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対応周波数帯は～40GHz！電界発生源の位置を特定することが可能
『HR-E 40-1セット』は、HR-E 40-1電界プローブが含まれている PCBエミッション近傍界プローブタイプの製品です。 このプローブは、最大40GHzの電界測定を可能にします。 HR-E 40-1のプローブヘッドは、個々の導体トラック上を直接測定できるので、 電界発生源の位置を特定することができます。 【セット内容】 ■HR-E 40-1：E-Field Probe～40GHz ■CS-ESA：Viewer ChipScan-ESA Viewer Software/USB ■HR-E char：HR-E 40-1 個別データ ■ユーザーマニュアル ■ケース ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
EMC対策・設計のために、ノイズの発生源を突き止める事は大変重要！
『100Series EMCプローブ』は、EMCの問題を特定し、解決するべく 設計された製品です。 100A,100B,100Cは、磁界用ループプローブで、100Dは電界用プローブで スタブ形状。 ループプローブは、静電シールドが施されており、コモンモード信号から 絶縁されます。その結果、優れた再現性を実現します。 【特長】 ■さまざまな周波数で好適な感度と空間分解能が得られる複数のループサイズ ■ループプローブに施された静電シールドにより、コモンモード ピックアップが排除 ■狭いスペースにアクセスできるコンパクトなプローブ形状 ■最大3GHzまでの感度校正済み(6GHzを超える使用も可能) ■放射を行い、電磁感受性試験用のフィールド生成も可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
開発プロセス中の電子アセンブリ上の30MHz～3GHzの電界と磁界を測定可能！
『RF1近傍界プローブセット』は、4本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 当セットのプローブヘッドは、電子アセンブリに非常に近づけた位置での 測定が可能。 ICピン、導電パス、コンポーネントやコネクタ上での検査を行うことができ、 干渉源を特定することができます。 【セット内容】 ■RF-K 7-4：H-Field Probe 30MHz～1GHz ■RF-U 2.5-2：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-R 3-2：H-Field Probe 30MHz～3GHz ■RF-E 10：E-Field Probe 30MHz～3GHz ■SMB-BNC：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
電子アセンブリの磁界の向きや分布についても、検出可能！
『RF3ミニセット』は、分解能1mm未満の2本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ上の30MHz～3GHzの電界と磁界を 測定することが可能。 レイアウトおよびコンポーネント範囲における磁場及び妨害電流を詳細に 測定できる様に設計された特別な小型ヘッドが付いています。 【セット内容】 ■RF-B 0.3-3：H-Field Probe mini 30MHz～3GHz ■RF-R 0.3-3：H-Field Probe mini 30MHz～3GHz ■SMB-BNC：1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
プローブには電流減衰器が含まれ、50Ωインピーダンス整合ネットワークが内蔵！
『HR-R 8-1磁場プローブ』は、最大40GHzの周波数帯をカバーする パッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドは特殊な減衰システムによってケーブルシールドから 切り離されています。 当製品は、ICピンや導体トラック上で磁場測定を直接行うことができ、 磁場発生源を特定できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：9x9mmプローブヘッド ■対応周波数帯：～40GHz ■コネクタ：2.92mm female, Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
プローブには電流減衰器が含まれ、50Ωインピーダンス整合ネットワークが内蔵！
『HR-E 40-1電界プローブ』は、最大40GHzの周波数帯をカバーする パッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドは特殊な減衰システムによってケーブルシールドから 切り離されています。 さらに、プローブには電流減衰器が含まれ、50Ωインピーダンス整合 ネットワークが内蔵されています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：チップ状(内部電極までの距離0.5mm) ■対応周波数帯：～40GHz ■コネクタ：2.92mm female, Jack ■分解能：0.2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています！
当社で取り扱う『SX-B 3-1(H field磁界プローブ)』について、ご紹介いたします。 内部コイルはシャフトに対して直角に配置されているので、測定対象の アセンブリまたはデバイスに対し、プローブヘッドを垂直に使用すると、 正しく測定可能。 プローブヘッドが非常に小さいので、コンポーネントに挟まれたアクセスが 困難なプリント基板等へ上からアプローチする事ができます。 測定対象物から90°方向に放射される磁力線を検出し、横から入る 磁力線は検出しません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：1GHz～10GHz ■コネクタ：SMA female, Jack ■分解能：2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
