 5 AC電流プローブ 『CWT Mini50HF』 日本オートマティック・コントロール株式会社 電子システム部

プローブの製品一覧

181~195 件を表示 / 全 657 件

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SX-B 3-1(H field磁界プローブ)

電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています!

当社で取り扱う『SX-B 3-1(H field磁界プローブ)』について、ご紹介いたします。 内部コイルはシャフトに対して直角に配置されているので、測定対象の アセンブリまたはデバイスに対し、プローブヘッドを垂直に使用すると、 正しく測定可能。 プローブヘッドが非常に小さいので、コンポーネントに挟まれたアクセスが 困難なプリント基板等へ上からアプローチする事ができます。 測定対象物から90°方向に放射される磁力線を検出し、横から入る 磁力線は検出しません。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯:1GHz~10GHz ■コネクタ:SMA female, Jack ■分解能:2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC対策製品

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XF-R 100-1(H field 磁界プローブ)

XFシリーズの磁界プローブには50Ωの終端抵抗が内蔵!

『XF-R 100-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、最大3cm離れた アセンブリやデバイス、ケーブルを測定する様に設計された製品です。 広帯域でなおかつ高い直線性により、干渉源となる大きなコンポーネントの 特定が可能。 そのヘッドサイズ、感度、分解能において、「XF-R 400-1」と「XF-R 3-1」 プローブの中間の性能です。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ■分解能:Φ10mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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XF-R 3-1(H field 磁界プローブ)

高い磁界強度にあるコンポーネントに近接しての測定に好適!

『XF-R 3-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 ICピンやICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出。 「XF-R 100-1」及び「XF-R 400-1」プローブと同じ基本構造ですが、当製品は はるかに高い分解能を持っています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ■分解能:1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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XF-U 2.5-1(H field 磁界プローブ)

50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能!

『XF-U 2.5-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計された製品です。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップがあり、 測定時には、プローブヘッドのギャップを測定対象物上に配置。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ■分解能:0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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RF-R 50-1(H field 磁界プローブ)

大き目のヘッドにより、より大きいコンポーネントを干渉源の可能性として検出可能!

『RF-R 50-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、最大3cm離れた アセンブリ、デバイス、またはケーブルを測定する様に設計されている 製品です。 当製品のプローブヘッドは、直径10mmのため、直径25mmの 「RF-R 400-1」と比較して感度は低くなりますが、高分解能です。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 RFシリーズの磁界プローブには50Ωの終端抵抗は内蔵されていません。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ10mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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RF-R 3-2(H field 磁界プローブ)

高い磁界強度にあるコンポーネントに近接しての測定に好適!

『RF-R 3-2』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 ICピンやICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出。 「RF-R 50-1」及び「RF-R 500-1」プローブと同じ基本構造ですが、当製品の 分解能ははるかに高くなります。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ■分解能:1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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RF-R 0.3-3(H field 磁界プローブ)

「RF-R 50-1」及び「RF-R 400-1」プローブと同じ基本構造ですが、はるかに高い分解能!

『RF-R 0.3-3』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 小型のプローブヘッドを備えているので、非常に高い分解能で磁場を 測定する事ができ、小さいコンポーネントでも干渉源として検出。 また、狭い場所へのアプローチも可能にします。ICピンやICケース、導電パス、 デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント周囲の領域など、 アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出します。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ2.0mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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RF-U 2.5-2(H field 磁界プローブ)

50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能!

『RF-U 2.5-2』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計された製品です。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップがあり、 測定対象物上に直接配置して測定。 「RF-U 5-2」と同じ基本構造ですが、より小さいエリアの検出に適しています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMBmale,Jack ■分解能:0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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RF-K 7-4(H field 磁界プローブ)

横から入る磁力線を検出せず、プローブヘッド面に入る不均一な磁場を検出!

