Last Updated： Aggregation Period:2025年11月05日～2025年12月02日
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SiC・GaN・酸化ガリウム等、次世代デバイスの可能性と課題を徹底分析
当社はビジネスセミナーを開催します。 【セミナー詳細】 ■開催日時：2025年10月16日(木) 16:30 - 18:30(開場16時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信、アーカイブ配信 ■講師：株式会社富士経済 インダストリー＆マテリアル事業部 第二部 課長 三上 拓 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「電源機器の寿命検証」や「DC-DCコンバータ設計 電源設計時の着眼点」など当社技術のノウハウが満載！
当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの2017年度～2019年度までの WTIブログ、電源・パワエレ編についてまとめています。 「CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い」をはじめ、 「電源機器の寿命検証」や「SiCデバイスを使って電源を 効率化してみました」などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2017.5.16 技術者は原理原則の理解が大事なんです！ ■2017.9.5 太陽光発電システムの縁の下の力持ち～パワコンとは～ ■2017.9.19 CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い ■2017.12.5 自動車の電気化を支える機器の開発 ■2018.3.13 回路図には登場しないインダクタンスに注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
SiC 半導体 金属- 酸化膜- 半導体（MOS）接合デバイス パワーデバイス ハードエレクトロニクス 量子効果デバイス
炭化ケイ素（SiC）は、熱酸化によって表面にSiO2 膜を形成できる上、8 インチウェハが量産化され、デバイス作製技術が発達している、Si 半導体並にデバイス応用のし易い半導体材料です。また、ワイドバンドギャップ、高い耐放射線性・耐熱性、堅牢といったダイヤモンドに良く似た性質も兼ね備えています。まさにSiC はSi とC（ダイヤモンド）の“いいとこ取り”をした材料です！ さらにここ数年間の研究により、SiC にはダイヤモンドNV センターによく似た単一欠陥が存在し、これを単一光子源やスピンとして利用することで、量子コンピューティングや量子フォトニクス、量子センシングに応用できる道のりが開かれています。
” 他社で断られた部品もお探します ”
ディスコン・ＥＯＬ(製造中止品/生産終息品/廃止品)により、 必要な半導体(IC, LSI,VLSI)・電子部品が枯渇・入手困難・調達困難になっていませんか？ ＩＤＫ独自のグローバルネットワークを利活用し、 以下のような様々な市場流通汎用品の調達・供給を法人企業様向に行っております。 デジタル半導体 ・メモリー： DRAM ・ SRAM ・ NAND ・ NOR ・マイクロプロセッサー： CPU ・ MPU ・ GPU ・ MCU ・ SoC ・ロジック： ローエンドPLD レガシー(旧世代)半導体 ・アナログ： 汎用Analog ・パワー： パワートランジスタ ・ サイリスタ ・イメージセンサー： CMOS ・オプティカル： レーザーダイオード ・ LED 電子部品 ・受動部品： 抵抗 ・ インダクタ ・ コンデンサ ・ トランス ・ 水晶振動子 ・能動部品： トランジスタ ・ ダイオード ・接続部品： コネクタ ・ スイッチ ・ リレー
低周波かつ大電流のスイッチングアプリケーション向けに最適化！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
オリジナルメーカー認定＆製品保証！製造中止（EOL）によるリスクを回避し、半導体製品の長期的なニーズをサポートいたします。
半導体業界において、サプライチェーンと生産の持続に課題できることで、その結果、主要製品のリードタイムが長期化することがあります。ロチェスターエレクトロニクスでは、オリジナル半導体メーカーより認定された豊富な製品在庫で、顧客にリスクの無いソリューションを提供することで、サプライチェーンの継続をサポートします。 ロチェスターエレクトロニクスでは、様々な主要半導体メーカーのアナログ＆ミックスド・シグナル、ディスクリート、ロジック、プロセッサおよび周辺デバイス、メモリなど幅広い半導体製品の供給をサポートしています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など！様々な物性情報が得られます
弊団では、第一原理計算によるワイドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN) における欠陥準位の解析を行っております。 ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は主にパワーデバイスの 分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が 高まっています。 ここでは第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損(VN)が形成する 欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。 【測定法・加工法】 ■[PL]フォトルミネッセンス法 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現！
新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有
インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ヘルスケア/スポーツ用ウェアラブル機器やEMCノイズ対策のコツなどを掲載！
当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの、2020.9.3～2020.9.30までの社長ブログを まとめています。 技適（電波法認証 技術基準適合証明）とは何か？をはじめ、やっぱりあった! EMCノイズ対策のコツや、どのような製品が防水設計で外注されるのか？ などをご紹介。 この他にも、製品や業界に関するお役立ち情報を多数掲載しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■技適（電波法認証 技術基準適合証明）とは何か？ ■やっぱりコツがあった！「防水設計」 ■当社「リバースエンジニアリングPlus」でご依頼件数の多い分野は？ ■FPGAとは？ ■ヘルスケア/スポーツ用ウェアラブル機器とは？ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電源用途に向けたパワーMOSFET製品の製品紹介
【BOOST MOS】 用途：昇圧型DC-DCコンバータ等 パッケージ：TO-252、TO-220FP 耐圧：100V～250V 特徴：低R<sub>DS(ON)</sub>、高電流対応、低Qg 【BUCK MOS】 用途：降圧型DC-DCコンバータ パッケージ：TO-220FP 特徴：超低オン抵抗（5.3mΩ～） 【SR MOS（シンクロナス整流用MOS）】 用途：整流段における効率向上 特徴：高速スイッチング、低Qg 【Power Saving MOS】 超低電流用（例：0.033Aクラス） 小型SOT-23パッケージ 【Power Switch MOS】 用途：電源ラインのON/OFF制御 パッケージ：DFN3x3、SOP-8など多様 特徴：低オン抵抗・高電流制御対応 【Signal Switch MOS】 小電流・低電圧向けスイッチ用途 超小型パッケージに対応（SOT-23など） 【GaN/SiC WBGデバイス】 GaN HEMTおよびSiC SBD（ショットキーバリアダイオード） 650Vクラスなどの高耐圧製品を予定
電気自動車（EV）やスマートフォンで活用されるパワー半導体の発熱を抑制！エッチング加工を使用した「放熱板」にて効率よく放熱します
パワー半導体（パワーデバイス）とは、大電流や高電圧を扱うことが可能な半導体の事で、 電気自動車やスマートフォンなど、幅広い範囲で開発されています。 当社では、主にパワー半導体（パワーデバイス）のチップの支持固定と 配線接続をするリードフレームとその放熱板の加工及び、 生産工程などで使用される、治具・メタルマスクなどでご協力させて頂くことが多いです。 金型を使うことなく、複雑・微細な形状の加工が可能で、 ミクロンレベル（3μm～2mm）の精度で短時間に製作します。 【特長】 ■金型なしで、複雑な部品などミクロンレベルの加工精度が短時間で製作可能 ■リードフレームでは、純銅から銅合金などの多種の材料を 保有しており、エッチング加工が可能 ■放熱板では、厚銅を平井精密工業の機械加工（ファイバーレーザ加工・ ワイヤ放電加工）で対応する事が出来る ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