XFシリーズの磁界プローブには50Ωの終端抵抗が内蔵！
『XF-R 100-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、最大3cm離れた アセンブリやデバイス、ケーブルを測定する様に設計された製品です。 広帯域でなおかつ高い直線性により、干渉源となる大きなコンポーネントの 特定が可能。 そのヘッドサイズ、感度、分解能において、「XF-R 400-1」と「XF-R 3-1」 プローブの中間の性能です。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：Φ10mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
高い磁界強度にあるコンポーネントに近接しての測定に好適！
『XF-R 3-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 ICピンやICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出。 「XF-R 100-1」及び「XF-R 400-1」プローブと同じ基本構造ですが、当製品は はるかに高い分解能を持っています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能！
『XF-U 2.5-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計された製品です。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップがあり、 測定時には、プローブヘッドのギャップを測定対象物上に配置。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
大き目のヘッドにより、より大きいコンポーネントを干渉源の可能性として検出可能！
『RF-R 50-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、最大3cm離れた アセンブリ、デバイス、またはケーブルを測定する様に設計されている 製品です。 当製品のプローブヘッドは、直径10mmのため、直径25mmの 「RF-R 400-1」と比較して感度は低くなりますが、高分解能です。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 RFシリーズの磁界プローブには50Ωの終端抵抗は内蔵されていません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
高い磁界強度にあるコンポーネントに近接しての測定に好適！
『RF-R 3-2』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 ICピンやICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出。 「RF-R 50-1」及び「RF-R 500-1」プローブと同じ基本構造ですが、当製品の 分解能ははるかに高くなります。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
「RF-R 50-1」及び「RF-R 400-1」プローブと同じ基本構造ですが、はるかに高い分解能！
『RF-R 0.3-3』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 小型のプローブヘッドを備えているので、非常に高い分解能で磁場を 測定する事ができ、小さいコンポーネントでも干渉源として検出。 また、狭い場所へのアプローチも可能にします。ICピンやICケース、導電パス、 デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント周囲の領域など、 アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出します。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ2.0mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能！
『RF-U 2.5-2』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計された製品です。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップがあり、 測定対象物上に直接配置して測定。 「RF-U 5-2」と同じ基本構造ですが、より小さいエリアの検出に適しています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMBmale,Jack ■分解能：0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
横から入る磁力線を検出せず、プローブヘッド面に入る不均一な磁場を検出！
『RF-K 7-4』磁界プローブは、パッシブ近傍界プローブで、プローブヘッドに 逆方向に入る半円形の磁力線を検出する製品です。 半円形の磁力線は、線状、棒状構造の部品、ケーブルコネクタ、そして 平面構造部品の端に沿って発生。 プローブはカップリングクランプのように機能します。重なり合った 均一磁場は検出しません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～1GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