『RF-K 7-4』磁界プローブは、パッシブ近傍界プローブで、プローブヘッドに 逆方向に入る半円形の磁力線を検出する製品です。 半円形の磁力線は、線状、棒状構造の部品、ケーブルコネクタ、そして 平面構造部品の端に沿って発生。 プローブはカップリングクランプのように機能します。重なり合った 均一磁場は検出しません。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:6x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~1GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ■分解能:5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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RF-E 09(E field 電界プローブ)

「RF-E 03」及び「RF-E 04」プローブと同じ基本構造!

『RF-E 09』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 プローブヘッドの電極は、ICの表面上で分離された電界を検出。 アセンブリ上0.5~10mmの距離内でよく機能します。 小さな正方形の電極面を回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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LF-R 400(H field 磁界プローブ)

先端直径が大きい程、感度が高く、より広い領域の磁場を検出することができる!

『LF-R 400 磁界プローブ』は、ヘッドサイズが直径25mmのパッシブ近傍界 プローブで、感度が高く、アセンブリやデバイスの周囲最大10cmの範囲の 測定に適しています。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 「LFシリーズ」の磁界プローブには、50Ωの終端抵抗は内蔵されていません。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ25mm プローブヘッド ■対応周波数帯:100kHz~50MHz ■コネクタ:SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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LF-B 3(H field 磁界プローブ)

コンポーネントに挟まれたアクセスが困難なプリント基板等へ上からアプローチする事ができる!

『LF-B 3 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、内部コイルは シャフトに対して直角に配置され、測定対象のアセンブリまたはデバイスに 対し、プローブヘッドを垂直に使用すると、正しく測定することができます。 当製品は、測定対象物から90°方向に放射される磁力線を検出し、 横から入る磁力線は検出しません。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ4mm プローブヘッド ■対応周波数帯:100kHz~50MHz ■コネクタ:SMB male,Jack ■分解能:2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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LF-K 7(H field 磁界プローブ)

半円形の磁力線は、線状、棒状構造の部品、ケーブルコネクタ、そして平面構造部品の端に沿って発生

『LF-K 7 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、2つのコイル により半円形の磁力線を検出します。 プローブはカップリングクランプのように機能します。「LF-U 5」 プローブとは対照的に、横から入る磁力線を検出しません。 1つ目のコイルを通ってプローブヘッドの内部に入り、ヘッド内で円形に 曲がり、2つ目のコイルを通って出る不均一な磁場を検出します。 重なり合った均一磁場は検出しません。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:6×10mm プローブヘッド ■対応周波数帯:100kHz~50MHz ■コネクタ:SMB male,Jack ■分解能:5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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MFA 01 セット(アクティブ磁界プローブ)

各マイクロプローブにはプリアンプが内蔵!納品には補正データが含まれます

『MFA 01 セット』には、例えば、信号導体(150μm)、SMDコンポーネント、 またはICピンにおける最大6GHzまでの磁場を測定することができる高分解能 磁界マイクロプローブ3本と、バイアスティー、専用ケーブル1本が含まれてます。 各マイクロプローブにはプリアンプが内蔵されています。 プリアンプ(9V,100mA)には、50オームのインピーダンスを持つバイアスティー BT 706を介して電力が供給され、磁界マイクロプローブは、BT 706を介して スペクトラム アナライザまたはオシロスコープに接続されます。 【仕様】 ■タイプ:PCBエミッション 近傍界マイクロプローブ ■対応周波数帯:1MHz~6GHz ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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MFA-K 0.1-12(磁界マイクロプローブ)

カップリングクランプの様に機能する非常に小さいプローブヘッドを備え、最大6GHzのRF磁界の測定に適しています

『MFA-K 0.1-12 磁界マイクロプローブ』は、動作するためにBT 706 バイアスティーを必要とするアクティブ近傍界マイクロプローブです。 コンポーネント上のICピン、微細な導電パス(150μm)での電流測定が可能。 「MFA-K 0.1-30」と同じ基本構造ですが、周波数特性のみ異なります。 特殊なプローブヘッド設計により、隣接する導体で発生する横からの 磁力線は検出しません。 【仕様】 ■タイプ:近傍界マイクロプローブ ■サイズ:マイクロチップ状 ■対応周波数帯:100MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ■分解能:200μm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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