GaN基盤
バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポイント!
当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの 材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが 注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【基本仕様(一部)】 ■直径:Φ2 、Φ3 、Φ4 、Φ6 ■GaN膜厚:3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、~100μm特別指定可能 ■結晶方位:C-axis(0001) ■導電タイプ:Un Dope、N-type、P-type ■XRD:(002)≦300arsec、(102)≦400arsec ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業:エムシーオー株式会社
- 価格:応相談