「RF-E 03」及び「RF-E 04」プローブと同じ基本構造！
『RF-E 09』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 プローブヘッドの電極は、ICの表面上で分離された電界を検出。 アセンブリ上0.5～10mmの距離内でよく機能します。 小さな正方形の電極面を回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯：30MHz～3GHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
先端直径が大きい程、感度が高く、より広い領域の磁場を検出することができる！
『LF-R 400 磁界プローブ』は、ヘッドサイズが直径25mmのパッシブ近傍界 プローブで、感度が高く、アセンブリやデバイスの周囲最大10cmの範囲の 測定に適しています。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 「LFシリーズ」の磁界プローブには、50Ωの終端抵抗は内蔵されていません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ25mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
コンポーネントに挟まれたアクセスが困難なプリント基板等へ上からアプローチする事ができる！
『LF-B 3 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、内部コイルは シャフトに対して直角に配置され、測定対象のアセンブリまたはデバイスに 対し、プローブヘッドを垂直に使用すると、正しく測定することができます。 当製品は、測定対象物から90°方向に放射される磁力線を検出し、 横から入る磁力線は検出しません。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：Φ4mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
半円形の磁力線は、線状、棒状構造の部品、ケーブルコネクタ、そして平面構造部品の端に沿って発生
『LF-K 7 磁界プローブ』は、パッシブ近傍界プローブで、2つのコイル により半円形の磁力線を検出します。 プローブはカップリングクランプのように機能します。「LF-U 5」 プローブとは対照的に、横から入る磁力線を検出しません。 1つ目のコイルを通ってプローブヘッドの内部に入り、ヘッド内で円形に 曲がり、2つ目のコイルを通って出る不均一な磁場を検出します。 重なり合った均一磁場は検出しません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ■サイズ：6×10mm プローブヘッド ■対応周波数帯：100kHz～50MHz ■コネクタ：SMB male,Jack ■分解能：5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
各マイクロプローブにはプリアンプが内蔵！納品には補正データが含まれます
『MFA 01 セット』には、例えば、信号導体(150μm)、SMDコンポーネント、 またはICピンにおける最大6GHzまでの磁場を測定することができる高分解能 磁界マイクロプローブ3本と、バイアスティー、専用ケーブル1本が含まれてます。 各マイクロプローブにはプリアンプが内蔵されています。 プリアンプ(9V,100mA)には、50オームのインピーダンスを持つバイアスティー BT 706を介して電力が供給され、磁界マイクロプローブは、BT 706を介して スペクトラム アナライザまたはオシロスコープに接続されます。 【仕様】 ■タイプ：PCBエミッション 近傍界マイクロプローブ ■対応周波数帯：1MHz～6GHz ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
カップリングクランプの様に機能する非常に小さいプローブヘッドを備え、最大6GHzのRF磁界の測定に適しています
『MFA-K 0.1-12 磁界マイクロプローブ』は、動作するためにBT 706 バイアスティーを必要とするアクティブ近傍界マイクロプローブです。 コンポーネント上のICピン、微細な導電パス(150μm)での電流測定が可能。 「MFA-K 0.1-30」と同じ基本構造ですが、周波数特性のみ異なります。 特殊なプローブヘッド設計により、隣接する導体で発生する横からの 磁力線は検出しません。 【仕様】 ■タイプ：近傍界マイクロプローブ ■サイズ：マイクロチップ状 ■対応周波数帯：100MHz～6GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：200μm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
非常に小型で高分解能のプローブヘッドを備え、最大1GHzのRF磁界の測定に適しています
『MFA-R 0.2-75 磁界マイクロ プローブ』は、動作するためにBT 706 バイアスティーを必要とするアクティブ近傍界マイクロプローブです。 プローブヘッドにはプリアンプ(9V,100mA)が内蔵されており、50Ωの インピーダンスを持つバイアスティーBT 706を介して電力が供給され、 BT 706を介してスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能。 Langer社の近傍界マイクロプローブは超コンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ：近傍界マイクロプローブ ■サイズ：マイクロチップ状 ■対応周波数帯：1MHz～1GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：300μm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
