GaN基盤

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最終更新日：2024年10月08日

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バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポイント！

当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■GaN膜厚：3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能 ■結晶方位：C-axis(0001) ■導電タイプ：Un Dope、N-type、P-type ■XRD：(002)≦300arsec、(102)≦400arsec ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連リンク - https://www.mco-mm.jp/gan%e5%9f%ba%e7%9b%a4-ga/

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基本情報

【その他の基本仕様(一部)】 ■結晶構造：GaN on Sapphire/GaN on Silicon/GaN on SiC ■Sub墓板：サファイア基坂/シリコン基板/SiC基板/GaAs基板 ■梱包：クリーンルーム(クラス100)、25枚入りカセットケース、シングルケース ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。