カップリングクランプの様に機能する非常に小さいプローブヘッドを備え、最大1GHzのRF磁界の測定に適しています
『MFA-K 0.1-30 磁界マイクロプローブ』は、動作するためにBT 706 バイアスティーを必要とするアクティブ近傍界マイクロプローブです。 プローブヘッドのコイルの方向は、黒い点がマークされていますので 向きを確認して測定してください。 また、納品には補正データが含まれます。補正データを使用して、 プローブの出力電圧を磁場または導体を流れる電流のいずれかに 変換してください。 【仕様】 ■タイプ：近傍界マイクロプローブ ■サイズ：マイクロチップ状 ■対応周波数帯：1MHz～1GHz ■コネクタ：SMA female,Jack ■分解能：200μm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
Langer社は、顧客の要件に応じて特殊な形状の近傍界プローブも製造！
株式会社テイエスエスジャパンでは『CM-SHP カスタムプローブ』を 取り扱っております。 Langer社は、顧客の要件に応じて特殊な形状の近傍界プローブも 製造します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【仕様】 ■タイプ：近傍界プローブ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
ハンドヘルドタイプや顕微鏡タイプなど多数プローブをラインアップ！
当社では、SS-OCTシステムやOEM製品にカスタム・オプションとして 使用可能な『プローブ』を取扱っております。 手に持ちサンプルに押し当てて測定する「ハンドヘルドタイプ」をはじめ、 測定位置を確認しながら測定できる「顕微鏡タイプ」など、 様々なプローブをラインアップしています。 【特長】 ■ハンドヘルドタイプ ・手に持ちサンプルに押し当てて測定 ・アタッチメントにより測定物までの距離を変え、3D測定も対応可能 ■顕微鏡タイプ ・XYZステージにより高精度にサンプルの位置決めを行う ・測定位置を確認しながら測定できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
1ボタンですぐに測定開始！
橋の柱など、海中の構造物の調査に活躍！ 母材を保護する犠牲陽極の定期点検に役立ちます。 ※詳しくは下記の「PDFダウンロード」からカタログをご覧下さい。 「お問い合わせ」からお見積り依頼も可能です。お気軽にどうぞ。
従来のマニピュレータとは異なる自走式ナノプローバロボット『miBot』！
この新発想のナノ・プロービングシステムは、最大8基のmiBotナノプローバの制御が可能であり、様々な構成とオプションを組み合わせて提供可能です。アプリケーション固有の要求事項や装置への搭載条件に対応したカスタマイズが可能です。 miBot用のコンパクトで軽量なプラットフォームは、様々な電子顕微鏡に対応することが可能であり、SEM等のサンプルステージ上に取り付けたり、ロードロックを介して試料室内に導入することも可能です。 セミインレンズ形対物レンズを使用した高分解能イメージングにも対応し、新型のFE-SEMを使用し0.5kV未満の低加速電圧での高分解能イメージング下での、ナノプロービング試験を実現します。 また、SEMのサンプルステージのチルト機構を使用して、ナノ・プロービングシステム全体を傾けることが可能です。 FIBによる回路修正とナノプロービングを同一環境下で行うことか可能となり、より迅速に且つ正確な故障解析結果を得ることが可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ブルカー社で開発した透過反射プローブによりスラリーやエマルジョンの測定が可能で、発酵/培養プロセスのモニタリングが可能です。
ブルカー社で開発した透過反射プローブによりスラリー、エマルジョン、乳製品、クリームの測定や、発酵槽中の反応モニタリングが可能です。お客様のご指定の各種フランジを溶接してご提供可能です。高温タイプもご提供可能です。
低ノイズ測定を実行し、DC電圧の上でズームインするオフセット機能を提供。
電源レールの正確なリップルおよびノイズ測定には、広帯域のオシロスコープ と専用のプローブが必要で、低ノイズ測定を実行し、DC電圧の上でズームイン するオフセット機能を提供します。 R&S RT-ZPR20パワーレール・プローブ、R&S RTE、R&S RTOデジタル・ オシロスコープは、この測定に好適なツールです。 【課題】 ■データ転送のパフォーマンスに直接影響 ・配電ネットワークの安定性がDDR4メモリではわずか60 mV(Vpp)に減少 ・今後さらに低下する可能性がある ・リップルとノイズは、クロックとデータのジッタに悪影響 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
標準品 最小ピッチ 0.15ｍｍ～、製品全長最短 1ｍｍ～。標準品以外のご希望サイズ・形状にもお応えしております!
創業以来脈々と培ってきた精密加工技術と、研究開発によって蓄積された分析力で裏付けされたスプリングテストプローブを、お客さまのニーズに応えるべくピッチサイズ毎に標準品として取り揃えております。 ※標準品以外にも、ご希望承ります。 【特徴】 ■高寿命 100万回耐久→安定抵抗値 ■高荷重 35gf＠0.5ｍｍ（0.4ｍｍpitch） ■低抵抗 50ｍΩから ■他品種 最小径直径0.08ｍｍ、最短長1.0ｍｍ ■多様な表面処理 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問合せください。
